최근 수정 시각 : 2020-02-23 00:08:05

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Random Access Memory
파일:external/dimg.donga.com/67345493.1.jpg 파일:external/timg.danawa.com/img5705781_1.jpg 파일:external/timg.danawa.com/3481526_2_160.jpg
삼성전자의 ECC Registered RDIMM[1] 32GB DDR4-2133[2] 마이크론의 Crucial DDR4 64GB PC4-21300 ECC RDIMM.[3] 아벡시아의 튜닝 메모리인 라이덴 #
1. 개요2. 상세3. 종류
3.1. 휘발성 메모리
3.1.1. SRAM3.1.2. DRAM
3.1.2.1. SDRAM3.1.2.2. DDR SDRAM3.1.2.3. VRAM3