최근 수정 시각 : 2022-06-26 20:54:44

RAM




파일:나무위키+유도.png  
은(는) 여기로 연결됩니다.
동음이의어 혹은 RAM을 약자로 사용하는 단어에 대한 내용은 RAM(동음이의어) 문서
번 문단을
부분을
, 미국의 야구선수에 대한 내용은 제이크 램 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 아이슬란드 2021년 영화 '램'에 대한 내용은 램(영화) 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 에 대한 내용은 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 에 대한 내용은 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 에 대한 내용은 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 에 대한 내용은 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 에 대한 내용은 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 에 대한 내용은 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
, 에 대한 내용은 문서
번 문단을
번 문단을
부분을
부분을
참고하십시오.
RAM 관련 틀
[ 펼치기 · 접기 ]
{{{#!wiki style="margin: -5px -10px; padding: 10px 0px; background-image: linear-gradient(to right, #009, magenta);"
'''[[전기전자공학과|전기·전자공학
Electrical & Electronic Engineering
]]'''
{{{#white {{{#!folding [ 펼치기 · 접기 ]
{{{#!wiki style="margin: -8px -1px -11px; letter-spacing: -1px; word-break: keep-all;"
<tablewidth=100%> 학문
<rowcolor=#000,#fff> 기반 학문 연관 학문
<rowcolor=#000,#ddd> 물리학( 양자역학 · 물리화학 · 열역학 · 응집물질물리학 · 재료공학 · 전자 회로 · 전자기학 · 회로이론 · 논리 회로) · 화학 수학 [ 공업수학 · 해석학 · 위상수학 · 미적분학 · 대수학( 환론 · 표현론) · 선형대수학 · 컴퓨터 공학( 프로그래밍 언어( HDL · VHDL · C · C++ · 파이썬 · 베릴로그) ]
전기·전자 관련 정보
<rowcolor=#000,#fff> 제품 소자
스마트폰 · CPU · GPU( 그래픽 카드) · ROM · RAM · SSD · HDD · MPU · CCD · eMMC · USB · UFS · IoT · 와이파이 · GPS · C-DRX · 마그네트론 · 마이크 · 스피커 · 배터리 다이오드 · 트랜지스터( BJT · FET · JFET · MOSFET · T-FT) · CMOS · LCD · LED · OLED · AMOLED · 저항기 · 태양전지 · 연산 증폭기 · 사이리스터 · GTO · 레지스터( IGBT) · 펠티어 소자 · 벅컨버터
용어
클럭 · 웨이퍼 · 집적 회로 · SoC · · ASIC · PCB · FPGA · CPU 관련 ( BGA · 마이크로아키텍처 · 소켓) · 전계강도계 · 축전기 · CMCI · 전송선 · 정전기 방전
이론&연구
반도체( P형 반도체 · N형 반도체) · 디스플레이 · 논리 회로( 보수기 · 가산기 · 논리 연산) · 전자 회로 · RLC 회로 · 양공 · PFC · DSP · 도핑(반도체) · 히스테리시스 곡선 · 휘트스톤 브릿지 · 전자기 추진 엔진 · 자기부상열차
공식 및 법칙
양자역학 · 가우스 법칙 · 비오-사바르 법칙 · 무어의 법칙 · 키르히호프의 법칙 · 맥스웰 방정식 · 로런츠 힘 · 앙페르 법칙 · 드모르간 법칙 · 페르미 준위
자격증
<rowcolor=#000,#fff> 전기 계열 전자 계열 기타
<rowcolor=#000,#ddd> 기능사 전기기능사 · 철도전기신호기능사 전자기기기능사 · 전자계산기기능사 · 전자캐드기능사 신재생에너지발전설비기능사(태양광)
<rowcolor=#000,#ddd> 기사 전기기사 · 전기산업기사
전기공사기사 · 전기공사산업기사
전기철도기사 · 전기철도산업기사
철도신호기사 · 철도신호산업기사
전자기사 · 전자산업기사
전자계산기기사 · 전자계산기제어산업기사
소방설비기사
신재생에너지발전설비기사(태양광)
로봇소프트웨어개발기사 · 로봇하드웨어개발기사 · 로봇기구개발기사
<rowcolor=#000,#ddd> 기능장 및 기술사 전기기능장 · 건축전기설비기술사 · 발송배전기술사 · 전기응용기술사 · 전기안전기술사 전자기기기능장 · 전자응용기술사 }}}}}}}}}}}}

{{{#!wiki style="margin: -5px -10px; padding: 10px 0px; color:#fff; background-image: linear-gradient(to right, #33CCCC , #0066DC); word-break:keep-all"
컴퓨터 과학 & 공학
Computer Science & Engineering

{{{#!folding [ 펼치기 · 접기 ]
{{{#!wiki style="margin:-8px -1px -11px"
<tablewidth=100%><colbgcolor=#eee,#555>기반 학문 <colbgcolor=#fff,#1f2023> 수학 ( 공업수학 · 해석학 · 이산수학 · 수리논리학 · 선형대수학 · 미적분학 · 대수학 ( 환론 · 범주론) · 정수론) · 암호학 · 전자공학 · 언어학 ( 형태론 · 통사론 · 의미론 · 화용론 · 음운론) · 인지과학
SoC · CPU · GPU( 그래픽 카드 · GPGPU) · ROM · RAM · SSD · HDD · 참조: 틀:컴퓨터 부품
기술 기계어 · 어셈블리어 · C( C++ · C#) · Java · Python · BIOS · 절차적 프로그래밍 · 객체 지향 프로그래밍( 디자인 패턴) · 해킹 · ROT13 · OTP · IoT · 와이파이 · GPS · 임베디드 · 인공신경망 · OpenGL · EXIF · 마이크로아키텍처 · ACPI · UEFI · NERF · gRPC · 리버스 엔지니어링 · HCI · UI · UX · 대역폭 · DBMS · NoSQL · 해시( SHA · 브루트 포스 · 레인보우 테이블 · salt · 암호화폐) · RSA 암호화
연구 논리 회로( 보수기 · 가산기 · 불 대수 · 플립플롭) · 이론전산학 · 알고리즘 · 자료구조 · 데이터베이스 · 프로그래밍 언어{ 컴파일러( 어셈블러 · JIT) · 인터프리터 · 유형 이론} · 메타데이터 · 딥러닝 · 빅데이터 · 폰노이만 구조 · 양자컴퓨터 · 행위자 모델 · 인코딩( 유니코드 · MBCS) · 네트워크 · 컴퓨터 보안 · OCR · 슈퍼컴퓨터 · 튜링 머신 · FPGA · 딥러닝 · 컴퓨터 비전 · 컴퓨터 그래픽스 · 인공지능 · 시간 복잡도( 최적화) · 소프트웨어 개발 방법론 · 정보처리이론 · 오토마타 이론 · 재귀 이론 · 자연 언어 처리( 기계 번역 · 음성인식) }}}}}}}}}

🖥️ 컴퓨터 부품 및 주변기기
{{{#!wiki style="margin:0 -10px -5px; min-height:calc(1.5em + 5px); word-break:keep-all"
{{{#!folding [ 펼치기 · 접기 ]
{{{#!wiki style="margin: -6px -1px -11px"
<colbgcolor=#ffd,#300> 메인보드
프로세서 CPU · GPU · 레지스터 · 캐시 메모리
기억장치 주기억장치
ROM · RAM ( VRAM)
보조기억장치
SSD · HDD · 플로피 디스크 · 자기 테이프 · ODD · 외장 하드 · CD
전원부 쿨러 · 파워서플라이
휴먼 인터페이스
키보드 · 마우스 · 모니터 · 헤드셋 · 스피커 · 마이크 · 사운드 카드
네트워크 · 입출력 TV 수신 카드 · 프린터 · 네트워크 카드 · 캡처보드 · USB · 케이블 }}}}}}}}}

컴퓨터 메모리
{{{#!wiki style="margin:0 -10px -5px;min-height:25px;"
{{{#!folding [ 펼치기 · 접기 ]
{{{#!wiki style="margin:-6px -1px -11px;"
휘발성 메모리
<colbgcolor=#E0E0E0,#222> RAM DRAM · SRAM
개발중 T-RAM · Z-RAM
비휘발성 메모리
ROM Mask ROM · PROM · EPROM · EEPROM
플래시 메모리 메모리 카드 · SSD · eMMC · UFS
NVRAM nvSRAM · FeRAM · MRAM · PRAM( 옵테인 메모리)
기계식 자기테이프 · 플로피 디스크 · 하드 디스크 · 광학 디스크
개발중 CBRAM · SONOS · RPAM · Racetrack Memory · NRAM · Millipede Memory · FJG }}}}}}}}}
파일:PC133U_SDRAM.jpg
삼성전자 PC133 SDR SDRAM (256MB)
파일:ram3200.jpg
마이크론 Crucial DDR4-3200 CL22 (8GB)
파일:지스킬_트라이던트_네오.jpg
G.SKILL ( SK 하이닉스 사용)
DDR4-3600 CL16 TRIDENT Z NEO C (16Gx2)
[1]
1. 개요2. 상세
2.1. 용어에 대한 오해2.2. 휘발성과 비휘발성2.3. 플래시 메모리와의 차이점2.4. 디스크 페이징 관련2.5. RAM의 성능2.6. 다다익램과 용량에 따른 체감 성능
2.6.1. 1 GB 이상
3. 논리적 용도별 종류4. 물리적 특성별 종류
4.1. 휘발성 RAM
4.1.1. SRAM4.1.2. DRAM
4.1.2.1. ADRAM4.1.2.2. SDRAM
4.1.2.2.1. RDRAM4.1.2.2.2. DDR SDRAM4.1.2.2.3. LPDDR SDRAM
4.1.2.3. GDRAM
4.1.2.3.1. VDRAM4.1.2.3.2. WDRAM4.1.2.3.3. MDRAM
4.1.2.4. SGRAM
4.1.2.4.1. GDDR SGRAM
4.1.2.5. HMC4.1.2.6. HBM
4.2. 비휘발성 RAM
4.2.1. MRAM4.2.2. STT-MRAM4.2.3. PRAM4.2.4. RRAM(ReRAM)4.2.5. FeRAM (FRAM)
5. 가격 변동
5.1. RAM 생산 업체 간의 가격 경쟁5.2. 가격 변동의 역사
6. 주소할당 문제7. 기타8. 관련 문서
[clearfix]

1. 개요

Random Access Memory

사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치. 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다.[2] '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다.

2. 상세

2.1. 용어에 대한 오해

RAM이 '임의 접근'할 수 있는 메모리이므로 HDD 등의 장치들도 RAM의 범주에 들어가며, 우리가 통상 이해하는 읽고 쓸 수 있는 주 기억 장치만을 RAM이라 부르는 것은 틀린 것이라고 오해하는 경우가 있다.

Random Access라는 말은 어느 위치에든 똑같은 속도로 접근하여 읽고 쓸 수 있다는 의미이므로 FDD ODD, HDD 같은 경우는 RAM의 범주에 들어가지 않는다. ROM도 접근 위치와 상관 없이 같은 속도로 데이터를 읽을 수 있으나 '쓰기'가 안 되므로 RAM의 하위 분류에 속하지 않는다. HDD 등의 기억장치와 같이 어느 위치에나 직접 접근할 수 있으나 데이터의 물리적 위치에 따라 읽고 쓰는 시간에 차이가 발생하게 되는 기억장치들은 Direct Access Memory 또는 Direct Access Data Storage라고 부른다.

한편, CP/M과 MS-DOS의 시스템 호출 함수에서의 임의 접근은 FDD, ODD, HDD를 포함한다. 하지만 그때는 카세트 테이프 같은 순차 접근 저장 장치에 사용하는 순차 접근 개념에 대응하는 말로 쓴 것이다. RAM은 주 기억 장치로만 취급되었을 뿐이지, 보조 기억 장치와 같은 그룹으로 취급된 적은 없다.

다만 SSD를 필두로 한 플래시 메모리 보조 기억 장치의 등장으로 혼란이 있는 것도 사실이므로, 기존의 RAM을 VRAM(Volatile Random Access Memory) 혹은 더 넓은 의미인 VM(Volatile Memory)으로 칭하는 사람도 있다. 플래시 메모리는 NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)으로 칭하기에는 애매해서, 그냥 넓은 의미인 NVM(Non-Volatile Memory)으로 칭한다. 당장 NVMe만 봐도 알 수 있다.

2.2. 휘발성과 비휘발성

메인 메모리에 주로 사용되는 RAM은 일반적으로 전원이 차단되면 내용이 지워지는 휘발성 기억 장치이다. 다만 이는 RAM마다 조금씩 차이가 있다. 예를 들어 SRAM은 전원이 차단되자마자 즉시 데이터가 지워지지만, DRAM은 전원이 차단되자마자 그 즉시 데이터가 지워지는 것은 아니며 대략 5분 정도의 시간이 걸리는데 이는 DRAM은 내부에 전류를 일시적으로 저장하는 역할을 하는 축전기가 들어가 있기 때문으로 액체 질소등으로 냉각시킬 경우 1주일 정도는 데이터가 저장 가능하다고 한다. 그러나 이 특성이 전원이 끊어진 상태에서 데이터 신뢰성이 보장 된다는 말은 아니다. 이런 특성으로 인해 속도는 느리지만 전원이 끊어져도 정보를 저장할 수 있는 자기 테이프, 플로피디스크, 하드디스크 같은 보조 기억 장치가 나오게 되었다.

실질적으로 보조 기억 장치의 용량이 아무리 커도 메모리가 적으면 PC는 제성능을 발휘하기 어려우나, PC가 점점 대중화되고 사용하기 쉬워지며 가격이 급락하는 바람에 그 존재감이 점점 옅어지고 있다. 그리고 메모리라고 하면 USB 메모리와 착각 당하기까지 하는 것이 바로 이 메모리라는 존재이다.

전원이 꺼져도 지워지지 않는 NVRAM도 있으나 현재의 RAM을 대체하지는 않는다. 21세기 초부터 계속해서 떡밥을 뿌렸던 PRAM, MRAM, FeRAM 등이 그것. 열로 인한 물질의 상전이나 자기장(을 사용한 스핀 정렬) 같은 물질의 온갖 특성들을 동원해서 전원이 꺼져도 정보를 저장하는 방식이다. 실용화되면 처리와 저장을 동시에, 즉 CPU와 RAM과 하드디스크/ SSD의 기능을 동시에 가질 수도 있다지만 PRAM을 제외하고는 아직 연구소 바깥으로 나오지 못했고 연구소 바깥으로 나온 PRAM인 옵테인 메모리 역시 DRAM을 대체하기는 커녕 일반 사용자용 시장에서는 실패하고 서버용으로나 메모리 계층 구조 한 부분을 차지하고 있을 뿐이다. 자기장을 사용한 MRAM이 2012년 후반기에 실험적으로 자동차에 사용된 정도가 고작이며 실용화되도 하나같이 차폐 기술을 적용하지 않으면 우주선엔 사용이 불가능할 정도로 민감하며, ReRAM은 2 GB 단일 모듈을 소니-마이크론에서 시연한 수준 정도에 올라왔을 뿐이다.

STT-MRAM은 자기를 이용하는 특성 때문에 읽기/쓰기 수명이 반영구적이며 다른 차세대 램에 비해 안정적으로 작동하는 편이다. 또한 랜덤 액세스가 비교적 빠른 편이라 유력한 차세대 램의 후보로 여겨졌으나 비교적 소비전력이 큰 편이고 SRAM의 동작 속도에 비해 다소 느린 편이며 셀 집적화의 한계로 고용량을 실현하기가 어려워 현재로써는 SRAM 타입의 캐시 메모리 위주인 LLC(Last Level Cache)를 대체하는 정도가 될 것이라고 한다. 한편 PRAM은 빛을 이용하는 특성 때문에 소비 전력이 너무 커 개발이 더뎌진 상황이라 메모리뿐만 아니라 스토리지 용도로도 사용될 수 있는 차세대 램은 ReRAM이 될 것이라고 한다. 여전히 비휘발성 차세대 RAM의 갈 길은 멀지만 지속적인 연구로 상황이 점차 나아지고 있다.

2.3. 플래시 메모리와의 차이점

플래시 메모리는 주 기억 장치라기보단 보조 기억 장치의 일종이지만, 똑같이 읽고 쓰는 게 가능한데 왜 RAM 취급을 안 해 주냐면, CPU에서 대개 직접 읽고 쓸 수 없으며(일부 CPU는 플래시 메모리 컨트롤러 내장) RAM처럼 바이트 단위로 접근할 수 없고 페이지 단위로 읽기/쓰기가 진행되기 때문이다. (읽기/쓰기는 페이지 단위, 삭제는 블럭 단위다.) 플래시 메모리가 RAM이 아니니까 그것과 구분하여 ROM이라고 적은 마케팅 자료도 있는데, 물론 ROM과 같은 비휘발성 메모리지만 ROM(Read Only Memory)의 정의에 부합되는 방식은 더더욱 아니다.

2.4. 디스크 페이징 관련

RAM의 용량을 보조하기 위하여 더 대용량인 HDD, SSD를 통해 일부 영역을 메인 메모리 용도로 전용하여 사용하게 되는데 이를 디스크 페이징, 스왑, 스와핑 등 으로 부르며, 윈도우 운영체계 상에서는 가상 메모리로 번역되었다.

초창기 컴퓨터들은 램값이 컴퓨터 가격에 상당 부분 차지했기 때문에 이런 기법이 대세가 되었다. 그러나 주메모리로 쓰이는 램과 보조 메모리로 사용하는 저장매체의 속도 차이가 워낙 나기 때문에 이 상태가 되면 그 순간 컴퓨터의 속도가 사실상 답이 없을 만큼 느려진다. 현재 시중에서 많이 쓰이는 DDR4 SDRAM 2666 Mbps의 메모리 대역폭은 21300 MB/s[3] 인데, PCIe를 사용하는 M.2 NVMe방식의 SSD의 대역폭이 최소 1200~2000 MB/s. 일부는 최대 3000 MB/s 이상을 지원하니 적게는 6배 많게는 10배 이상의 차이가 난다. 당장 HDD를 SSD로만 갈아도 체감속도가 달라지는데, 램과의 차이는 넘사벽.[4] 그래서 주기억장치(DDR 램, LDDR 램)와 보조기억장치(ATA 하드디스크, eMMC)의 속도 차이가 워낙 많이 나던 시기(2000년대)엔 PC 최적화 팁으로 가상 메모리를 해제하라는 팁이 많이 돌았다. 다만 현재는 보조메모리가 주메모리 속도를 상당히 많이 따라잡았아[5] 다이렉트 스토리지 API 등 보조기억장치를 적극적으로 활용하는 사례가 늘고있어 가상 메모리를 완전히 해제하는것은 오히려 컴퓨터 최적화에 좋지 않다.

그러나 여전히 램의 속도는 보조기억장치보다 절대적으로 빠르기 때문에 본인이 고사양 게임이나 편집 툴, 영상 인코딩을 한다고 하면 충분한 램을 꼭 사용하도록 하자. 바로 위의 다다익램의 경우 같은 대역폭을 두 개를 장착하면 속도가 두배 뻥튀기 된다. 2400 Mbps짜리 DDR4 SDRAM을 두 개 장착하면 대역폭이 38400 MB/s. 트리플이나 쿼드의 경우 메인보드에서 지원을 안 하는 경우가 많기에[6] 이 경우에는 용량은 올라가나 대역폭 속도는 두 배만 지원하는 경우가 많다. 다만 아래에도 있지만 두개의 대역폭이 다를 경우 낮은 쪽의 대역폭으로 맞추어지니 유의하자. 이렇게 빠르면서도 값싸게 가상메모리 영역을 확보하고자 하는 틈새시장이 꽤 크다 보니, 아예 이런 용도로 사용하라고 3D XPoint까지 나온 마당이다.

2.5. RAM의 성능

RAM 성능이라 하면 '용량'을 가장 먼저 떠올리지만, 간접적인 성능일 뿐이지 메모리 자체의 직접적인 성능이 아니다. 메모리 성능의 지표가 되는 요소는 기본적으로 메모리 레이턴시, 메모리 쓰루풋 및 대역폭으로, 동시 멀티스레딩(SMT)를 지원하는 CPU가 등장한 이후에는 메모리 레벨 병렬 처리(MLP)까지 추가되어 총 3가지로 구분한다. 거기에 메모리 엑세스 패턴별과 데이터 타입별로 레이턴시, 쓰루풋, MLP가 달라질 수 있다. 한 가지 측정 값만으로는 종합적으로 파악할 수 없다는 뜻이다. 참고로 메모리 엑세스 패턴은 크게 '순차적', '페이지 내에 랜덤', '전체 랜덤' 해서 3가지로 구분한다.
  • 메모리 레이턴시
    메모리에 있는 데이터에 대한 요청부터 검색 완료될 때까지의 접근 시간으로 참조 시간, 대기 시간, 지연 시간이라고도 부르며, 데이터 요청 후 실제 데이터 전송이 시작되는데 걸리는 시간이기도 하다. HDD로 따지면 탐색 시간(seek time)에 대응되는 개념. 만약 데이터가 캐시 메모리에 없을 경우 메인 메모리와 직접 통신해야 하므로 데이터를 얻기까지 더 긴 시간이 걸린다. 따라서, 접근 시간이 짧을수록 작업 속도가 짧아진 접근 시간만큼 빨라진다.
    일반적으로는 초 단위로 사용하지만, 현재 주류 메모리들이 비동기식 DRAM이 아닌 동기식 DRAM 계열인 특성상 클럭 사이클 단위로도 취급하는 편이다. 주의할 점은 동기식 DRAM이 일정한 클럭 주파수로 동작하면서 데이터를 전송하기 때문에 이에 역수인 클럭 주기도 초 단위인데, 1GHz 클럭 속도를 지니는 SDRAM의 주기인 1ns가 같은 초 단위라는 점 때문에 혼동될 수 있다는 것. 그래서 보통 레이턴시라고 하면 클럭 주파수의 역수(주기) 개념이 아니라, 참조/지연/대기/접근 시간 개념을 가리킨다고 보면 된다.
    오버클럭할 때 거론되는 램 타이밍 또는 메모리 타이밍의 파라미터(매개변수)별로 각각의 메모리 레이턴시들이 존재한다. 램 타이밍들이 짧을수록 성능이 향상되는 것은 맞지만, 빈번한 데이터 요청이라는 특수한 작업이 아닌 일반적인 경우에는 램 타이밍에 따른 메모리 성능 영향력은 별로 없다고 봐도 무방하며, 사실상 아래의 항목인 메모리 쓰루풋에 크게 좌우된다.
  • 메모리 쓰루풋 및 대역폭
    쓰루풋은 단위 시간 동안 메모리의 데이터를 읽기, 쓰기, 저장할 수 있는 처리량, 줄여서 처리율이라고도 부른다. 대역폭과 같은 개념처럼 취급하는 사람들이 많은데 엄밀히 따지면 서로 밀접한 관련이 있지만, 처리량은 하나의 전송 채널에서 처리되는 데이터의 양을 의미하고, 대역폭은 하나가 아닌 여러 개의 전송 채널을 통해 처리되는 데이터의 양을 의미하는 약간 다른 개념이다. 또한, 데이터 전송 작업의 수를 의미하는 전송량과 단위 시간 동안 데이터 전송 작업의 수를 의미하는 전송률과도 같은 개념처럼 취급하는 경우도 있는데 하나의 전송 채널이라는 조건은 똑같지만 전송량과 전송률은 전송 그 자체에만 의미를 두는 개념이고, 처리량은 전송뿐만 아니라 읽기, 쓰기, 저장같은 일련의 작업 과정까지 포함하는 개념이라는 차이점이 있다.
    사용자들은 데이터 전송에만 관심을 두는 것이 아니라 데이터 읽기, 쓰기, 저장까지 완료된 상태에 관심이 있기 때문에 전송량 & 전송률보다는 처리량 & 처리율, 처리량 & 처리율보다는 대역폭이 더 현실적인 단위 개념이라고 볼 수 있다. 메인 메모리가 일찍부터 하나의 전송 채널이 아닌 여러 개의 전송 채널 구성으로 발전되어 왔기 때문.
    일반적으로 바이트/초 단위로 표기하며, 대역폭을 기준으로 '(메모리 클럭 속도) × (메모리 버스 폭) × (메모리 채널 수)'로 계산한다. 제품에 표기된 메모리 대역폭은 이론적인 최대 대역폭으로 실제 대역폭은 표기상 대역폭보다 작게 측정되며, 표기 대역폭에 도달했다 해도 지속적이지 않을 수 있다.
  • 메모리 레벨 병렬 처리 (MLP: Memory-Level Parallelism)
    메모리 성능의 기본적인 지표는 아니지만, CPU가 멀티 프로세서 또는 멀티코어 프로세서를 필두로 SMT가 가능해지면서 스레드 개수만큼 메모리에 동시 접근이 가능해졌다. 이에 따라 메모리 동시 처리 능력에 차이가 발생하게 되는데, 절대적인 코어 개수와 스레드 개수에 따른 차이도 있지만 똑같은 코어 개수와 똑같은 스레드 개수라도 CPU 마이크로아키텍처에 따라 성능이 크게 달라질 수 있다. 적중률 개념이 있는 캐시 메모리의 경우, '캐시 적중되지 않았더라도 병렬 처리 기능을 통해 얼마나 빠르게 데이터를 처리할 수 있는지'로 판별하는 지표가 된다.

2.6. 다다익램과 용량에 따른 체감 성능

조립컴퓨터 견적에서는 언제나 다다익램이 규칙으로 통한다. 램이 부족하면 확실히 체감이 되지만 용량이 남을 때는 그냥 쉬고 있는 부품이라 체감이 잘 안 되는데, 존재 이유를 알고 싶다면 컴퓨터의 다른 부품들(CPU, 메인보드등)이 어느 정도 받아준다는 가정하에 크고 아름다운 프로그램을 여러 개 켜놓고도 컴퓨터가 무리 없이 돌아가는데 도움을 주는 장치라고 생각하면 된다. 특히 배틀필드 5 같은 어느 정도 사양이 되는 게임을 플레이한다면 램이 16 GB 정도는 있어야 한다. 내장 그래픽 카드를 사용할 경우, 시스템 메모리 일부가 내장 그래픽용으로 할당되기 때문에 가용량이 더 줄어든다. 가령 4 GB인 시스템 메모리에 1 GB를 내장 그래픽용으로 할당된 시스템일 경우 이론적인 가용량은 3 GB이지만, OS 부팅 단계에서 이미 메모리에 상주된 프로세스들이 존재하므로 실제 가용량은 2 GB 내외 혹은 그 이하로 더 적다. DDR4 SDRAM과 Windows 10의 대중화 시점인 2015년 이후 기준으로 4 GB 혹은 그 이하는 무엇을 하든 성능 저하가 심하기 때문에 사양세(斜陽勢)에 들어섰고 사무용 및 웹 서핑 컴퓨터에는 8~16 GB, 게이밍 컴퓨터에는 16~32 GB 정도가 권장되며, 원컴방송이나 그래픽 제작 및 편집 등을 수행하는 경우이거나 RAM 누수가 심한 프로그램을 돌리는 경우에는 32 GB 이상의 램이 돈값을 할 수 있다. 물론 서버의 경우에는 정말 말 그대로 많으면 많을수록 또 크면 클수록 좋아서 그냥 남는 돈 전부 램에 투자해도 돈 값을 한다.

Windows 7부터는 메모리가 부족하지 않는 이상 프로그램이 종료되도 메모리를 반환하지 않는다. 가령 고사양게임을 실행시 처음에 실행시킬 때는 하드에서 읽기 때문에 실행속도가 느리지만 종료시켰다가 다시 실행시키면 메모리에 남아있는 데이터를 다시 불러들이기 때문에 훨씬 빨리 실행된다. 즉, 다다익램이란 게 멀티태스킹처럼 동시에 프로그램을 사용하는 사람에게만 이득이 되는 건 아닌 셈이다.

윈도우 사용자의 경우, 자신의 컴퓨터에서 램 점유율이 70%[7] 이상을 보일 시 램 용량이 부족하다는 신호로 간주하고 램 업그레이드를 하는 것이 좋다. 램의 용량이 꽉차는 램 오버플로우는 블루스크린을 일으키는 대표적인 원인이다. 따라서 컴퓨터는 최대한 램을 덜 쓰려는 시스템을 갖추고 있고, 안정적인 작동을 위해 램 용량이 부족하지 않더라도 최대한 가상 메모리 등을 끌어다 쓴다. 잔여 램 용량이 부족해지면 더욱더 적극적으로 가상메모리를 사용하게 되고, 그로 인한 성능 저하가 관측되는 시점이 램 용량의 70% 정도를 사용할 시점인 것.

Microsoft사 OS 기준 설명표 MS-DOS Windows 1.x~3.x Windows 95 Windows 98~Me Windows NT 3.x~4.0 Windows 2000~XP Windows Vista~7 Windows 8.x Windows 10 Windows 11
~640KB O O X X X X X X X X
~32MB O O
====# 1 GB 미만 #====
현재에 와서는 이 용량의 램은 일반인은 찾아 볼 수도 없고, Windows Vista 이상 버전은 이 용량의 램으로는 사용할 수 없다고 보면 된다.
  • 16 KB
    • 최초의 IBM PC(모델 5150)에 탑재된 램의 용량이다.
    • 운영체제인 IBM BASIC PC DOS 1.0 부팅에 필요한 최소 용량이다.
  • 256 KB
  • 512 KB
  • 640 KB
    • MS-DOS에서 사용자가 자유롭게 사용할 수 있는 메모리의 상한이다.
  • 1 MB
    • IBM PC XT 및 그 호환 기종에서 접근 가능한 메모리의 상한이다.
    • 실제 모드(Real Mode)에서 활용할 수 있는 메모리의 상한이다. RAM/주소할당 문제 참고
  • 2 MB
    • Windows 3.0을 원활하게 사용할 수 있는 최소 용량이다.
    • Windows 3.1 부팅에 필요한 최소 용량이며 매우 버벅인다.
  • 6 MB
    • Windows 98/ Me 안전 모드 부팅에 필요한 최소 용량이다.
  • 16 MB
    • Windows 3.0에서 인식 가능한 최대 용량이다.
    • Windows 2000 SP4 안전 모드 부팅에 필요한 최소 용량이다.
    • 24비트 메모리 주소를 사용하는 IBM PC AT(모델 5170) 및 그 호환 기종에서 접근 가능한 메모리의 상한이다.
  • 128 MB
    • Windows 2000 이하 버전은 쾌적하게 사용할 수 있다.
    • Windows XP 사용 시 다소 버벅인다.
    • Windows 10 LTSB 2016 32비트를 가상머신 환경에서 128 MB로 부팅만 되는 사례가 있지만, 이마저도 안정성이 크게 떨어지며 정상적인 사용은 불가능하다.
    • DDR1 램의 최소용량이다.
  • 256 MB
    • Windows 3.1에서 인식 가능한 최대 용량이다. #
    • 지원이 끝난 지 오래인 Windows XP 이하 버전만이 부팅 및 실사용이 가능하다.
    • DDR2 램의 최소용량이다.
  • 480 MB
    • Windows 95에서 인식 가능한 최대 용량이다.
  • 512 ~ 960 MB
    • Windows XP의 경우 512MB여도 SP3나 최신 앱 환경이 아니라면 그럭저럭 사용할 수 있으며 768MB 이상이면 SP3 + 최신 앱 환경에서도 그럭저럭 사용이 가능하다.
    • Windows Vista 이후의 Windows는 32비트에 한정해서만 제대로 된 부팅이 가능하지만, 딱 거기까지 뿐이며 그 외에 어떤 용도로도 사실상 쓸 수가 없다. 켜자마자 램 점유율 95%를 맛볼 수 있으며 램을 960MB로 늘려도 여전히 버벅임이 심하게 느껴진다.[8]
    • Windows 10 LTSB 2016 32비트 기준 Internet Explorer 11로 간단한 웹서핑은 가능하다. 다른 브라우저로는 사실상 사용 불가능. 그걸 보면 Embedded나 Enterprise LTSB/LTSC등 특수 에디션은 저사양 임베디드용으로는 겨우 사용 가능할지도 모른다. 물론 이정도 램 용량보다는 가급적이면 1GB 이상으로 늘리는 것을 강력히 권장한다.

2.6.1. 1 GB 이상

  • 1 GB
    • Windows XP 까지의 레거시 운영체제는 원활하게 사용할 수 있다.
    • Windows Vista (32비트) 이후에서도 사용은 가능하지만, 다중 작업이나 고사양 앱의 실행은 어렵다.
    • 64비트 기반 Windows (XP 제외)의 사용에는 지장이 있으며, 가상 메모리의 적극적 사용으로 인해 속도가 자주 느려진다.
    • Windows 95를 제외한 Windows 9x 계열 운영 체제에서는 이 용량까지만 사용할 수 있다.
    • 윈도우 10 32비트 버전의 최소 요구 사항이다.
    • DDR1 램의 최대 용량이다.
    • DDR3 램의 최소 용량이다.
  • 2 GB
    • 비교적 최근까지[9]의 32비트 Windows에서 대부분의 작업을 수행할 수 있었던 용량이다.
    • 윈도우 10 64비트의 최소 요구 사항이다.
    • 64비트 Windows에서도 기본 가상메모리 설정이 꽤 잘 되어 있기 때문에 idle 시 RAM 사용량은 50% 정도에서 머문다. 하지만 인터넷 좀 해볼려고 구글 크롬 창 하나만 해도 RAM 사용량 70%를 넘기는 일이 부지기수이다. 여기서 다른 작업을 할려고 한다면 2 GB를 넘게 되어 가상메모리의 크기가 점점 늘어나게 된다. 이게 심해지면 RAM 용량보다 저장소의 가상메모리가 차지하는 용량이 더 커지는 일이 생긴다. 여전히 느릴 수밖에 없다. 그러니 64비트 Windows에서 게임은 포기하는게 편하다.
  • 3 GB
    • 과거 32비트의 램 제한 때문에 2 GB + 1 GB 조합으로 간혹 맞췄던 조합이었다.
    • 32비트 Windows는 부족함 없이 사용할 수 있다.
    • 64비트 Windows도 간단한 사무용도로 사용이 가능하지만 역시나 아무것도 하지 않아도 기본적으로 50%를 잡아먹는다. 그래도 2 GB보단 가상메모리를 덜 긁어먹는다는 점에서 여러모로 좀 더 나은 상황이라고 볼 수 있다.
  • 4 GB
    • 2020년 기준 그럭저럭 원활하게 사무용 컴퓨터로 쓸 수 있는 최소한의 용량이다.
    • Windows 11의 최소 사양이다.
    • 32비트 Windows에서는 약간 모자란 용량만 사용 가능하다.
    • 고사양 작업을 제외한 웬만한 것은 별 문제 없이 처리 가능하지만 최신 앱이나 게임들은 많이 버겁다.
    • CPU는 Athlon이나 Celeron을 많이 선택한다. 과거 인텔 4세대 하스웰을 사용했던 시기까지는 i3 이하 중저가 라인업에서 매우 흔한 용량이었다.
    • 다만 요즘은 RAM 가격이 많이 낮아지면서 사무용 컴퓨터라 해도 최소 8 GB 정도는 맞추는 추세라 4 GB RAM은 학교 컴퓨터실 컴퓨터나 대규모 기업 집단에서의 주기적인 문서 작성을 목적으로 대량으로 보급할 수 있으면서도 가격은 한푼이라도 더 저렴해야 하는 컴퓨터의 최소한의 용량으로 채택되고 있다.
    • DDR2 램의 최대 용량이다.
    • DDR4 램의 최소 용량이다.
  • 5 GB
    • 4 GB + 1 GB 혹은 2 GB ×2 + 1 GB (혹은 2 GB + 1 GB ×3) 조합으로 과거 저용량 램 모듈이 많이 사용되었을때 가끔 볼 수 있었던 변태조합이었다. 컴퓨터의 램 용량이 상향평준화 되면서 현재는 보기 힘들어졌다. 물론 과거에도 매우 특이한 조합이였다.
    • 컴퓨터를 새로 맞출때 이렇게 구성하는 경우는 없고 보통 업글 후 집 안에 있는 램을 버리기엔 아깝고 해서 재활용 차원에서 다 때려박으면 나오는 결과물.
    • 그러나 1 GB 램의 속도가 낮은 편이고 2 GB 속도도 1 GB에 맞춰줄 수 밖에 없기 때문에 웬만하면 이렇게 쓰지 않기를 권한다. 참고로 DDR3 1 GB의 중고나라 시세는 2천원. 오히려 위의 4 GB보다 더 못한 성능을 보여준다.
  • 6 GB
    • 4 GB + 2 GB / 2 GB ×3
    • 또한 8 GB에서 그래픽 메모리 전용으로 2 GB가 할당되었다면 이 상태가 된다.
    • 4 GB 2장으로 구성된 듀얼 채널일 경우 메모리 대역폭은 그래픽 메모리용이 할당되지 않은 8 GB와 같다.
    • 갤럭시 스마트폰의 최소사양이다.
  • 8 GB
    • 2 GB ×4 / 4 GB ×2 / 8 GB 단일
    • 이 용량부터 본격적으로 다용도로 활용 가능한 컴퓨터가 된다. Windows 10 홈/프로 기준으로, 8 GB가 무겁지 않은 일반적인 작업이나 기능을 빠르게 수행하기 위한 사실상의 최소 사양이다.
    • 한편 요즘 나오는 대부분의 게임을 즐기기 위한 최소한의 요구사항이기도 하다. CPU와 그래픽 카드가 받쳐준다는 가정 하에 오버워치 HD 60프레임/초 이상으로 돌릴 수 있는 최하점이며, 카운터 스트라이크: 글로벌 오펜시브에서 100프레임/초를 돌파할 수 있다. UHD 영상도 어느 정도 볼 수 있다.
    • 내장그래픽 환경에서 8GB는 부족하다는[10] 염려가 나오고 있어서 아예 16 GB 모델로 사는 사람도 있다.[11]
    • 비스타/7 64비트 홈 베이직 에디션에서 지원하는 최대 용량이다.
    • 애플 M1, 애플 M2의 최소 용량이다.
    • DDR3 램의 최대 용량이다.(서버용 ECC DDR3 램 제외)
    • DDR5 램의 최소 용량이다.
  • 12 GB
    • 게이밍 컴퓨터로 사용할 때 8 GB 이상 사용하기 위한 조합이다.
    • 주로 8 GB + 4 GB[12] 또는 4 GB × 3 조합을 사용한다.
    • 이 조합을 쓰면 플렉스 모드[13]가 사용되며, 듀얼 채널로 구성된 용량(8 GB [14])까지만 향상된 대역폭으로 접근 가능하기 때문에 단순 8 GB와 큰 차이가 없다. 때문에 보통은 8GB에서 업그레이드가 필요하다면 같은 용량의 램 2개나 4개를 꽂아서 16GB 구성으로 맞추는 것이 추천된다.
  • 16 GB
    • 4 GB ×4 / 8 GB ×2 / 16 GB 단일
    • 램 누수가 심한 게임이나 2020년 이후 출시된 최신 게임들을 제외하면[15] 현행 거의 모든 게임을 풀옵션으로 구동할 수 있다. 물론 그래픽 카드[16]나 CPU도 최소한 메인스트림급 이상은 되어야 한다.
    • UHD 해상도로 게임을 즐기기 위한 최소 사양이기도 하다.
    • 내장그래픽 환경에서 중~고사양 게임을 원활하게 구동하기 위해서는 못해도 16 GB 는 되어야 한다. 물론 그래픽 옵션 또한 적정 옵션으로 조정해야 하는 등 옵션 타협이 필요하다. 물론 그래픽 옵션 타협으로도 부족할 정도로 스펙이 높은 초고사양 게임은 램을 높이거나 외장그래픽을 이용하는 게 낫다.
    • 맥북 에어에서 옵션으로 선택할 수 있는 가장 큰 램 용량이다.
    • 비스타/7 64비트 홈 프리미엄 에디션에서 지원하는 최대 용량이다.
    • DDR2 메모리를 사용하는 구형 시스템(ATX 메인보드)[17]에서 사용 가능한 최대 용량이다. DDR2 일반 사용자용 모듈은 4 GB가 최대이고 그 당시 가정용 메인보드의 램 슬롯은 4개가 최대였기 때문.
    • 특별히 멀티태스킹을 많이 해야 하거나 포토샵 등의 사양을 제법 타는 프로그램의 사용을 병용해야 하는 몇몇 사무용 컴퓨터에서 가끔 보이는 용량이기도 하다.
    • 프로페셔널 작곡 음악 작업용의 최소사양 용량이다. 믹싱 마스터링 엔지니어링용은 CPU가 훨씬 중요하기에 램은 이정도로 충분하다. 하지만 작곡용이라면 이 정도 램은 그야말로 최소 요구사항이라고 생각하면 된다. 프로레벨 편곡에 사용되는 수준의 가상악기는 제품 하나에 수십기가는 우습고, 시리즈 라이브러리를 많이 보유하고 있는 회사의 제품의 전 시리즈를 인스톨하면 가상악기 제품 한개 라이브러리 크기가 500기가에 육박하기도 한다.
    • 애플 M1의 최대 용량이자 애플 M1 프로의 최소용량이다.
    • 서버용 ECC DDR3 램의 최대 용량이다.
  • 20 GB
    • 4 GB 온보드 + 16 GB 조합으로 여러 저가형 노트북에서 볼 수 있는 램 최대 용량이다. 8 GB ×2 + 4 GB 로도 이렇게 구성할 수는 있다.
  • 24 GB
    • 2017년 램값이 폭등했을 무렵 32 GB 대신 선택하기도 했던 용량이었다.
    • 저전력 노트북들[18] 중 8 GB 온보드 + 16 GB 조합으로 구성할 수 있는 최대 메모리 용량이다.
    • 8 GB ×3 조합 또는 8 GB ×2 + 4 GB ×2 조합 또는 16 GB + 8 GB 조합을 주로 사용했었다.
    • 애플 M2의 최대 용량이다.
  • 32 GB
    • 8 GB ×4 / 16 GB ×2[19] / 32 GB 단일
    • 4K 60fps 영상 편집에 요구되는 최소 사양이다.
    • 16 GB에 적합한 게임을 주로 즐기면서도 멀티태스킹 능력을 향상시키고 싶을 때 많이 선택한다.
    • 시티즈: 스카이라인, 코이카츠 같은 램 누수가 심한 프로그램의 권장사양이기도 하다.
    • 차후에 PS5, XSX 등의 9세대 게임기가 보급된다면 32 GB를 장착한 컴퓨터들을 더 많이 볼 수 있게 될 것이다.
    • 프로페셔널 작곡 음악 작업용에서 그럭저럭 쓸 만한 수준의 용량이다. 대중가요 완편곡 수준의 가상악기를 간신히 전부 로드하는 것이 가능한 정도.
    • ATX규격 메인보드에서 DDR3 램으로 구축 가능한 최대 용량이다.
    • 애플 M1 프로의 최대 용량이자 애플 M1 맥스의 최소용량이다.
    • DDR4 램의 최대 용량이다.(서버용 ECC DDR4 램 제외)
  • 48 GB
    • 16 GB ×3 / 32 GB + 16 GB / 8 GB ×6
    • 훗날 컴퓨터의 주류 램 용량이 32 GB에서 64 GB로 넘어갈 동안 과도기적으로 많이 등장하게 될 용량이다.
  • 64 GB
    • 16 GB ×4 / 32 GB ×2
    • 4K 해상도의 영상편집이나 3D 작업시 권장되는 용량이다.
    • 게임으로는 시티즈: 스카이라인이나 배틀그라운드 같은 초고사양 게임을 다중 방송 플랫폼에 실시간 방송하는 게 아니라면 이 용량까지 갈 필요는 없으며, Non-REG 기준으로 SO-DIMM 2개만 탑재된 노트북에 들어갈 수 있는 기술적 최대 용량이다.
    • 프로페셔널 작곡 음악 작업용에서 권장되는 여유로운 작업 용량이다. 물론 이 정도 용량에서도 클래식 오케스트라 완편곡에 실용음악 대중가요 악기 전부를 같이 로딩하는 등의 다트랙 작업이 필요하다면 이 이상도 필요 할 수 있다. 이 정도 규모의 작업에 고용량 리버브나 컴프레서 등의 플러그인들을 같이 로드해야한다면 CPU의 성능을 먼저 확인하고, 128 GB의 램으로 상향조정하자.
    • 애플 M1 맥스의 최대 용량이자 애플 M1 울트라의 최소용량이다.
    • 서버용 ECC DDR4 램의 최대 용량이다.
    • 2022년 현재까지 공개된 DDR5 램의 최대 용량이다.
  • 96 GB
    • 32 GB ×3 / 64 GB + 32 GB / 16 GB ×6
    • 훗날 컴퓨터의 주류 램 용량이 64 GB에서 128 GB로 넘어갈 동안 과도기적으로 많이 등장하게 될 용량이다.
    • 타워맥이라 불리는 구형 맥 프로에서 사용 가능했던 최대 용량이었으며, OS X 10.9 (매버릭스) 업데이트 이후 봉인이 해제되어 128 GB 까지 사용 가능하게 되었다.
  • 128 GB
    • 32 GB ×4 / 16 GB ×8[20]
    • Non-REG 기준으로 SO-DIMM 2개만 탑재된 노트북에서는 사용이 불가능하고, 최소 SO-DIMM 4개가 탑재된 고가형 노트북 또는 DIMM 4개가 탑재된 PC에나 설치 가능하다.
    • 비스타 비즈니스 이상 에디션과 8/8.1/10 홈 에디션에서 지원하는 최대 용량이다.
    • 초고해상도의 영상제작, 편집작업이나 3D 렌더링으로는 64 GB마저 부족할 수도 있어 128 GB로 넘어간 편집 감독들이 많다.
    • 2018년 10월에 출시된 인텔 9세대 코어 i 시리즈부터, 2019년 7월에 출시된 AMD 3세대 라이젠 시리즈부터 CPU 메모리 컨트롤러가 최대 128 GB까지 지원하게 되면서 일반 사용자용 메인보드들도 128 GB까지 대응하기 시작했다. 그리고 GIGABYTE사에서 출시한 B450M AORUS ELITE가 10만원 초중반대에서 128 GB를 지원해서 접근이 조금 더 용이해졌다.
    • 그러나 일반 사용자가 쓰기에는 너무 과한 용량임은 변함 없다. 당장 16 GB가 7만원이라고 가정하면 무려 56만원을 램값으로 지출하게 된다. 성능이 우수한 튜닝램으로 구성할 경우 램 값만 어지간한 게이밍 PC 본체 가격이 된다.
    • 프로페셔널 작곡 음악 작업용에서 일반 개인 PC에서 설정할 수 있는 최고 스펙이다. 50 ~ 60 트랙 이상의 가상악기와 십수종의 플러그인을 동시에 로딩해야 한다면 반드시 128 GB 까지 풀로 채우도록 하자. 이쯤 되면 CPU의 성능보다 SSD의 용량 확인을 더 먼저 해야 한다.
    • 애플 M1 울트라 및 M1 시리즈 전체의 최대용량이다.
  • 그 이상의 용량
    • 그보다 많은 용량을 장착하려면 현재로써는 레지스터드 램이 필수이며, 서버 플랫폼이나 이에 상응하는 수준의 시스템이 요구된다.
    • 7 프로페셔널 이상 에디션에서는 192 GB까지 지원한다.
    • 8/8.1 프로 이상 에디션에서는 512 GB까지 지원한다.
    • 10 프로, 프로 에듀케이션, 에듀케이션 에디션에서는 2 TB까지 지원한다.
    • 10 프로 for 워크스테이션, 엔터프라이즈 에디션에서는 6 TB까지 지원한다.
    • 이쯤 되면 스레드리퍼를 사용하거나 듀얼 CPU를 구축하는 경우가 많다. 사용하는 급에 알맞게 RAM의 용량도 높아진다면 GPGPU 기능을 위해 그래픽카드를 여럿 장착하기도 한다.
    • Mac Pro 2019년형은 최대 1.5TB(12×128GB)까지 구성이 가능하다. 다만 CPU가 24코어 미만이면 768GB(12×64GB)까지 가능. 이렇게 되면 1.5TB로 업그레이드 시 램값만 3,375만원이 추가되고 768GB도 1,350만원이 추가된다. 이쯤되면 256GB SSD에서 8TB SSD로 업그레이드 하는 비용(351만원)이 더 저렴할 정도.
    • 서버급으로 가면 "12TB" 까지도 사용할 수 있으나, 이쯤 되면 제온 급에서 CPU를 4개 이상 써야 하며 램 값이 2~3억 원이 넘는다. 다른 모든 부품을 통틀어도 수 배 이상 비싼 편.

3. 논리적 용도별 종류

해당 RAM 분류는 물리적인 특성과는 상관없이, 용도에 따라 분류한 것이다.

3.1. 메인 메모리

시스템이 동작하는데 있어서 반드시 존재해야 할 RAM으로, 얼마나 중요한 용도인지 잘 모르겠다면 컴퓨터 시스템을 종료하고 장착되어 있던 메인 메모리를 모두 분리해서 OS 재부팅을 시도해보자. 그러면 부팅은 커녕 전원을 켜도 아예 아무런 화면조차 표시되지 않으며, 시스템에 따라 비프음이 울리기도 한다. 그만큼 컴퓨터에 탑재된 각종 메모리들 중에서 가장 중요한 메모리이므로 시스템 메모리라고도 부른다. 한자어로 '주 기억 장치'라고도 부르며, BIOS가 담겨진 ROM과 함께 취급하고 있다. 읽기만 가능한 ROM(Read Only)과는 달리 Random Access 즉, 임의 접근하여 자유롭게 읽고 쓸 수 있다는 특징을 기억해야 한다.

컴퓨터는 CPU에서 이뤄진 연산을 메모리에 기록하며 또 읽어온다. 잘 이해가 되지 않는다면, 복잡한 계산을 할 때 공책에 풀이해 가면서 하는 걸 생각하면 된다. 즉, 메모리가 없으면 컴퓨터는 동작하지 못한다. 당연히 램의 용량이 클수록 그 용량만큼 동시에 기록하고 연산하는 것이 가능하다는 것이며 고용량 램일수록 컴퓨터의 성능이 올라가고 가격이 비싸진다.

3.2. 버퍼 메모리

서로 다른 두 곳에서 데이터를 이동할 때 그 데이터가 누락되지 않고 완전하게 이동할 수 있도록 임시로 보관하기 위한 버퍼 기능을 수행하는 RAM. 컴퓨터가 여러 장치들로 구성되어 있는 한, 버퍼라는 존재를 배제할 수 없을만큼 매우 중요한 용도이다.

RAM 범주에서 버퍼 용도로 사용된 곳은 대표적으로 HDD 버퍼, SSD 캐시 겸 버퍼, 그래픽 카드의 그래픽 메모리에 일부 영역으로 할당된 프레임 버퍼가 있지만, 메인 메모리로 사용되는 시스템 메모리도 일부 영역은 버퍼로 사용된다.

3.3. 캐시 메모리

시스템의 성능 향상을 위해 캐시 기능을 수행하는 RAM으로, 메인 메모리와는 다르게 이것이 없어도 작동하는데 문제는 없다. 다만, 속도가 느려지기 때문에 더 나은 사용자 경험을 위해 사실상 필수가 된 용도라고 볼 수 있다.

CPU와 메인 메모리의 데이터 교환 속도를 향상시키기 위해 오직 캐시 기능만을 수행할 전용 메모리 즉, 캐시 메모리가 등장했으며, 그것도 모자라 CPU 내부에 내장되었기 때문에 현세대 시스템에서는 캐시 메모리를 직접 보기가 어려워졌다.

3.4. 램 디스크

잦은 I/O 처리로 인해 무리를 받는 HDD나 SSD를 대신하면서 보다 빠른 속도로 처리하기 위해 스토리지/드라이브 기능을 수행하는 RAM. 메인 메모리의 여유 용량을 이용하는 소프트웨어 방식과 별도의 RAM으로 이용하는 하드웨어 방식이 있다. 자세한 내용은 램 디스크 문서 참조.

이와 반대 개념으로 보조 저장 장치 용도인 HDD나 SSD가 메인 메모리 기능을 수행하는 가상메모리가 있지만, RAM이 할 수 있는 역할은 아니므로 유의할 것.

4. 물리적 특성별 종류

해당 RAM 분류는 용도에 상관없이, 물리적인 특성에 따라 분류한 것이다.

4.1. 휘발성 RAM

Volatile Random Access Memory (VRAM)
휘발성 RAM을 일컫는 용어.

4.1.1. SRAM

Static Random Access Memory.

1965년 IBM의 아놀드 파버와 유진 슐리그는 트랜지스터 게이트와 터널 다이오드 래치를 이용해 최초로 메모리 셀을 만들었다. 그해 IBM의 벤자민 아구스타와 폴 카스트루치가 그 메모리 셀을 이용해 최초의 16비트 정적 램 SP95 칩을 상용화했다.

정적 램이라고도 부르며, 내용을 한번 기록하면 전원이 공급되는 한 내용을 그대로 가지고 있는 램이다. 기본적으로 트랜지스터 등으로 구성된 논리 회로로 이루어지며 외부 신호에 따라 내부의 값을 유지하는 식으로 정보를 기록한다. 기억 능력을 가진 논리 회로를 특별히 플립플롭(Flip-Flop. 기초적인 원리는 입력을 받으면 그 입력을 초기화 명령을 받기 전까지 내부에서 루프를 돌려서 유지하는 것. 외부의 에너지 공급이 없으면 에너지 손실로 빠른 시간 안에 정지.)이라고 부른다.

SRAM은 DRAM의 100배 이상으로 접근 속도가 빠르지만[21] 구조가 복잡하여 공간을 많이 차지하므로 집적도를 높이기 어려워 가격이 비싸고 대용량으로 제작하기가 어렵다. 그래서 빠른 속도가 요구되는 캐시 메모리(Cache Memory)에 주로 사용된다. CPU 스펙에 표시되는 L1, L2, L3 등의 캐시 메모리가 대표적. 물론, SRAM이라서 무조건 캐시에만 써먹으라는 법은 없으며 메모리가 많이 필요하지 않은 곳에는 여전히 메인 메모리로도 쓰인다. 특히 임베디드에서는 SRAM을 내장한 칩도 여전히 흔하다. DRAM과 달리 리프레시를 위한 추가 회로가 필요하지 않다는 장점이 있다.[22]

CPU에 내장된 캐시 전용 SRAM의 스펙은 대개 용량만 표기되고 속도가 표기되어 있지 않은데, CPU 코어 클럭 속도와 같은 속도로 동작하기 때문에 속도를 따로 표기하지 않는다. 그러나 인텔 7세대 코어 i 시리즈 이후부터 캐시 클럭 속도가 코어 클럭 속도보다 약간 떨어지는 속도로 동기화되기 시작해서 따로 구분해야 한다. AIDA64 메모리 벤치마크를 통해 특정 메모리 엑세스 패턴 기준으로 측정은 해볼 수 있는데 초당 수 백 GB/s를 가뿐히 넘긴다. 단, 메모리 엑세스 패턴에 따라 측정 값이 달라질 수 있기 때문에 서로 다른 마이크로아키텍처끼리 비교하기가 부적절함을 감안해야 한다. 2013년 6월에 3.00 버전으로 업데이트되기 전까지는 싱글스레드 기반에 순차 접근 패턴으로 측정되어서 괴리감이 더 컸다. 업데이트 이후에는 멀티스레드 기반에 페이지 단위의 랜덤 접근 패턴으로 변경되어서 괴리감이 그나마 덜 해졌을 뿐이지 종합적으로 판단하기 어려운 것은 마찬가지이다.

CPU 코어 외부에 인접된 캐시 메모리와 CPU 코어 내부에 있는 레지스터는 다른 개념이다.

4.1.2. DRAM

Dynamic Random Access Memory.

1966년 IBM 왓슨 연구소의 로버트 데나드 박사가 발명해, 1968년 DRAM에 대한 특허를 취득했다. 최초의 DRAM 상용 제품은 1969년 이 특허의 사용권을 취득한 Advanced Memory System에서 나왔다. IBM의 특허는 1985년 6월 4일에 만료되었다.

동적 램은 기록된 내용을 유지하기 위하여 주기적으로 재충전(Refresh)이 필요하다. 기본적으로 축전기(Capacitor)로 이루어지며 이것의 충전 상태로 정보를 기록한다. 계속 재충전해야 하는 이유는 캐퍼시터가 시간이 지나면 저절로 방전되기 때문.[23]

동적 램은 속도가 SRAM보다는 느리지만 구조가 간단하여 집적도를 쉽게 높일 수 있다. SRAM이 보통 트랜지스터 사이에서 루프를 돌리고 '상정되지 않은 입력'을 걸러내는 게(SDRAM의 경우 클럭에 대한 반응도) 필요한 플립플롭의 구조상 최소 4개 이상으로 셀 하나를 만들지만 DRAM은 트랜지스터 하나와 캐패시터 하나로 만들어져 있기에 고집적화가 가능하다. 그나마 커패시터도 트랜지스터 제조 시 생길 수밖에 없는 기생 커패시터를 극대화하여 활용하기에 필요 면적이 매우 작다. 또한 정적 램에 비해서 가격이 매우 싸고 전력 소비도 그렇게 많지 않아 CPU의 주 기억 장치로 가장 많이 사용되고 있다. 파워 서플라이와 같은 다이오드 계열이 기초 소자 중 가장 비싸다.

우리가 말하는 '램'은 보통 DRAM이다. DRAM 구조에 따라 비동기식이니 동기식이니, 동기식 중에서도 SD이니 RD이니 DDR이니 붙는 것.
4.1.2.1. ADRAM
Asynchronous Dynamic Random Access Memory - 비동기식 DRAM
1969년부터 출시된 최초의 DRAM 규격으로, SDRAM이 등장한 현재 시점에서는 이와 구분하기 위해 비동기식 DRAM으로 명명되었지만 당시에는 그냥 DRAM이라고 불렀다. 1990년대 중반까지 활발하게 사용되었으며, SDRAM이 등장한 이후에도 1990년대 말까지는 간간히 보이다가 2000년대 이후부터 SDRAM 계열로 완전히 대체되었다.
  • PM DRAM - Page Mode Dynamic Random Access Memory - 페이지 모드 DRAM
    초기 비동기식 DRAM의 인터페이스를 약간 수정하여, 다른 행에 액세스하기 위해 동일한 행을 미리 사용하는 비효율성을 회피함으로써 행에 대한 읽기 및 쓰기 성능을 향상시킨 규격.
  • FPM DRAM - Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory - 고속 페이지 모드 DRAM
    기존 PM DRAM의 개선판 규격으로, 레이턴시가 단축되었다.
  • EDO DRAM - Extended Data Out Dynamic Random Access Memory - 확장 데이터 출력 DRAM
    이전 페이지의 데이터 출력을 활성 상태로 유지하면서 새로운 액세스 사이클을 시작할 수 있는 DRAM으로, 하이퍼 페이지 모드 DRAM라고도 불렀다. 이를 통해 어느 정도의 파이프라이닝이 가능하여 성능이 FPM DRAM 대비 최대 30% 향상되었다.

메인 메모리용으로는 1995년 인텔 430FX 칩셋을 통해 처음 지원되었으며, 그래픽 카드에서는 1990년대 후반까지 사용되었다. 비동기식 DRAM 시대의 마지막 전성기였다.
  • BEDO DRAM - Burst Extended Data Out Dynamic Random Access Memory - 버스트 확장 데이터 출력 DRAM
    BEDO DRAM은 EDO DRAM에서 추가적인 최적화를 거친 후속 규격이자 최후의 비동기식 DRAM 규격으로, 주소 카운터(PC)가 추가되었고 페이지 엑세스 사이클을 두 가지 영역[24]으로 나눌 수 있도록 파이프라인 단계가 추가되었다. 일부 성능에서는 SDRAM보다 더 뛰어나기도 했지만, SDRAM의 강점 때문에 결국 널리 쓰이지 못 하고 묻혀졌다.
4.1.2.2. SDRAM
Synchronous Dynamic Random Access Memory (SRAM이랑 DRAM을 합쳐 놓은 게 아님)

|| 규격 || 실효 클럭 || 전압 || 개발 || 표준화 || 출시 || 적용 ||
PC-66 SDRAM 66 MHz 3.3 V 1992년 1993년 1993년 1996년
PC-100 SDRAM 100 MHz 1998년
PC-133 SDRAM 133 MHz 1999년


SDRAM의 개념 자체는 1970년대 인텔이 IBM의 DRAM에 대한 특허의 사용권을 취득해 제작한 반도체에서 기인한다. 그래서 기술 구성 요건의 일부가 IBM의 DRAM 특허에 걸린다. 이 제품이 나온 이후 여러 제조사에서 동기 방식의 다양한 DRAM을 생산하였다.

오늘날 SDRAM은 1992년에 삼성전자에서 개발되어 1993년 JEDEC에서 채택된 표준안을 따른다. 이름에서 알 수 있듯이 기존 DRAM의 파생형이다. 기존 DRAM은 변화가 생기면 최대한 빠르게 반응하는 비동기식 전송 방식이었으나 이것은 동기식 전송 방식을 이용해 클럭 신호와 동시에 반응하므로 컴퓨터의 시스템 버스와 동기화된다. 동기식 DRAM 방식은 기존 비동기식 DRAM보다 빠른 속도로 진행이 가능하며, 이를 통해 칩에 더욱 복잡한 형태의 명령을 주는 것이 가능해진다.

인텔에서는 1996년 펜티엄 시리즈와 조합되는 430VX 칩셋부터, AMD에서는 1996년 K5 시리즈와 조합되는 VIA의 Apollo VP 칩셋부터, 애플 매킨토시 계열에서는 1997년 파워맥 G3, 1998년 파워북 G3s부터 지원되었다.

2000년에 DDR 방식의 메모리가 나오자 기존의 SDRAM을 구분하기 위해 SDR(Single Data Rate) SDRAM으로 통용되고 있는데, 클럭 사이클당 한 번만 전송을 하는 것에서 명명했다.
4.1.2.2.1. RDRAM
미국의 반도체 회사인 램버스에서 1992년에 개발한 고속 데이터 전송 메모리다. 대한민국에서는 삼성전자 SK하이닉스가 제조 기술을 보유하고 있다. 자세한 내용은 RDRAM 참조.
4.1.2.2.2. DDR SDRAM
Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

|| 규격 || 프리
페치 || 전압 || 개발 || 표준화 || 동작속도[25] || 적용 ||
DDR 2n 2.5 V 1998년 2000년 200 MT/s 2000년
266 MT/s 2001년
333 MT/s 2002년
400 MT/s 2003년
DDR2 4n 1.8 V 2001년 2003년 400 MT/s 2004년
533 MT/s 2004년
667 MT/s 2005년
800 MT/s 2006년
1066 MT/s 2007년
DDR3 8n 1.5 V 2005년 2007년 800 MT/s ?
1066 MT/s 2007년
1333 MT/s 2009년
1600 MT/s 2011년
1866 MT/s ?
2133 MT/s ?
DDR3L 1.35 V 2010년 2011년 1333 MT/s 2012년
1600 MT/s 2013년
DDR3U 1.25 V ? 2010년 1333 MT/s ?
DDR4 1.2 V 2011년 2012년 1600 MT/s ?
1866 MT/s ?
2133 MT/s 2014년
2400 MT/s 2016년
2666 MT/s 2018년
2933 MT/s 2019년
3200 MT/s 2019년
DDR5 16n 1.1 V 2018년 2020년 4800 MT/s 2021년
5333 MT/s ?
5866 MT/s ?
6400 MT/s ?

1998년에 개발되어 2000년에 표준화 및 출시된 기존 SDRAM의 개선판 규격. 기존 SDRAM에 비해 메모리 대역폭이 2배 늘어난 것이 주된 특징으로, 원래는 SDR SDRAM에서의 성능 향상을 위해 메모리 셀 2개를 엮어 대역폭을 2배로 늘리려고 했었는데 이는 I/O 버퍼의 속도도 2배가 되어야 한다는 말이다. 하지만 그 시절의 기술력으로는 한계가 있었고 이를 해결하기 위한 방법으로 상승 에지(Rising Edge)와 하강 에지(Falling Edge) 두 개를 모두 데이터를 전송하는 용도로 사용한 것이 이 DDR SDRAM의 기원이다. SDR SDRAM은 상승 에지에서만 데이터를 전송한다.

당시 인텔이 1999년부터 RDRAM을 밀어주고 삽질하는 바람에 2000년 11월에 AMD가 DDR SDRAM을 지원하는 AMD-760 칩셋을 내놓았으며, 2001년에 VIA도 인텔 CPU 호환용인 Apollo Pro 266 칩셋과 AMD CPU 호환용인 VIA KT266 칩셋을 내놓았다. 2002년에 들어서야 인텔도 DDR SDRAM 지원 칩셋을 뒤늦게 투입하여 현재는 PC계의 대세 메모리로 자리 잡았다.

2004년에 기존 DDR에서 업그레이드된 DDR2 SDRAM이 출시되었으며, 2007년에 DDR3 SDRAM, 2014년에 DDR4 SDRAM까지 출시되었다. 2015년부터는 DDR4 SDRAM 가격이 빠르게 하락되면서 동년에 중저가 이하의 신형 메인보드에도 DDR4 메모리를 기본 지원되기 시작했으며, AMD도 AM4 기반 메인보드부터 DDR4를 지원하기 때문에 DDR3 메모리 시절보다 빠른 속도로 보급되고 있다.

최종 소비자용 DDR 메모리는 메모리 칩셋과 칩셋을 제어하는 컨트롤러로 구성되는데, 칩셋에 대한 특허는 IBM 인텔이, 컨트롤러는 램버스가 상당 부분 소유하고 있다. 이 중 IBM과 인텔은 제품 수량 당 일정 금액을 사용료로 챙기고, 램버스는 컨트롤러 제조사와 부착업체(!)에 매년 상당한 금액의 사용료를 정액 부과하고 있다. 다만, DDR4는 삼성전자에서 개발한 안이 JEDEC에서 표준으로 채택되어 삼성전자 입장에선 DRAM의 원천 기술에 대한 특허 사용료를 제외하곤 특허 사용료 부담이 크게 경감되었다고 한다. DRAM 원천 기술은 IBM이 아직까지도 유효하다. 이 특허는 DRAM 자체에 대한 특허라서 피해나갈 길이 없다.

2020년 7월에 DDR5 SDRAM의 표준이 정식 발표되었다. 보드나라 기사

2020년 10월에 SK하이닉스에서 세계 최초로 DDR5 SDRAM를 출시했다. 한국경제 기사

2021년 3분기에 팀그룹에서 DDR5 SDRAM 16GB를 출시할 예정이다. 보드나라 기사

# #

DDR5는 기존에 DDR 사양이 갱신되면서 용량과 대역폭을 향상하고 전압을 낮춰오는 트랜드를 가져왔지만, 그 외에도 몇가지 추가적인 기능을 제공한다.

우선 기존 한개의 램당 64bit의 대역폭을 쪼개서 32bit의 듀얼 채널로 구성되어있다. 램 자체는 듀얼 채널 구성이지만 예전 DDR처럼 2개를 장착해야 진짜 듀얼 채널로 작동한다
램 다이 내에 ECC 컨트롤러를 내장하여 램 다이 내부의 데이터에 대한 무결성을 유지한다. 다만 기존과 같이 램-메모리 컨트롤러간의 통신에 대한 ECC 제어는 옵션이다.
on-DIMM 전압 조정기가 장착되어 있어, 메인보드의 전원 부담을 덜어줄것으로 기대된다.

핀수는 288pin으로 DDR4와 같으나, 위에 언급된 듀얼채널을 구성하면서 핀배열이 완전히 바뀌어 있어 호환성은 전혀 없다. 다만 ASUS에서 DDR4 메모리를 DDR5로 바꾸는 어댑터를 개발 중인 것으로 보인다. PCGAMER 기사

같은 클럭으로 동작하더라도 DDR5가 명령 최적화 등을 통해 DDR4 대비 1.36배 빠를것이라는 자료가 있다.

현재까지는 메모리 컨트롤러-메모리간 클럭 동기화 모드[26]가 1:1로 되지 않고, 2:1이 최대치이다. DDR5 램이 지원하지 않는게 아니라 CPU 멤컨 수율이 딸려서[27] 지원이 안 되는 것이다. 1:1 비율일때가 최대치의 성능을 내기에 2:1 모드로 작동하게 되면 성능 손실이 어느정도 있는 편이다.
4.1.2.2.3. LPDDR SDRAM
|| 규격 || 실효 클럭 || 전압 || 전송속도[28] || 개발 || 표준화 || 적용 ||
LPDDR SDRAM 400 MHz 1.8 V 1.7 GB/s 2005년 2006년 2007년
LPDDR2 SDRAM 800 MHz 1.2 V 6.4 GB/s 2008년 2009년 2010년
LPDDR3 SDRAM 1600 MHz 1.2 V 12.8 GB/s 2011년 2012년 2012년
LPDDR4 SDRAM 3200 MHz 1.1 V 25.6 GB/s 2013년 2014년 2015년
LPDDR4X SDRAM 4266 MHz 1.1 V 27.4 GB/s 2016년 2017년 2017년
LPDDR5 SDRAM 6400 MHz 가변(최대1.1 V) 51.2 GB/s 2018년 2019년 2020년
LPDDR5X SDRAM 8533 MHz 가변(최대1.1 V) 68.7 GB/s 2021년 2021년 ?


데스크탑 및 노트북에 사용되는 일반 DDR 말고 모바일 플랫폼을 위해 칩의 크기가 기존 메모리보다 훨씬 더 작은 크기이면서 저발열, 저전력 버전의 메모리로 개발된 LPDDR(Low Power DDR)도 나왔다. 본래 모바일 DDR(Mobile DDR)로 명명된 규격이었으나 LPDDR2부터 현재의 명칭으로 변경되면서 이전 규격도 DDR 앞에 LP가 붙는 걸로 통일되었다.

LPDDR 메모리 컨트롤러가 탑재된 칩셋 자체는 2007년에 발표된 퀄컴 스냅드래곤 1세대 S1 시리즈부터 처음 적용되었고, 제품화는 2009년 여름에 출시된 아이폰 3GS부터 등장하기 시작했으며, 이후에 나온 스마트폰, 아이패드 갤럭시 탭을 비롯한 태블릿 컴퓨터 등의 다양한 모바일 기기에 탑재되고 있다. 2010년 말에는 LPDDR2 규격이 팬택의 베가 X에 처음 채택되었고, 2012년 가을에는 LPDDR3 규격이 넥서스 10에 처음 채택되었으며, 2015년 초에 들어서 LPDDR4 규격이 LG G Flex 2에 처음 채택된 이후 안드로이드 진영과 애플 진영 모두 자사의 플래그십 스마트폰에 LPDDR4 SDRAM 채택률이 점점 높아지고 있다. 2017년부터 LPDDR4X SDRAM이 탑재된 스마트폰들이 등장하고 있고, 2020년부터는 엑시노스 990(舊 9830), 스냅드래곤 865를 필두로 LPDDR5 SDRAM이 채택된 스마트폰이 등장할 예정이다. 실제로 2020년에는 LPDDR5 SDRAM을 탑재한 갤럭시 S20 스마트폰이 등장했다.
4.1.2.3. GDRAM
Graphics Dynamic Random Access Memory. 그래픽 DRAM.
4.1.2.3.1. VDRAM
Video Dynamic Random Access Memory. 비디오 DRAM.

그래픽 하드웨어에 있는 프레임 버퍼를 저장하는데 사용되었던 DRAM의 이중 포트 버전. 2개의 데이터 출력 핀 세트가 존재해서 동시에 사용할 수 있는 원리인데 첫 번째 포트인 DRAM 포트는 기존 DRAM과 매우 유사한 방식으로 호스트 컴퓨터에 의해 액세스되며, 두 번째 포트인 비디오 포트는 일반적으로 읽기 전용이며 그래픽 칩셋에서 고성능의 직렬화된 데이터 채널을 제공하기 위해 사용되었다.

1986년 IBM의 RT PC부터 처음 사용된 이후 당시에는 고급 워크스테이션에나 볼 수 있을 정도로 상당히 비싼 규격이라 널리 채택되지 못 했으나, 1990년대에 들어서야 널리 채택되었다. 비록 1990년대 중후반부터 후속 규격들에게 밀려 더이상 채택되지 않게 되었지만, 그래픽용 메모리의 기본적인 원리가 정립된 의의 있는 규격이라고 볼 수 있다.

현재는 VRAM을 그냥 그래픽용 메모리를 지칭하는 보통명사처럼 널리 사용되고 있다.
4.1.2.3.2. WDRAM
Window Dynamic Random Access Memory. 윈도우 DRAM.

그래픽 카드에 사용된 VRAM의 변종 규격. 이전 VRAM보다 성능이 좋고 비용이 적게 들도록 설계되었으며, 최대 25% 높은 대역폭을 제공했었다.
4.1.2.3.3. MDRAM
Multibank Dynamic Random Access Memory. 멀티뱅크 DRAM.

MoSys가 개발한 특수 DRAM. 인터리브 방식으로 작동하는 256 KB의 작은 메모리 뱅크로 구성되어 그래픽 카드에 적합한 대역폭을 저렴한 비용으로 SRAM과 같은 메모리에 제공하는 규격이다. 또한 이름답게 단일 클록 사이클에서 두 뱅크에 대한 작업을 허용하여 액세스가 독립적인 경우 이들을 동시에 액세스 하는 것이 가능하다. Tseng Labs ET6x00 칩셋이 탑재된 그래픽 카드에 사용되었다.
4.1.2.4. SGRAM
Synchronous Graphics (Dynamic) Random Access Memory. 동기식 그래픽 (D)RAM.

|| 규격 || 전압 || 모듈 타입 || 비트레이트 || 개발 || 표준화 || 적용 ||
SGRAM ? V ? 레인 83~275 Mbps 1994년 ? 1995년


그래픽 하드웨어를 위한 특화된 SDRAM 형태로 시스템 메모리용 말고도 그래픽카드에서 볼 수 있는 그래픽 전용 메모리도 존재한다. 이름에 걸맞게 그래픽 카드에 있는 텍스쳐 메모리 및 프레임 버퍼와 같은 그래픽 관련 작업을 위해 설계되었다. 다른 비트에 영향을 주지 않고 지정된 비트 평면에 쓰기 작업을 수행하는 비트 마스킹, 단일 색상으로 메모리 블록을 채우는 블록 쓰기 작업 등의 기능이 추가되었다.

한 번에 읽기 또는 쓰기 동작 한 가지만 가능한 싱글 포트 구조로 이루어진 일반 DDR 메모리와는 달리 그래픽 DDR 메모리는 듀얼 포트에 가까운 구조로 되어 있어 입출력을 동시에 할 수 있다. 그러니까 실제 대역폭이 일반 DDR에 비해 두 배. 사실 이는 절반만 맞는 표현으로, I/O 포트는 1개 존재하나, Activate 된 Page를 2개 가질 수 있다. 일반 DDR 메모리가 Activate Page를 1개만 가질 수 있는 점을 생각하면 Precharge 후 Activate 하는 시간을 아낄 수 있으므로 대역폭 확대에 도움이 되지만, 엄밀히 따지면 듀얼 포트 구조와는 다르다. 동시에 쓰고 읽기가 가능한 포트가 따로 존재하지는 않는다. 이는 일반적으로 기존에 존재하던 비디오램이 프레임 메모리에 쓰고, 화면 출력을 위해 읽을 수 있는 듀얼 포트 구조임을 반영한 것이다. 따라서, 기존의 VRAM 및 WRAM과는 달리 싱글 포트이지만, 한 번에 두 개의 메모리 페이지를 열 수 있으므로 다른 비디오 RAM 기술의 듀얼 포트와 비슷한 효과를 구현할 수 있는 구조인 것. 쉽게 비유하면, 단방향 무전기와 양방향 전화기의 차이라고 할 수 있으나 정확한 표현은 아니다.

1994년에 히타치의 HM5283206, NEC µPD481850를 통해 처음 소개되었으며, SGRAM이 탑재된 가장 오래된 제품은 1995년 12월에 투입된 소니 플레이스테이션 1의 2세대 리비전 모델인 SCPH-5000이다. 그래픽 카드의 경우 ATI는 1996년 RAGE II 시리즈부터, NVIDIA는 1997년 RIVA 128부터 탑재되었다가 2002년 지포스 4 시리즈를 마지막으로 더 이상 채택되지 않고 있다.
4.1.2.4.1. GDDR SGRAM
Graphics Double Data Rate Synchronous Graphics (Dynamic) Random Access Memory.

|| 규격 || 전압 || 모듈 타입 || 비트레이트 || 개발 || 표준화 || 적용 ||
GDDR 2.5 V 64 레인 300~950 Mbps 1998년 1999년 2000년
GDDR2 1.8 V 64 레인 400~1000 Mbps 2002년 2003년 2004년
GDDR3 1.8 V 64 레인 900~2484 Mbps 2003년 2003년 2004년
GDDR4 1.5 V 64 레인 1400~2252 Mbps 2005년 2005년 2006년
GDDR5 1.5 V 64 레인 3000~9028 Mbps 2007년 2008년 2008년
GDDR5X 1.5 V 64 레인 10008~11008 Mbps 2015년 2016년 2016년
GDDR6 1.35 V 64 레인 12000~15500 Mbps 2017년 2018년 2018년
GDDR6X 1.35 V 64 레인 19000~21000 Mbps 2020년 2020년 2020년


그래픽 성능이 향상됨에 따라 처리해야 할 데이터의 용량도 늘어났기 때문에 이를 받쳐줄 대역폭이 필요했다. 시스템 메모리에 사용되는 SDRAM이 DDR SDRAM으로 발전되었 듯이 그래픽용 메모리도 이와 비슷한 양상으로 발전하기에 이르렀다. 처음에는 DDR SGRAM으로 알려졌다가 지금은 GDDR SDRAM로 통용되고 있는데, 표준화 조직인 JEDEC에서는 GDDR SGRAM으로만 명시하고 있으므로 공식 명칭은 GDDR SGRAM이 맞다.

용도가 확실한만큼 성능 또한 GPU에 특화된 양상을 보여준다. GPU에서 가장 중요한 읽기/쓰기 속도는 일반 DDR 메모리와는 비교불허의 수준을 갖추었으나, 메모리의 지연시간도 엄청나게 늘어났다. 노스브리지 메모리 컨트롤러와 통상 DDR 메모리의 지연시간을 합한 것보다도 느릴 정도.

단, 이는 그래픽 카드의 특성에 맞추어 설계되었으므로 실제 GPU에서는 문제되지 않는다. CPU는 적고 빠른 코어 몇 개를 이용하여 연산을 진행하기에 캐시, 메모리, 스케쥴링 등이 시시각각 완료되어야 성능 문제를 막을 수 있지만, GPU는 수 백, 수 천 개의 코어들을 이용하여 연산을 수행하므로 메모리의 지연시간이 비교적 길어도 되기 때문이다.

2000년 지포스 256 DDR, 라데온 DDR (7200)을 통해 처음 출시되었으며, GDDR 이후로 성능과 전력 효율을 높이기 위해 DDR 기반의 GDDR2, DDR2 기반의 GDDR2(DDR 기반의 GDDR2와는 다른 규격)와 GDDR3, DDR3 기반의 GDDR4, GDDR5, GDDR5X, DDR4 기반의 GDDR6 순서로 발전했다. 각각 세대별 기술적인 호환성은 없다. 원래는 시스템 메모리의 DDR 규격과 구별하기 위해 그래픽용 DDR을 의미하는 GDDR로 표기되고 있지만 실제 제품에서는 G자를 빼고 사용되는 경우도 있다.

2003년까지는 GDDR을 주력으로 채용했다. 지포스 FX 5800 Ultra, 5700 Ultra 모델에서 DDR 기반의 GDDR2가 채용된 적이 있었지만 상위 모델이었던 FX 5900에서는 안정성이 있는 GDDR로 회귀할 정도로 전압 문제, 과열 문제가 심각했다. 이후 GDDR은 2004년에도 지포스 6800 노멀을 비롯한 일부 하이엔드 모델에서만 채용되었다가 2005년을 마지막으로 더 이상 채택되지 않았다.

2004년에 그래픽카드부터 중저가형은 DDR2 기반의 GDDR2 메모리, 중급형 이상은 DDR2 기반의 GDDR3 메모리가 적용되기 시작했고 2005년 늦가을에 출시된 XBOX360의 경우는 GDDR3 메모리를 CPU와 GPU가 공유하여 사용하는 특이한 구조로 설계되었다. 2006년부터 더 이상 GDDR이 채택되지 않게 됨으로써 DDR2 기반의 GDDR2와 GDDR3로 양분하고 있었다. 2005년에 GDDR4 메모리를 개발하여 2006년 늦여름에 ATi 라데온 X1900 시리즈 일부 모델에 처음 채택되었으나 기술적인 문제점으로 인해 성능이 GDDR3보다 그다지 향상되지 못했고 전력 소모의 급격한 증가 → 효율 저하로 이어져 널리 사용되지 못했다. NVIDIA는 DDR 기반의 GDDR2로 곤욕을 치른 경험이 있었기에 중급형 이상의 모델에서는 GDDR3에 올인하면서 GDDR4를 건너뛰었다.

2007년에 GDDR5 메모리가 개발되었는데 GDDR4에서 나타난 문제점들이 개선되고 DDR이 아닌 QDR이라고 불러도 좋을만큼 실효 클럭이 더블 펌핑이 아닌 쿼드 펌핑으로 작동하여 장기 집권할 수 있는 원동력이 되었다. 2008년 중반 AMD 라데온 HD 4000 시리즈의 일부 모델부터 채택되어 메모리 클럭이 750~900MHz(실효 클럭 3000~3600MHz)를 시작으로 2000~2250MHz(실효 클럭 8000~9000MHz)대까지 10년 동안 끌어올렸으며, 2016년에 마이크론 테크놀로지에서만 개발된 확장 규격인 GDDR5X가 출시되어 GDDR5와 같은 전압이지만 실효 클럭이 쿼드 펌핑이 아닌 옥타 펌핑으로 뻥튀기되면서 기존 GDDR5보다 훨씬 낮은 클럭으로도 10~11GHz의 실효 클럭을 보여주고 있다.

2018년에 GDDR6가 투입되면서 GDDR5X보다 더 낮은 전압으로 12~16GHz까지 더 높은 실효 클럭을 구현할 수 있다고 한다.

고도의 기술이 사용되는 만큼 가격도 매우 매우 비싸다. 초창기의 GDDR5 메모리는 일반 DDR3 메모리 가격의 10~15배 이상을 호가했고, DDR4 메모리 기준으로도 5~6배 이상의 가격을 자랑한다(...) 이 때문에 최근 그래픽카드 가격이 천정부지로 치솟는 원인으로 지목되기도 하는데, 실제로 보급형 라인의 그래픽 카드 가격에서는 가장 비싼 칩셋과 GDDR5 메모리 파트의 원가가 비슷하기 때문이다. 특히 메모리 반도체 시장을 주도하는 삼성전자가 장기간 이어져온 치킨게임을 끝내면서 메모리 반도체 가격이 배 이상으로 뛰고 있다.

그래픽카드의 세대가 거듭되면서 탑재된 메모리 용량이 대체로 증가되고 있는데 게임의 그래픽 옵션에서 가장 중요한 고해상도 텍스처를 불러오기 위해서는 그만큼의 그래픽 메모리 용량이 필요하다. 2019년 기준 엔트리 레벨의 그래픽 카드는 2~4GB, 메인스트림 그래픽 카드는 4~8GB, 하이엔드 및 플래그쉽 그래픽 카드는 8~16GB가 주로 탑재된다. 그래픽 전용 메모리의 가격이 결코 저렴하지 않다 보니 카드에 장착되는 GPU의 레벨과 더불어 각 레벨의 그래픽 카드 티어를 강제적으로 구분하고 있는 요소이다.

2020년 RTX 30시리즈가 발매되면서, RTX 3080, RTX 3090에 GDDR6X가 탑재되었다. 마이크론 테크놀로지가 공급하는데, 심각한 문제가 두 가지 있다. 첫째는 공급이 수요를 못따라가서 품귀 현상이 극심하고, 둘째는 메모리 발열이 지나치게 심하다는 점(100도를 넘는다)이다.

2021년 AMD 플레이스테이션 5에 들어가는 4700S APU 중 수율이 부족한 몇몇 APU들의 iGPU를 비활성화 한 후 4700S 데스크탑 키트로 판매하고 있다. 이 키트의 가장 큰 특이점은 GDDR6 메모리로 시스템이 작동한다는 것인데, 벤치마킹 일부에서 상술한 일반 DDR 메모리와의 차이점이 드러난다. 메모리 지연시간이 과거 메모리 컨트롤러가 CPU가 아닌 노스브리지에 탑재되던 시기의 펜티엄 D의 수준도 못 미치는 것이다. 실질적 시스템 작동에는 문제가 없는 수준이지만, 메모리 읽기/쓰기 속도에 전념한 메모리임을 다시 알려주는 셈이다.
4.1.2.5. HMC
2011년에 개발된 차세대 메모리로, 복수의 DRAM을 수직 방향으로 적층하는 방식. 메모리뿐만 아니라 CPU, GPU 같은 프로세서 위에서도 적층할 수 있어 컴팩트한 모습으로 더 많은 여유 공간을 확보할 수 있지만 열이 발생하는 부품들이 모두 한곳에 집적된 형태이기 때문에 발열에 민감해지며 성능을 끌어올리기엔 기술적인 난이도가 높아 이를 채택한 상용 제품이 아직까진 없는 상태. 인텔 제온 파이에 쓰였었으나, 인텔이 제온 파이를 버렸다.
4.1.2.6. HBM
2013년에 선보인 차세대 메모리로, SDRAM(DDR 계열 포함)과 RDRAM과는 완전히 다른 구조를 띤다. 먼저 개발된 HMC의 높은 난이도로 인해 메모리만 적층하는 것으로 절충된 규격으로써 대신에 적층된 메모리와 프로세서 사이를 연결하는 인터포저의 역할이 중요해졌다.

하이엔드~플래그쉽 그래픽 카드에 먼저 적용되었으며, 기존 GDDR SGRAM 대비 낮은 소비 전력과 작은 메모리 컨트롤러 및 물리 계층(PHY) 면적이라는 장점이 있어서 저전력 및 소형화에 유리하다. 문제는 아직 초기라서 그런지 그 인터포저의 제조가 상당히 까다로워서 이를 채용한 제품을 제조하는 업체들이 대량 생산에 어려움을 겪고 있다는 점. 당장은 도입하기 어렵지만 차후에 시스템 메인 메모리에도 적용될 가능성이 높다. 현재는 라데온 베가 라데온 7, TITAN V을 제외하면 아직은 탑재된 그래픽카드는 많이 없다.

자세한 내용은 HBM 문서 참조.

4.2. 비휘발성 RAM

Non-Volatile Random Access Memory. NVRAM

비휘발성 RAM은 기성의 반도체 제품을 제조하는 것과는 다른 소재와 공정이 필요하기 때문에 단가 자체가 비싸며, 연구개발도 개념 제안 정도에 머무르는 경우가 많기 때문에 개별 제품의 단위 용량 역시 보잘 것 없는 경우가 대부분이다. 현재는 주저장매체와 보조저장매체의 이원화된 시스템으로도 고도의 데이터 처리가 가능하기 때문에, 비휘발성 메모리 분야에 대한 거대자본의 투자가 미미한 편이다. 이 분야의 특허, 원천 기술 역시 미국의 IBM, 인텔 등이 독식하고 있다.

참고로 넓은 의미인 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)로 보자면 ROM 플래시 메모리마저 이 범주에 속하지만, 둘 다 NVRAM에 부합되지 않는다. ROM은 말 그대로 읽기 전용이고, 플래시 메모리는 특수한 CPU가 아닌 한 일반적으로 플래시 메모리용 CPU 내장 컨트롤러가 따로 없어서 메인 메모리용 RAM처럼 CPU에서 바로 읽기/쓰기 작업을 할 수 없기 때문.

4.2.1. MRAM

Magnetoresistive Random-Access Memory, 자기 저항 메모리

오래 전부터 연구가 진행되었으며, 실 사용이 가능한 샘플의 양산도 끝마쳤으나 특성상 소자의 크기를 줄이기가 힘들기에 고밀도화에 난항을 겪고 있다. 박막의 스핀배열이 평행/반평행인지에 따라 저항이 변하는 거대자기저항(GMR) 현상[29]을 이용한 소자이다.

2017년 4월, 삼성전자에서 파운드리 제품에 MRAM을 접목하기로 하였다. 출처

2019년 3월 7일 삼성전자에서 MRAM의 양산 시작을 발표했다 정확히는 Foundry제품에 embadded로 MRAM을 넣은 제품의 양산출하 시작이다. 즉 진작에 양산에 들어간 것. 출처 embedded 형식을 띠는 것으로 볼 때 사용처는 스마트폰 등의 저장장치, eFlash 등의 대용으로 보인다.

4.2.2. STT-MRAM

Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random-Access Memory

스핀 주입 기술을 응용한 MRAM의 일종이다. 현재 차세대 메모리의 표준이 될 것이라는 추측이 많다. 여타 다른 차세대 메모리 중 SRAM의 속도에 가장 근접한 비 휘발성 메모리이다. MRAM의 진화형(2세대 MRAM)으로 보는 시각도 있으며, MRAM의 특성을 그대로 따라간다.

삼성·IBM 합작 연구로 집적도를 11 nm 공정까지 줄이는데 성공하면서 수년 안에 양산할 계획이라 한다. #

4.2.3. PRAM

Phase-change Random Access Memory, PCM

컴퓨터 저장 매체로서의 상 변화 메모리는 전기적 특성에 반응하는 유리 물질인 칼코게나이트계 소재의 상 변화의 특징을 저장 매체의 메커니즘으로 활용한다. 칼코게나이트는 황으로 대표되는 16족인 칼코겐 원소와 상대적으로 음이온보다 양이온이 되기 쉬운 양전성 원소로 구성된 화합물로, 칼코게나이트계 어레이는 저마늄, 안티모니, 텔루륨의 혼합 재제로 만들어 지는 것이 흔하다. 이 제재로 제작된 칼코나이트계 어레이는 섭씨 600도의 온도까지 견딜 수 있어 내구성이 우수하고, 어레이 자체에 물리적인 힘이 가해지지 않는 이상 반영구적이다. 정적 상태에서는 유리질의 결정이 없어 0, 칼코게나이트계 유리질이 결정화되면 1의 값을 갖는다. 여기서의 결정은 전기적 자극으로 형성되거나 없어질 수 있으며, 전원이 차단된 후에도 변화값이 유지되기에 정보 역시 유지된다.

칼코게나이트계 상 변화 메모리는 1960년대부터 미국에서 연구되기 시작했다. 1969년, 아이오와주립대학에서 칼코게나이트계 유리의 특성이 메모리로서의 잠재적인 특성을 갖고 있다는 점을 발표했으며, 이듬해 다이오드 어레이를 이용한 칼코나이트계 필름 시제품을 발표했다. 1970년대부터는 영상, 사진 자료를 저장하는 칼코나이트계 제품이 나오기 시작했다. 1970년대 중반부터는 고든 무어에 의해 인텔 사에서 컴퓨터 저장 반도체 매체로서 본격적인 연구가 시작되었다.

1990년대부터는 상 변화의 특성을 이용한 초보적 제품들이 나오기 시작했다. 전자식 다이오드, 접합형 트랜지스터(BJT), 고속 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 같은 전류/신호 통제장치에 상 변화 어레이가 적용된 것이다. 2004년에는 한 미세전자기계시스템(MEMS)에 상 변화 어레이가 전면 채용되면서 어레이가 PRAM의 형태로 등장하였다. 이 시스템은 휴렛팩커드에서 제작했는데 총 125 GB의 용량을 지녔으며, 비휘발성 RAM의 조건인 속도가 고속이고, 전원이 차단되더라도 정보가 유지될 것을 완전히 충족하였다. 이러한 콘셉트는 IBM에 의해서 연구되고 있던 밀리페드 메모리 기술과 유사한 것이었다.

2006년에는 삼성이 64 MB 단일 PRAM 칩을 발표했다. 46.7 nm 공정으로 제작된 이 시제품은, 당시 용량 증량 문제로 어려움을 겪던 MRAM과 FeRAM과의 격차를 벌린 것으로 평가된다. 삼성이 시제품을 내놓자 인텔에서도 PRAM 개발에 박차를 가해, 2006년 10월 16 MB의 칩을 시제품으로서 발표했다. 2008년에는 ST마이크로일렉트로닉스가 인텔과 협력해 입체 구조의 PRAM을 발표했며, 2010년에는 인텔에서 알루미늄 안티모니 합금을 이용한 PRAM을 발표하며 PRAM 제조 단가를 획기적으로 낮추는 계기를 마련하였다.

2010년 삼성에서는 20 nm 공정의 8 Gbit 칩을 발표했고, 2012년에는 마이크론이 20년 이내에 모바일 기기에서 사용할 수 있을 정도의 PRAM 저장 매체를 양산하겠다고 발표해 PRAM의 본격적인 상업화에 드라이브를 걸었다. 2014년 IBM에서는 자사의 메인프레임 제품의 성능을 비약적으로 향상시킬 수 있는 새로운 I/O모듈을 발표했는데, 낸드 메모리와 PRAM을 함께 이용한 제품이었다. 2015년에는 인텔에서 칼코나이트계 어레이로 RAM을 시험 제작했는데, DDR3 규격의 SDRAM과 유사한 성능을 낼 정도로 성능 면 역시 우수하다. 같은 해, 인텔과 마이크론은 각각이 추진하던 PRAM 연구 개발 프로젝트를 합쳤고, 이 결과가 옵테인 메모리에 사용된 3D XPoint. 다만, 3D XPoint가 PRAM이라는 사실은 양사에서 이 개념을 발표한 지 한참 지난 뒤 연구 기관에서 제품을 뜯어 분석한 결과로 알려진 것이다.

4.2.4. RRAM(ReRAM)

Resistive Random-Access Memory, ReRAM, 저항 변화 메모리

부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 메모리. 일단 통로가 생성되면 적당한 전압을 가하여 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 페로브스카이트나 전이금속 산화물, 칼코게나이드 등의 다양한 재료를 이용한 RRAM이 개발되고 있다.

비휘발성의 특징을 가진 메모리로, SRAM과 달리 백업배터리가 불필요하다. 소비전력이 낮고 작은 칩사이즈로 소규모 패키징이 가능한 것이 장점이다.

EEPROM에 비해 고용량 집적화가 용이하며, NOR FLASH와 NAND FLASH에 비해 속도가 우수하다.

위와 같은 이유로 IoT 관련 제품이나 메디컬 분야, 물류, 보안 분야에서 자주 사용된다.

현재 후지쯔에서 12Mbit ReRAM을 출시하며 용량 부분에서 크게 개선된 점을 확인할 수 있다.

4.2.5. FeRAM (FRAM)

Ferroelectric RAM, FRAM, 강유전체

비휘발성 반도체 메모리라고는 EEPROM 밖에 없었을 때 혜성처럼 등장한 메모리.
  • 특징
    전원을 끄고도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성과, SRAM처럼 랜덤 액세스가 가능한 성질을 동시에 가지고 있는 차세대 메모리 중 한 부류. 데이터 유지에 배터리백업이 불필요하고, 타 비휘발성메모리에 비해 높은 읽기/쓰기속도 및 횟수[30], 낮은 소비전력, 덮어쓰기의 쓰기 방식을 특징으로 한다.
  • 원리
    강유전체 박막을 기억 소자에 사용하고 있으며, 대표적인 FRAM 제조사인 후지쯔의 FRAM의 경우 강유전체에 티탄산 지르콘산연을 사용한다. 지르코늄 또는 티타늄이온은 두 안정점이 외부의 전계에 의해 그 위치를 바꾸는 성질(강유전성)이 존재한다. 따라서, 한 번 어느 안정점에 위치하게 되면, 전자를 없애고도 위치가 바뀌는 일이 없다. 즉, 분극 상태가 기억된다. 강유전체 박막의 상하에 전극을 만들어 캐패시터를 구성하고, 전극 전압과 분극량을 플롯하게되면 히스테리시스를 얻게 되며 1또는 0을 기억하게 된다. 이러한 휘발성의 성질을 이용한 메모리이다. 따라서 불량이 굉장히 드물게 일어나며[31] 안정성에서 탁월하다.
  • 역사
    과거 비휘발성 메모리를 만드는 다른 방법은 데이터를 SRAM에 백업하는 것 밖에 없었고 SRAM은 배터리와 함께 사용되어야 하기 때문에 메모리부의 비용이 높아진다는 문제가 있었다. 차선책으로는 EEPROM이 있었지만, 트랜지스터 게이트 산화막을 매우 얇게 만들어야 한다는 것과 데이터의 수정에는 높은 전압이 필요하다는 것 이 두가지의 단점이 존재했다. 이때 등장한게 바로 이 FeRAM. 1987년 IEDM와 1988년 ISSCC에 발표된 두개의 프로토타입을 시작으로 점차 개발되기 시작했다. 처음에 나왔을 때에는 512비트와 256비트의 용량을 가지고 있었지만 1989년에는 16Kbit로 뛰었으며 10년의 데이터 보존 기간과 109의 I/O 수명을 가지고 있었을 정도이다.
  • 한계와 극복
    과거 양산에는 어려움이 있었는데, 1996년 1Mbit의 용량을 달성했지만 양산은 2Kbit밖에 가능하지 않았으나, 꾸준히 개발을 하여 현재 8Mb까지 양산이 진행 중이다. 미세 공정화의 한계가 있는데, 강유전체 재료에서 박막을 얇게 하면 분극의 양이 급속히 떨어지는 현상인 크기 효과로 공정 미세화가 제한적이나, 초미세공정을 사용할 경우 품질적인 문제가 발생할 수 있기에 자동차 등에 사용되는 라인업의 경우, 과도한 미세공정화가 필요하지 않다. 또한, 2011년 신소재의 발견으로 인해 박막을 얇게 만들어도 강유전성을 유지할 수 있는 방법이 발견됨에 따라 다시 반도체 업체들의 급격한 관심을 받고 있는 중이다. 현재 Fujitsu Memory Solution( 후지쯔 세미컨덕터; FSM)에서 1999년부터 FRAM이 양산되어 30억개 이상 판매되고 있다.[32]
  • 사용 범위
    현재 FRAM의 Writing Cycle은 10나노초로, 전력 차단과 같은 급박한 상황에서도 최후의 순간까지 거의 대부분의 데이터를 찰나단위로 기록할 수 있다. 따라서, 마지막의 마지막 순간까지 기록이 필요한 E-Call (Emergency Call)을 비롯한 자동차의 기록계 등에 우선적으로 채용되고 있다. 또한, 압도적으로 높은 안정성을 기반으로 -55°C부터 125°C까지 폭넓게 지원되는 라인업이 형성되어 있어, 극한지와 고온 환경에서의 안정적인 동작을 보증한다. 그 외에도 주로 레코더, 미터기, 유량계 등 기록을 요하는 제품이나, HUD[33], TPMS[34] 및 AVN[35]등의 인포테인먼트와 같은 차량용 제품에 채용되거나, CNC, 엘리베이터 등 산업용 기기의 제어반이나 의료기기, RFID, 로봇 등에 사용되고 있다.

5. 가격 변동

램은 굉장히 가격 변동이 심한 편이다. 매년 성능이 업그레이드되고 기능과 외형이 변화하는 다른 컴퓨터 부품들에 비해 램은 한번 규격을 정해놓고 생산하기 시작하면 다음 규격제품이 대중화 되기 전까지 동일한 제품을 일관되게 생산해서 판매하기 때문에 공산품이라기보다는 원자재에 가까운 부품이기 때문이다. 거기에 더해 다른 원자재와 달리[36] 생산라인이 극도로 편중되어 있어서(2020년대 기준 삼성전자, 하이닉스, 마이크론 3사 점유율이 90%가 넘음) 외부요인에 대단히 크게 출렁인다.

또 신제품이 출시되도 이전 제품과 성능과 가격을 비교해가며 무슨 제품을 사는 것이 소비자에게 얼마나 더 이득인지 계산하는 과정에서 가격대가 저절로 유지되는 CPU 그래픽 카드와는 달리 램은 제품에 상관없이 용량과 성능이 거의 일정하기 때문에 이러한 과정 없이 즉각적으로 가격에 변화가 일어난다.

램은 컴퓨터를 구성하는데 필수적인 부품이면서도 이에 대한 수요는 시장상황에 따라 굉장히 변화무쌍한데, 램을 생산하는 회사의 총 생산량은 거의 변하지않으므로 수요와 공급에 따라 가격이 빠르게 변화한다. 많은 사람들이 컴퓨터를 교체하는 시기나[37] 대기업 회사들이 서버확충 등을 위해 컴퓨터 자원을 대량으로 구축하려고 할 때 등의 시기에 램의 가격이 굉장히 비싸지고 반대로 무난한 시장이라면 생산업체들의 가격경쟁으로 인해 점차 가격이 내려가며 안정화된다. 가장 많이 소비되는 삼성 DDR4 8GB 램을 기준으로 보면 가장 저렴했을 때의 가격이 2020년 8월 28,300원이었을 때에 반해 가장 비쌌을 때는 2017년 10월 16일 무려 148,290원으로 동일한 제품의 가격이 시기에 따라 무려 5배가 넘는 가격 차이를 기록했다.

5.1. RAM 생산 업체 간의 가격 경쟁

수년 주기로 반도체 업체들 간에 치킨 게임이 반복되고 있다. 가장 최근의 치킨 게임은 2016년 중반 저점을 치며 끝났고 2019년 현재 다시 치킨 게임이 시작된 듯 하다. 이렇게 수년 주기로 치킨 게임이 반복되면서 삼성전자, SK하이닉스, 그리고 마이크론 테크놀로지 세 개 기업이 십여년째 시장을 과점하는 중이다.

한편, 실제 컴퓨터 시장이 큰 미국이나 유럽에서 쉽게 볼 수 있는 램 제조업체들은 팀그룹, GeIL, 지스킬 등 이며 오히려 삼성이나 하이닉스는 드물다 보니 "정말 우리나라가 점유율이 높은거냐?" 라고 의심하는 경우가 종종 있지만, 실제로는 그렇지 않다. DRAM에서 결국 가장 중요한건 DRAM칩(모듈)이며, DRAM 완제품 회사들은 DRAM칩을 가져다 기판 위에 컨트롤러와 함께 조립해서 DRAM 완제품을 생산할 뿐이다. 결국 대부분의 DRAM 완성품 업체들은 삼성전자, 하이닉스, 마이크론 3사의 DRAM 모듈을 가져다 만드는 것이고 DRAM칩에 적힌 생산회사를 보면 위 3사이다. 커스텀이나 수율 좋고 성능 좋은 제품들은 결국 상기한 기업들 에서 만든 모듈 중에 수율이 좋은 모듈들을 선별하여 만들 뿐이다. 덧붙여 여기서 삼성과 하이닉스의 점유율을 합하면 75%에 달하고, 마이크론이 20% 수준이라 이 세 기업만으로 점유율 95%에 달한다. 즉, 한국과 미국 외에는 발도 들이밀지 못하고 있는 상황.[38]

여하튼 이러한 치킨게임의 결과 DRAM 시장은 한국 회사들이 꽉 잡고 있는 상태가 유지되고 있다. 메인보드 시장을 대만 회사들이 꽉 잡고 있는 것과 비슷하지만, 여기서 중요한 것은 메인보드 시장은 RAM 시장의 규모 및 부가가치에 상대가 안된다는 점이다. 상기에도 썼듯이 삼성전자나 SK하이닉스는 완제품 DRAM도 만들지만, 단순히 칩셋을 가져다가 DRAM을 조립해서 만들기만 하는 회사가 아니라 DRAM칩을 직접 생산하는 것의 의의가 크며 메인보드는 각 필요한 부품과 칩셋을 가져다가 기판에 조립하는 것에 가깝다. 물론 좋은 메인보드를 만드려면 당연히 노하우나 그에 따른 기술력도 필요하지만, 의외로 노동집약적인 경향이 있고 저부가가치의 산업인 편으로 애당초 사업 규모나 이익 레벨에서 메모리 반도체 영역과 비교가 안된다. 메인보드 시장에서 꽤나 잘나가는 ASUS, GIGABYTE, MSI 등 대만 기업들의 시가총액이나 매출액, 영업이익[39]은 애당초 삼성전자의 반도체사업부만 떼놓고 봐도 그렇고 SK하이닉스보다도 훨씬 떨어진다. 어느정도 차이냐면 저 세 곳의 시가총액을 합해도 SK하이닉스 하나를 못이긴다는 것. 오히려 대만에서 알짜로 볼만한 것은 파운드리 업계에서 1인자를 차지하고 있는 TSMC 정도이다.[40]

반복되는 치킨 게임의 결과 다른 회사들이 다 망하고 위 세 개 기업들이 전 세계 램 시장을 거의 장악하는 상황이 지속되자 소비자들에게는 진정한 재앙이 시작되었다. 램값이 무시무시하게 폭등하기 시작한 것이다. 1년 만인 2017년 여름 램값은 네 배 가량 대폭등했다. 라이젠과 커피레이크 등 고성능 CPU가 속속 출시되었지만 램 값이 비싸도 너무 비싸 시스템을 새로 맞추는 것을 엄두도 못내는 상황이 되었다. 커피레이크 i5-8400이 벌크로 19만원대, 하스웰 i3를 뛰어넘는 성능의 G4560(카비레이크)가 벌크로 5만 원대에 판매되고 있는 있는 와중에 이에 맞는 시스템을 구축하기 위해 16G 램을 구입하는데 20만 원이 넘게 드는 어처구니 없는 상황이 도래하고 말았다.

참고로 위 3사 외에도 GEIL이나 G.SKILL, TeamGroup 같은 고성능 튜닝램 브랜드도 있다. 물론 이경우는 상기에 쓴 대로 직접 생산이라기보단 모듈을 갖고와서 수율 좋은 놈으로 튜닝램 제품을 만들어 내는 것이 보통. 가격이 싼 타무즈나 메모리를 직접 생산하면서 튜닝램까지 만드는 크루셜( 마이크론 테크놀로지), 에센코어(하이닉스) 등도 있다. 성능 자체는 나쁘지 않으나 점유율은 상당히 낮다.

2005년 5월부터 2009년 9월까지만 해도 SDRAM 시장 주력은 DDR2였으나, 2009년 9월 이후부터는 DDR3가 시장의 주력으로 전환되었고, 2014년에 DDR4가 도입되었을 때에도 여전히 DDR3가 주력이었다. 2017년에 들어서야 DDR4가 시장의 주력으로 전환되었다.

과거에도 무시무시한 치킨 레이스가 벌어졌던 부품으로, 2011년 초에는 DDR3 PC3-10600 SDRAM 2GB 제품이 2만 원대 초반의 가격이었지만, 1년도 지나지 않아 동년도 4분기에는 DDR3 PC3-10600 SDRAM 4GB의 가격이 2만 원 밑으로 떨어지기도 했다. 2012년 1월 현재 시스템 램 용량을 8GB 이상으로 구성하더라도 가격 부담이 아주 적었다.

그런데 2012년 2월 말, 세계 3위 반도체 기업 엘피다 메모리가 파산 신청을 하면서, 램 가격이 오르기 시작했다. 사실상 한국 기업인 삼성전자와 하이닉스가 치킨 레이스에서 승리한 셈. 이 소식이 전해지자 가격이 하루 만에 몇 천 원씩 오르기도 했다.

삼성전자에서 DDR4 DRAM을 개발했다고 한다. 2012년부터 양산한다고 했다. #

삼성전자에서 2013년에 반도체 투자를 대폭 축소한다는 기사가 나왔다. # 2012년 대비 30% 이상 줄인다고 했다.

2017년 후반기 들어 램값이 폭등하면서 램 16GB짜리 시스템을 맞추는데 램값만 20만원이 넘게 들어가는 배보다 배꼽이 큰 사태가 발생했다. 이는 DDR3 SDRAM라고 다르지 않지만, DDR3 PC3-10600 SDRAM 8 GB는 여전히 3만 원 후반대를 유지중이다. DDR3 PC3-12800 SDRAM은 12만 원을 넘나든다. 급하게 램 증설이 필요한 DDR3 유저들의 마지막 희망줄이다. 이것도 8~9월 이후로는 12800이나 10600이나 가격차가 없다. 애초에 DDR3 PC3-10600 SDRAM 8GB는 매물 자체가 거의 없다.샌디브릿지, 아이비브릿지 때문이네

2017년 10월 즈음부터 삼성전자와 하이닉스가 중국 반도체 업체를 막기 위해 치킨 게임을 시작하면서( 관련 기사) 램 값이 엄청난 속도로 떨어지기 시작했다가 2018년 상반기에는 또다시 상승하여 삼성전자 및 하이닉스 등이 사상 최대 실적을 기록, 2019년부터 2020년까지는 수요주기의 소강기 및 코로나의 영향으로 안정화되는 등 올랐다 내렸다의 반복이 어이지고 있다.

자세한 가격 변동은 하단 내용을 참고.

5.2. 가격 변동의 역사

빨간색: 연중 최고가  /  파란색: 연중 최저가
【 2017년 이전 】
2013년

2013년 3월 6일 기준 4기가 램이 19,000원에서 4만 2천 원으로 두 배 이상 뛰었다. 2013년 6월 23일 기준으로 삼성전자 메모리를 알아보면 2GB 메모리는 25,000원대, 4GB는 45,000원대 8GB는 무려 110,000원대였다.

2013년 7월 23일 기준 DDR3 12800 4GB가 3만 7천 원대, 10600이 3만 8천 원대였고, DDR3 12800 2GB는 1만 7천 원, 10600은 2만 4천 원대였다.

2013년 9월 5일 SK하이닉스 중국 공장에 화재가 발생하여 그 여파로 D램 가격이 올랐다.

2014년

치킨 게임이 끝나고 업체들의 담합이 시작되었는지 2014년에는 DDR3 12800 4GB가 몇 달째 37,000원에서 변하지 않았다.

2014년 하반기에 DDR4가 출시됐다. 출시 초기라서 그런지 동일 용량 기준으로 DDR3의 2배 가격이다.

2014년 6월, 삼성에서 DDR4 램의 가격을 낮추는 동시에 DDR3도 낮추었다. DDR4는 8GB기준 77,000원 DDR3는 58,000(!!)

2015년

2015년 7월 14일, DDR3 램의 가격이 전체적으로 내려간 상태. 4GB가 25,000원으로 거의 3~4년 전으로 돌아갔다.

2015년 8월 10일, DDR4 램의 가격이 8GB에 69,000원이며 DDR3은 56,000원이다.

2015년 10월 16일, DDR4 램의 가격이 지속적으로 떨어지는 중이다. DDR4 램은 8GB에 49,200원이며, DDR3 램은 8GB에 42,400원에 구입할 수 있다.

2015년 10월 20일 즈음하여 DDR3와 DDR4 16GB 램이 시중에 팔리고 있다. 가격은 115,000원 내외이며 최근 출시되는 Z170 보드가 64GB까지 램 지원이 가능하므로 이를 이용해 정말 64GB까지 램 구현이 가능해졌다.

현재는 수요를 공급이 못 따라간다는 점, 2D 낸드를 3D 낸드로 전환하는 기간이라 그런지 램값이 매우 높은 편.

2016년

2016년 2월 9일, 8GB DDR3 램의 가격은 37,000원, DDR4 가격은 약 40,000원이다.

2016년 6월 5일, 8GB DDR3가 30,900원, DDR4가 30,200원이 되면서 DDR4가 DDR3보다 더 가격이 낮아졌다.

2016년 7월 7일, 8GB DDR4의 가격이 갑자기 4만 원으로 폭등했다.

2016년 10월 22일, 8GB DDR4의 가격이 5만 원대 초반으로 이전보다 더 비싸졌다!

2016년 10월 30일, 8GB DDR3 약47000 DDR4 47000 같은 가격이다. 가격이 내려가지 않는다.

2016년 11월 15일, 8GB DDR4 50000 이상.

【 2017년 】
2017년 1월 01일, DDR4 8GB의 가격은 65,000원으로 서서히 상승세를 보이고 있다.

2017년 1월 26일, DDR4 8GB의 가격은 68,000원으로 꾸준히 상승세를 보이고 있다.

2017년 5월 27일, DDR4 8GB의 가격은 63,300원으로 약간 떨어졌다.

2017년 7월 11일, DDR4 8GB의 가격은 78,000원~87,000원으로 폭등했다.

2017년 8월 24일, DDR4 8GB의 가격은 93,976원이다.(평균가)

2017년 9월 23일, DDR4 8GB의 가격이 드디어 10만 원을 찍었다!

2017년 9월 28일, DDR4 8GB의 가격은 109,660원이다.(최저가)

2017년 10월 13일, DDR4 8GB의 가격은 139,500원을 찍었다…

2017년 10월 15일, DDR4 8GB의 가격은 140,090원을 찍었다. DDR4 16GB는 무려 272480원.

2017년 10월 16일, DDR4 8GB의 가격은 148,290원을 찍었다. 현재까지 기록된 가장 높은 8GB 가격이다.

2017년 10월 23일, DDR4 8GB의 가격이 127,100원으로 내렸다!

2017년 10월 28일, DDR4 8GB의 가격은 97,900원이다.

2017년 11월 04일, DDR4 8GB의 가격은 95,700원이다. 1달도 안 된 사이에 5만 원가량이 떨어진 것이다!

2017년 11월 09일, DDR4 8GB의 가격은 84,700원이다.

2017년 11월 12일, DDR4 8GB의 가격은 82,450원이다.

2017년 11월 16일, DDR4 8GB의 가격은 98,650원이다. 수능 막바지 시즌이라 잠깐 가격이 오른 것으로 추정된다.

2017년 11월 17일, DDR4 8GB의 가격은 96,080원이다.

2017년 11월 18일, DDR4 8GB의 가격은 88,000원이다. 다시 8만 원대로 내려가고 있다. 가격이 내려가고 있는 건 수요가 줄거나 공급이 늘어서가 아니라 삼성전자의 D램 증산 소식 때문으로 보인다.

2017년 11월 25일, DDR4 8GB의 가격은 84,000원이다.

2017년 12월 05일, DDR4 8GB의 가격은 83,100원이다.

2017년 12월 18일, DDR4 8GB의 가격은 85,200원이다. 떨어질 생각을 안 한다.

2017년 12월 24일, DDR4 8GB의 가격은 84,700원이다.

【 2018년 】
2018년 1월 05일, DDR4 8GB의 가격은 88,000원, 16GB의 가격은 172,000원이다. 18년이 되면 램 가격이 30% 오른다는 소문이 돌았으나 그 소문은 틀린 것으로 보인다.

2018년 1월 09일, DDR4 8GB의 가격은 91,730원이다.

2018년 1월 19일, DDR4 8GB의 가격은 88,320원, 16GB는 ECC 183,200원, Non-ECC 196,900원이다. 희한하게도 8GB 19200이 17000보다 싸다.

2018년 2월 23일, DDR4 8GB의 가격은 93,570원, 16GB의 가격은 192,240원이다.

2018년 3월 11일, DDR4 8GB의 가격은 83,000원, 16GB의 가격은 177,300원이다.

2018년 4월 05일, DDR4 8GB의 가격은 81,400원, 16GB의 가격은 170,200원이다.

2018년 4월 24일, DDR4 8GB의 가격은 80,100원, 16GB의 가격은 167,200원이다.

2018년 6월 02일, DDR4 8GB의 가격은 79,200원, 16GB의 가격은 163,800원이다.(19200 기준)[41]

2018년 6월 05일, DDR4 8GB의 가격은 79,000원, 16GB의 가격은 163,500원이다.

2018년 6월 16일, DDR4 8GB의 가격은 77,700원, 16GB의 가격은 162,500원이다.

2018년 6월 25일, DDR4 8GB의 가격은 79,600원, 16GB의 가격은 161,400원이다.(19200 기준) 8GB 램은 어쩐 일인지 다시 오르고 있다...

2018년 7월 26일, DDR4 8GB의 가격은 77800원(현금), 82070원(카드), 16GB 가격은 159900원(현금), 170260원(카드) (19200 기준). 6월 말~7월 초까지 잠깐 올라갔다가 이제서야 6월 중반과 비슷한 가격으로 돌아왔다.

2018년 9월경 인텔의 CPU 공급 부족으로 인한 CPU 가격 폭등으로 노트북의 생산량이 줄어들고, 그에 따라 노트북에 장착될 RAM도 갈 곳을 찾지 못 하고 시장으로 나와 램 가격이 하락할 것으로 전망된다.

2018년 9월 보급형 ESSENCORE KLEVV 시리즈가 등장하며 8GB 가격을 67000원대로 확 낮췄다.

2018년 11월 24일 삼성 DDR4 8GB 가격은 67600원, DDR4 16GB 가격은 136,000원이다.

【 2019년 】
  • 2019년부터 삼성 DDR4램에 B다이가 단종되고 T다이가 추가되었다. 따라서 삼성램의 구매 이유 중 하나인 램오버가 잘 안 되어 구매할 이유가 줄어들었다 삼성 램 다이 설명 인텔 기준 국민오버 정도는 되지만 AMD에서는 국민오버도 어렵고 과거 삼성 B C다이보다 더 쳐진다. 가격 대비 에쎈코어 클레브 램이 더 유리하다.

2019년 1월 06일, DDR4 8GB 19200의 가격은 66,000원, 21300은 64,600원이다. 2666MHz(21300) 제품이 2400MHz(19200) 제품보다 가격이 싸졌다.

2019년 1월 21일, DDR4 8GB 21300의 가격은 59,980원이다.

2019년 2월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격은 55,300원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 2월 13일, DDR4 8GB 21300의 가격은 53,900원이다.(다나와 기준)

2019년 2월 27일, DDR4 8GB 21300의 가격은 55,000원(현금)이다.(다나와 기준)[42][43]

2019년 3월 06일, DDR4 8GB 21300의 가격은 48,900원이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 4월 05일, DDR4 8GB 21300의 가격은 43,200원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 5월 28일, DDR4 8GB 21300의 가격은 38,000원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 6월 11일, DDR4 8GB 21300의 가격은 34,400원(현금), 16GB는 72,800원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 6월 25일, DDR4 8GB 21300의 가격은 30,700원(현금), 16GB는 65,600원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 7월 02일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,800원(현금), 16GB는 60,600원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 7월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격이 43,500원(현금), 16GB는 82,000원(현금)으로 갑자기 폭등했다.[44](삼성램, 다나와 기준)

2019년 10월 17일, DDR4 8GB 21300의 가격은 32,910원(현금), 16GB는 66,040원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 10월 29일, DDR4 16GB 21300의 가격은 무려 60,150원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 11월 18일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,600원(현금), 16GB는 67,410원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

【 2020년 】
2020년 1월 17일, DDR4 8GB 21300의 가격은 42,410원(현금), 16GB는 86,700원(현금)으로 또다시 폭등했다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 2월 19일, DDR4 8GB 21300의 가격은 35,500원(현금), 16GB는 70,900원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 3월 15일, DDR4 8GB 21300의 가격은 39,650원(현금), 16GB는 77,800원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 3월 30일, DDR4 8GB 21300의 가격은 36,100원(현금), 16GB는 70,500원(현금), 32GB는 144,000원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 4월 1일, DDR4 8GB 21300의 가격은 44,180원(현금), 16GB는 84,630원(현금), 32GB는 173,450원(현금)으로 다시 올랐다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 4월 14일, DDR4 8GB 21300의 가격은 34,600원(현금) 16GB는 68,600원(현금)으로 재폭락. (삼성 램, 다나와 기준) 삼성도 25600의 출시를 앞둔 상황이기 때문에[45] 가격이 하향평준화 되고 있다.

2020년 4월 27일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,700원(현금) 16GB는 66,300원(현금)으로 완만한 하락세를 이어가고 있다. (삼성램, 다나와 기준)

2020년 5월 12일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,710원(현금) 16GB는 65,800원(현금)이다. (삼성램, 다나와 기준)

2020년 5월 31일, DDR4 8GB 21300의 가격은 32,500원(현금) 16GB는 64,700원(현금)이다.

2020년 6월 18일, DDR4 8GB 21300의 가격은 32,200원(현금) 16GB는 65,000원(현금)이다.

2020년 7월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격은 31,290원(현금) 16GB는 63,490원(현금)이다.

2020년 7월 28일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,980원(현금) 16GB는 59,500원(현금)이다.

2020년 8월 4일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,890원(현금) 16GB는 58,100원(현금)이다.

2020년 8월 6일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,600원(현금)이다.

2020년 8월 7일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,500원(현금) 16GB는 57,600원(현금)이다.

2020년 8월 7일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,400원(현금) 16GB는 57,400원(현금)이다.

2020년 8월 11일 오전 2시, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,390원(현금)이다.

2020년 8월 11일 오후 2시, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,300원(현금) 16GB는 57,200원(현금)이다.

2020년 8월 12일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,500원(현금) 16GB는 57,100원(현금)이다.

2020년 9월 27일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,900원(현금) 16GB는 54,400원(현금)이다. 이유를 알 수 없지만 16기가가 심각하게 싸졌다.

2020년 10월 1일, DDR4 8GB 21300의 가격은 31610원(현금) 16GB는 54,140원(현금)

2020년 12월 5일, 전일 마이크론 램 공장 정전 사태를 빌미로 판매상이 물량을 묶고 담합하여 삼성 DDR4 8GB 21300의 가격이 불과 3일전 28,480원에서 하루만에 32,890원으로 급등, 삼성 DDR4 8GB 25600은 4만원을 돌파했다. 마이크론 DDR4 8GB 25600 또한 31,450원에서 34,500원으로 하루만에 급등했다. 한편 이 사태가 실제 공급량에는 거의 영향을 주지 않은 것으로 분석되어 커뮤니티 각지에서는 용팔이들의 소행으로 추측하고 있다.

【 2021년 】
2021년 6월 15일, 삼성전자 DDR4-3200 (8GB)의 가격은 39,280원(카드), 삼성전자 DDR4-3200 (16GB) 80,500원(현금) 83,520(카드)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2021년 6월 15일, 마이크론 Crucial DDR4-3200 CL22 (8GB)의 가격은 35,700원(현금), 35,810원(카드), 마이크론 Crucial DDR4-3200 CL22 (16GB) 77,620(카드)이다.(삼성램, 다나와 기준)

6. 주소할당 문제

항목 참조

7. 기타

  • 마이크로소프트에서 Windows XP 서비스 팩 2 출시 때 4 GB 이상의 메모리 지원 여부를 검토하였다. 윈도우 95는 32비트 OS임에도 메모리 최대 인식 용량이 768 MB[46]이다. 그 이상인 경우 메모리 부족이라는 에러 메시지가 뜨며, INI 파일 수정을 통해 메모리를 768 MB로 제한하여야 한다. MS의 예측보다 하드웨어가 빠르게 발전한 것이 이유다. 사실 이건 Windows 9x가 가진 구조의 문제다. 애당초 당시 프로그램 호환성 환경상 16비트 코드도 달고 가야 했던 탓이다. 그리고 얼마 뒤 2005년에 MS는 윈도우 XP의 x64 버전을 출시하였다.[47]
  • 램에는 용량 뿐 아니라 데이터 전송 속도도 중요한데, 램을 여러 개 꽂을 때 전송 속도가 다르면 낮은 쪽에 맞춰진다. 예를 들어, 1333 MHz 클럭의 DDR3 램을 사용하다가 1600 MHz 클럭의 램을 추가하게 되면 1333 MHz로 다운클럭하여 동작한다.[48] 업그레이드할 때 주의. 데이터 전송 속도는 램의 모듈 네임으로 알 수 있다. DDR3 영문 위키 아래에 모듈 네임과 전송 속도 표가 있다.
  • RDRAM/DDR 램부터는 싱글 채널과 듀얼 채널, 트리플 채널, 쿼드 채널 등 램을 묶어 대역폭을 증가시키는 기술이 채용되었으며 일반적인 컴퓨터에서는 듀얼 채널까지 지원한다. 채널은 같은 용량에 같은 모델인 램끼리 장착했을 때 활성되며 만약 앞의 조건에 부합하지않는다면 싱글 채널, 혹은 플렉스 모드로 동작한다. 같은 모델이라면 제조주차나 생산 팹에 상관없이 호환된다. 인텔 기술 지원 해당 내용 영상, 클리앙 게시글.
    예를 들어 4 GB DDR4 17000와 4 GB DDR4 19200을 같이 장착하면 4 GB DDR4 17000이 2개 끼워진 듀얼 채널로 인식하지만 4 GB DDR4 19200과 8 GB DDR4 19200을 같이 장착하면 4 GB DDR4 19200 2개 끼워진 듀얼 채널과 4 GB DDR4 19200이 1개 끼워진 싱글 채널, 즉 플렉스 모드로 인식한다.
    • 제조사나 단면/양면 여부는 일치하지 않아도 상관없다. 타이밍 역시 가장 느슨한 쪽으로 맞춰지므로 일치하지 않아도 상관없다. 다만 컴퓨터가 오래되었거나 일부 특수한 메인보드는 제대로 인식하지 못하는 경우도 있어 동일한 제품으로 맞추는 것이 좋기는 하다. 안정성을 중시하는 서버나 워크스테이션 역시 동일한 조합으로만 맞춘다.
  • 듀얼 채널 메모리를 구성하면 메모리를 많이 이용하는 작업에서 약간의 속도 향상을 기대할 수 있다. 따라서 가능하면 듀얼 채널로 구성하는 것을 권장하며, 특히 메인 메모리를 공유하게 되는 내장 그래픽은(인텔 HD 그래픽 제품군이나 AMD APU 제품군) 듀얼 채널 구성 시 싱글 채널 대비 거의 40%의 성능 향상을 보여주기도 하므로 내장 그래픽을 사용할 경우 크게 어려운 상황이 아니라면 필히 듀얼채널로 구성하도록 하자. ( LGA 1366소켓을 사용하는)코어 i7 900대라면 트리플 채널도 지원한다. 거기에 한술 더 떠서 샌디브릿지 이후의 코어 i7 익스트림, 코어 X 제품군(일부 제외), 스레드리퍼 등은 쿼드 채널을, 제온 스케일러블 제품군은 헥사 채널, 에픽 제품군은 옥타 채널까지 지원한다.
  • ECC(Error Correction Code) 램이라는 서버/워크스테이션용 램이 존재하며, 메모리 관련 에러를 검출/수정할 수 있어 장기간 컴퓨터를 켜야 하거나 안정성이 요구되는 곳에 주로 사용된다. 일반램과 다른 점이라면 칩이 3, 5배수로 이루어져있다. 즉 칩이 9개/10개라면 ECC램이라는 뜻. ECC가 적용된 램은 UDIMM(Unregistered DIMM)[49], RDIMM(Registered DIMM)[50], LR-DIMM (Load Reduced-DIMM)[51], 3DS(3D-Stacked) LRDIMM[52] 등의 종류가 있으며, 현재 일반 램보다 더욱 높은 용량과 비싼 가격으로 유통되고 있다. ECC를 지원하는 일반인용 CPU로는 코어 i3 이하[53], AMD RYZEN 시리즈[54] 등이 있다. 그리고 DDR5 규격부터는 모든 램에 ECC를 기본으로 탑재하나 이는 기본적인 오류보정일 뿐, RDIMM/LRDIMM은 DDR5에서도 존재함으로써 근본적인 환경차이가 사라지지는 않게 된다.
  • 20세기에는 램 값이 같은 중량의 값을 가뿐히 넘었다.[55] 당장 1990년대 중반~말엽까지는 PC의 가격 중 무려 절반이 램 값이었고, 중고 시세도 좀처럼 떨어지지 않았다. 그래서 항상 프로그램이 요구하는 용량보다 적은 용량만 간신히 구입해서 컴퓨터에 달 수 있었다. 이런 이유로 인해 하드디스크의 일정 영역을 램처럼 사용하는 가상 메모리 등의 기술이 만들어지게 된다. 하지만 램 가격은 빠르게 하락했고, 수백 MB~2 GB 정도의 램 용량이 주로 사용되던 시기에는 새 컴퓨터 본체를 구입할 만한 비용이 없을 경우, 비어있는 램 소켓을 채울 겸 램만 추가로 구입하는 업그레이드를 하는 경우도 많았다. 기술 발달에 따라 가격이 계속 하락하면서 2013년에 GB당 5천 원 시대가 도래해 역사상 저점을 찍었으나, 그 이후부터는 소비자의 고용량화 추세가 꺾이고 제조사들의 치킨게임이 종료되면서 2020년까지도 도통 더 떨어지지 않는 것이 램값이기도 하다.
  • 32비트 CPU, 또는 64비트 CPU를 사용하더라도 32비트 Windows를 사용하는 경우, 시스템에서 사용할 수 있는 최대 램 크기는 4 GB이다. 2004년 6월 출시된 LGA 775소켓의 인텔 펜티엄4 프레스캇 이후 출시한 대부분의 인텔 x86 CPU는 64비트 명령을 지원한다. 그러므로 2017년 기준으로 32비트 CPU라면 사실상 고물상에서나 볼 수 있다. 그러므로 시스템의 램을 4 GB 이상 증설하고 싶다면 자신의 시스템이 64비트 시스템이 맞는지 반드시 미리 확인해야 한다. PAE로 인해 32비트 운영체제도 4 GB 이상을 액세스하는 게 불가능하지 않다. Windows가 지원을 안할 뿐. 32비트 PAE 커널을 사용하는 리눅스 배포판들은 모두 4 GB 이상 잘만 인식한다. 현재에 들어서 웬만한 컴퓨터에서는 64비트 OS를 사용하고 있을 것이다. 인텔 네할렘 마이크로아키텍처 기반의 1세대 코어 i 시리즈 중 2009년 9월에 출시된 린필드 CPU를 기점으로 4 GB 2장으로 구성하는 사용자들이 본격적으로 많아지기 시작했고[56], 2015년 8월에 출시된 인텔 스카이레이크 마이크로아키텍처 기반의 6세대 코어 i 시리즈부터 4 GB 2장 구성이 기본이 됨에 따라[57] 8 GB를 모두 활용할 수 있는 64비트로 자연스럽게 옮겨갔다. 특히, 2016년에 출시된 오버워치랑 2017년에 출시된 배틀그라운드가 64비트 시스템을 필수적으로 요구했기 때문에 아직도 32비트 시스템에 머물고 있던 많은 사람들도 64비트 시스템에 대해 그제서야 관심을 가지고 이주하는 계기가 되었다.
  • 또한 고해상도 사진 파일을 다루는 포토샵이나 3D 맥스. 도면 및 설계 작업에 쓰는 인벤터 같은 프로그램을 돌릴 때는 그저 램 용량이 깡패다. 이와 같은 프로그램을 돌릴 때에는 아주 큰 메모리 용량을 필요로 하는데, 램 용량이 모자랄 경우 사용자의 인내심을 시험하게 될 것이다. 램 용량이 부족하면 가상 메모리를 사용하게 되고, 램 대신 속도가 매우 느린 HDD에 작업 내용을 열심히 썼다 지웠다 하게 된다.[58] 가상 메모리를 안 쓰면 앱이 터질 수도 있다. 더 나아가 램 용량이 충분하다면 포토샵 작업 시 수 GB 이상의 넉넉한 용량으로 설정한 램 디스크를 스크래치 디스크로 설정해 놓으면 작업의 능률 향상에 도움이 된다. 용량이 적으면 오히려 방해가 될 수 있다. 램 용량뿐만 아니라 고클럭 램으로 구성하려는 사람들도 있는데, 램 용량이 동일할 때 램 대역폭에 의한 작업 능률 차이는 유의미하게 크지 않다. 따라서 고클럭 램을 구할 돈으로 용량을 더 늘리는 쪽이 훨씬 이득이다.
  • 램은 읽기/쓰기 속도가 빠르고 대역폭도 크지만 접점이 많아서 접점 불량으로 잦은 불량을 일으키는 주범이다. 종종 OS에서 인식이 제대로 되지 않아서 램 채로 하드웨어 예약으로 빠지기 일쑤. 게다가 요령이 없으면 엄지손가락이 부러져라 꽂아도 메인보드가 휘어지도록 꽂히지 않는다. 프리징이나 블루스크린이 자주 뜨면 램의 접점에 접점 부활제를 사용해 보자. 램의 접점을 지우개로 밀어서 해결하는 방법도 있지만, 이 방법은 램의 접점에 물리적 손상을 줄 수 있으므로 권장하지 않는다. 램의 접점이 지우개 때문에 손상된 경우, 소비자 과실로 인정되어 어떠한 A/S도 거부된다.
  • 중고로 구입해도 크게 문제가 되는 부품이 아니다. 램은 고의로 자석을 대거나 떨어뜨려서 망가뜨리지 않는다면 반영구적으로 쓸 수 있으므로 새 것과 중고의 성능차이는 거의 없다고 한다. 가격만 빼고
  • 램을 교체하는 것은 컴퓨터 부품 교체 중 가장 간단하다고 할 만한 작업이다. 브랜드 PC나 워크스테이션이라면 핫스왑 베이나 트레이 형식으로 삽입하는 케이스를 사용하므로 저장장치(HDD, SSD) 교체가 더 쉬울 수도 있긴 하지만, 브랜드 PC 또한 RAM 교체까지는 어렵지 않게 만든다.[59][60] 따라서 램을 업그레이드하거나 추가하는 경우 컴퓨터 가게에 가서 할 필요가 없다. 물론 가면 해주긴 하는데 어지간하면 동영상을 보고 하는 방법을 익혀서 부품만 사서 스스로 갈자. 교체비로 나가는 몇 만 원을 절약할 수 있다. 드라이버가 없다면 다이소에서 규격에 맞는 미니드라이버를 사서 쓰면 된다. 가격은 천 원이다. 물론 노트북이나 컴퓨터 분해에 정말 자신이 없다면 맡기는 게 낫지만, 어느 쪽이 경제적인지는 알아서 판단하자.
  • 다만 요즈음 노트북은 과거와 달리 슬림한 외관과 미려한 미관을 위해 업그레이드용 개폐커버를 만들지 않아서 뒷판을 통째로 분리해야 하는데, 이 경우 품질보증서의 예외조건 중 '사용자에 의한 임의 개조'에 해당해서 A/S를 거부한다는 문제가 있다. 모든 제조사가 이런 것은 아니나 상당수의 제조사가 이렇다. HP, MSI, LG와 한성은 내부에 봉인 스티커가 있고, 삼성은 봉인스티커는 없어서 센터에 들고 갈 때 원상복구하고 말 안하면 모르지만 원칙적으로는 A/S 불가 사항이다. 이런 경우 호환이 되는 규격의 RAM을 구입해서 공인 A/S 센터에 들고 가면 공임비 5천 원~2만 원 정도를 지불하고 안전하게 교체할 수 있다. 물론 삼성, LG, HP는 무상 A/S 기간이 끝났다면 무상수리만 거부하므로 그냥 집에서 해치워도 된다. 이게 왜 문제냐면, 램 교체작업 자체는 보증사항을 무시하고 진행해도 작업하다 크게 고장날 확률은 높지 않으나, 나중에 노트북을 떨어뜨리는 등의 사유로 다른 부분이 고장났을 때 수리를 받지 못하게 되는 경우가 있어서이다. 고객센터 문의 결과, 삼성과 LG는 크게 육안으로 보이는 과실이 없다면(뜯다가 드라이버로 기판을 긁어서 심한 손상을 줬다던지) 교체한 부품에 대해서만 워런티 무효를 적용하니 큰 문제는 없지만, 일부 외제 노트북은 유/무상 관계없이 봉인씰 뜯기는 순간 고장부위 관계없이 해당 제품에 대한 그 어떠한 A/S도 싸그리 거부하는 브랜드도 있으므로 설명서 맨 뒤의 보증사항을 잘 읽자.
  • 맥북은 더 악랄해서, 램 자체를 메인보드에 납땜해버리고 보안칩으로 락을 걸어놔서 뭔 짓을 해도 메인보드를 통째로 교환하지 않는 이상 교체가 불가능하다. 설사 전문가급 지식을 가지고 리볼링 장비를 동원해서 칩셋을 교체하더라도 T2 보안칩 때문에 부팅이 안 된다. SSD도 교체가 안 되기는 마찬가지다. SSD가 드물게 착탈식인 경우도 있는데, 전용 규격인데다, 설사 한다고 해도 보안칩 때문에 안 된다. 일부 울트라북이나 윈도우 태블릿도 마찬가지. 당연히 이런 류는 센터에서도 업그레이드 불가.
  • 컴퓨터 부품 중 용량 꼼수가 없는 부품 중 하나다. 32비트 윈도우에서 4 GB 램의 용량이 3.25 GB로 표기되나 이는 용량 꼼수가 아닌 32비트 시스템의 한계 때문이다. 보조 기억 장치 중에서는 ODD가 유일하게 예나 지금이나 표기 용량과 실제 인식 용량이 같다.
  • DDR3를 사용하는 구형 메인보드 중 일부는 10600/12800, 단면/양면에 따라 동작이 될 수도 안 될 수도 있다. 램을 추가로 구매할 경우 보드 품명을 보드 제작사 홈페이지에서 검색하여 호환여부를 따지거나, 원래 꽂혀있던 램의 사양을 잘 보고 구매하도록 하자. 호환여부 확인이 어렵고 램이 원래 꽂혀있지 않다면 보통 10600 양면이 호환성이 좋다.
  • 메모리는 불량이 적은 부품에 속하나 동시에 매우 낮은 확률로 발생되는 불량이 발생할 경우 자가 수리가 어려운 부품 중 하나이기도 한다. 물론 자가 수리가 불가능하는 건 아니나 여전히 전자기기에 대한 전문적인 지식이 없는 일반인 입장에선 여전히 램 접촉부위와 메인보드의 램 슬롯을 청소하는 것 이외에 더 이상 수리할 수 있는 방법이 없다는 건 변함이 없다. 따라서 차라리 램 제조업체나 유통사의 서비스센터에 A/S을 맡기는 것이 정신건강에 이롭다. 물론 A/S는 대개 새제품으로 교환하는 방식으로 이뤄지며 이것만으로 해결이 어렵다면 판매업체에서 환불받은 후 돈을 더 들여 다른 회사 제품을 구매할 수도 있다.[61]
  • 메모리의 경우, 시간이 지남에 따라 인식률이 떨어지는 경우가 발생되기도 한다. 일반적인 증상은 전원은 들어오나, 메인보드에서 인식이 안되는 경우를 말하며, 비프음으로 고장 여부가 판단되기도 한다.
  • 메모리를 업그레이드할 경우 무조건 CL이 낮은걸 사라. 일반적인 상황에서는 못느끼지만 게임할때 1%가 중요하다면 고려해볼만 하다.

8. 관련 문서


[1] 오버클럭이 용이한 튜닝램. 방열판이 일체형으로 탑재되어 있다. [2] 물론 CPU엔 레지스터 캐시 메모리가 있지만 용량이 매우 적다. [3] 램 정보를 보면 뒤쪽에 19200, 21300 등이 써져 있는데, 바로 이 메모리 대역폭을 가리키는 것이다. 그리고 이 대역폭은 램 비트레이트의 8배이다. [4] NVMe SSD를 6개 이상 RAID 구성으로 하면 더 빨라진다. [5] 다만 어디까지나 병목 현상이 많이 완화된거지 주기억장치 램의 속도는 보조기억장치 보다 월등하게 빠르다. [6] 인텔 제온 시리즈, AMD EPYC 시리즈, AMD Threadripper 시리즈 등 프로슈머용 혹은 서버용 CPU만 3채널 이상을 지원한다. [7] 즉, 램 용량이 8 GB이면 작업관리자에서 '사용 중'으로 나오는 용량이 5.6 GB 이상, 램 용량이 16 GB이면 사용중인 용량이 11.2 GB 이상인 경우. [8] 다만 Windows Vista~7 까지는 2011년까지(윈도우 7 서비스팩 발매 직후)는 간단한 인터넷, 음악재생, 영상재생이 가능한듯 하다. [9] Windows 10 출시 직후(정확히는 2016년까지) [10] 내장그래픽은 RAM 용량의 일부를 내장그래픽의 VRAM으로 할당해서 쓰기 때문에 내장그래픽에 할당된 RAM을 제외하면 5~7GB 밖에 쓸 수 없다. 따라서 내장그래픽을 쓴다고 하면 내장그래픽에 할당될 RAM 용량을 고려해서 최소 16GB(8GB x 2 조합으로) 이상 장착하는 것이 좋다. [11] 특히 노트북 환경에서. 최근에는 램이 LPDDR4x 온보드 형태로 나오는 노트북들이 많아 게임을 할 사람은 애초부터 램 확장 슬롯이 있는 모델, 온보드 16 GB 모델을 사거나 아예 데스크탑으로 넘어간다. [12] 주로 저가형 노트북에서 온보드로 4GB가 박혀있는 경우가 많다. [13] 호환이 되지 않는 두 메모리에서 듀얼채널을 사용하는 것과 같은 이득을 보기 위해 만들어진 시스템. [14] 4G램과, 8G 램의 절반인 4G가 듀얼로 구성되며, 나머지 8G의 절반은 싱글로 작동한다. [15] 최신 AAA급 게임을 울트라 옵션으로 원활히 돌리기 위해서는 무려 24~32 GB 이상의 메모리가 필요하다. [16] 특히 VRAM이 중요하다. VRAM이 고용량이 아니면 16 GB이어도 VRAM를 많이 먹는 게임이라면 풀옵션으로 구동할 수 없다. [17] 인텔 LGA775용 P45, X48 등이나 AMD 메인보드 등의 일부 ATX 메인보드 한정으로 16GB가 가능하다. 물론 램 슬롯이 2개가 있는 대부분의 M-ATX 메인보드(G31 등)나 램 슬롯이 4개가 있는 일부 ATX 메인보드들(P35 등)의 경우 최대 메모리 용량이 4GB~8GB로 제한된다. [18] 흔히들 가성비 노트북이라 부르는 G,U 계열 프로세서+내장그래픽이 탑재된 50~100만원대 노트북 [19] 둘 중 뭐가 나은지 논란이 좀 있다. CPU와 메인보드가 쿼드채널을 지원하지 않는다면 보통 후자를 선택. 어짜피 듀얼채널까지만 지원하는 일반 메인보드에서 풀뱅크 사용에 대해 속도상 이득은 없으므로 그냥 둘 중 더 저렴한 조합으로 하면 된다. 16 GB ×2가 보통은 더 저렴하다. 그리고 16 GB ×2 조합을 사용하면 차후 먼 미래에 램 용량 요구량이 증가하거나 더 무거운 작업용 프로그램을 사용하게 되었을 시 48 GB나 64 GB로 증설할 수 있다는 장점이 있다. 저용량 풀뱅크 장점도 있긴 한데 저용량 모듈이 오버클럭 마진이 다소 여유로운 편이기는 하다. 그러나 메모리 오버클럭을 지원하는 보드는 다소 고가이므로 이에 관심이 없거나 시스템의 속도보다 안정성이 중요한 경우에는 무시해도 무방. [20] 인텔 코어 X 시리즈와 같은 엔트리급 워크스테이션에서 구성할 수 있다. [21] 리프레시가 필요없기에 접근 시간이 리프레시를 필요로 하는 DRAM보다 빠를 수 있다. [22] 멀리 갈 것 없이 가정용 컴퓨터의 초기 역사에서는 SRAM이 메인 메모리로 자주 쓰였다. 코모도어의 PET, VIC-20이나 TRS-80의 일부 모델 등에 SRAM이 메인 메모리로 사용되었다. [23] 이상적으로는 스위치가 off 되면 전류가 흐르지 않아 방전이 일어나지 않아야 하지만 실제로는 커패시터와 연결된 스위치가 off되더라도 미세한 전류가 흐르기 때문에 방전된다. [24] 첫 번째 영역은 메모리 배열로부터 출력 스테이지(latch)로 엑세스 하는 단계, 두 번째 영역은 래치(latch)에서 데이터 버스가 동작하는 단계. [25] JEDEC 표준 기준. 오버클럭 메모리는 이보다 더 높은 클럭을 지원한다. [26] 인텔로 치자면 Gear1, Gear2, Gear4 모드이며, AMD로 치자면 IF(Infinity fabric)이다. [27] 수율이 아무리 좋아도 4800MHz에서조차 Gear1, IF 1:1 모드가 안 된다. [28] x64 기반 [29] 흔히 스핀 밸브라고 한다. [30] 10년동안 0.03나노초당 1회씩 기록할 경우 10조번을 사용할 수 있다 [31] 천만개당 0의 불량율 [32] 한국 및 아시아권에서는 (주)젬스톤코리아에서 유통을 담당한다. [33] Head-Up Display [34] Tire Pressure Monitoring System [35] Audio Video & Navigation [36] 식량같은 경우 대량 수출국이 있긴 하지만 각나라도 어느정도 생산을 다들 하고, 강철같은 경우 램보다 훨씬 생산 국가가 다양하다. [37] 주로 다음 세대의 CPU 그래픽 카드가 출시되었을 때 이런 현상이 나타난다. [38] 한 때 한국의 DRAM 산업을 넘자고 열심히 미세공정 뻥카(...)를 치며 분발했던 일본의 엘피다 메모리는 2010년대 초반 치킨게임에 패배해서 결국 마이크론에 흡수당하였고, 결국 사실상 일본은 DRAM 산업을 접게되어 한 때 이쪽분야 갑중갑이었던 자존심을 구기게 되었다. [39] 물론 메인보드 뿐만 아니라 노트북이나 PC, 기타 사업들을 다 포함한 가치. [40] 대만 내 1위의 시가총액이며 삼성전자와 시가총액 1위~2위를 넣고 엎치락 뒤치락하고있다. [41] DDR4 8GB 21300은 94,900원. 16GB 21300은 177,700원이다. 삼성전자 다시마램 다나와 기준 [42] 삼성 램 [43] 장터에 용산 업자들이 개인적으로 등록한 제품은 현금가 52,000원까지 떨어졌다. [44] 2019년 일본의 대한국 경제 보복 조치에 따른 여파로 생각하는 사람들이 있지만, 사실은 이와 무관한 용팔이들의 횡포다. 라이젠 3세대의 출시와 방학이 겹치며 PC 수요가 급증할 조짐을 보이자 용팔이들이 농간을 부리고 있는 것. 전 세대 AMD보드나 인텔 CPU 가격도 급변하고 있다. 특히 램의 경우 일본 수출규제라는 핑계거리가 생겨 램의 가격을 집중적으로 올리고 있는 것. 일부 판매업자들이 일본 수출규제로 램이 유통이 안되고 있다는 배송지연 안내문을 띄웠지만, 메모리 제조사 측에서는 제품 공급을 전혀 줄이지 않았다고 밝혔다. 즉 현재 램 가격 폭등은 100% 용팔이들의 농간인 것이다. 7월 11일 서울경제신문에서 일본을 핑계로 가격을 올리고 있는 용팔이들을 저격하는 기사가 나왔다. "삼성 D램 품귀"…日 수출규제에 편승한 장삿속 '눈살'. 또 용팔이들의 횡포를 규제해달라는 청원이 국민청원 게시판에 올라오기도 했다. 사실 용팔이가 부르는 게 값이다. [45] 정작 삼성 25600의 경우 출시 후 애매한 가격과 성능으로 좋지 않은 판매량을 보였다. [46] 98, 98 SE는 1 GB이고 Me는 1.5 GB이다. [47] 그러나 Windows XP 64bit는 서버 2003 x64 커널을 갖다 썼는데다 호환성이 나빠서 32비트이든 64비트 프로그램이 말썽이 일어나기도 하며 일부 프로그램은 서버 2003로 인식하여 설치를 거부하기도 해서 망했다. 그래서 한국판은 없고 영문판을 설치한 후 한글 MUI를 따로 설치해야만 한국어 사용이 가능하다. [48] 일부 메인보드는 높은 쪽에 맞추기도 한다. 하지만 이 경우 안정성이 떨어지므로 여기에 해당한다면 동일한 클럭으로 맞춰야 한다. [49] 주로 소규모 서버에 쓰이며, 제온 E 시리즈에 적용된다. 최대 32 GiB. [50] 버퍼(레지스터)가 추가되어 더 많은 개수/용량의 구성이 가능하다. 최대 64 GiB. [51] 버퍼가 데이터 신호까지 제어할 수 있다. 최대 128 GiB. [52] 최대 256 GiB [53] ECC 램을 사용하는 C2xx 시리즈 보드에서 사용이 가능하지만 ECC 기능 자체는 사용할 수 없다 [54] APU를 제외한 전 라인업 ECC 지원이다. [55] 1990년대의 금값은 현재의 5분의 1에 불과했다. 한 돈짜리 금반지를 5만원에 맞추던 시대다. [56] 8 GB 구성 자체는 2005년 4월에 출시된 955X 칩셋의 메인보드부터 가능했으나, 비싼 HEDT 라인이라 널리 채택된 구성이 아니었다. 2006년 6월 965 칩셋부터는 일반 가정용 보드에도 구축할 수 있게 되었으나, 이 역시 고사양 유저 한정이었고 2007년 DDR3가 처음 도입된 X38, P35, G33 칩셋의 보드, DDR2만 지원하는 G35, G31 칩셋의 보드, 2008년 DDR2와 DDR3가 혼재된 X48, P45, P43, G45, G43, G41 칩셋의 보드들도 마찬가지로 8 GB 구성은 고사양 유저들의 전유물 취급이었으며 4 GB 이하가 대부분이었다. 2008년 DDR3만 지원하는 X58 칩셋의 보드와 조합된 블룸필드 CPU는 애초에 트리플 채널을 지원하는 고가형이라 일반 가정용이라기보단 HEDT 라인에 가까웠으므로, 8 GB 유저층이 얇은 것은 2009년 9월 린필드 CPU가 나오기 직전까지 이어졌다. [57] DDR4 SDRAM 제품은 4 GB 용량부터 판매되었다. [58] HDD보다 훨씬 빠른 SSD마저도 현세대 RAM 보다는 넘사벽으로 느리다. [59] 반대로 교체시 가장 어려운 부품은 메인보드 [60] 램은 고정대를 풀고 뜯으면 그만이지만 메인보드는 일단 CPU 팬, CPU, 램, 기타 상황에 따라서 그래픽카드도 탈거하고 메인보드에 연결된 모든 선을 다 뺀 다음에 가이드(USB포트)도 뜯고 어쩌고 저쩌고... 아무튼 많이 복잡하다. [61] 다만 이는 보증기간 내에서 불량이 발생했을 경우에 한한다. 즉, 보증기간이 지나 불량이 발생한다면 차라리 새 제품을 사는 게 낫다. [62] 팀원들이 KLEVV광고를 찍은 적이 있다. 이후 이 광고가 밈이 되었다.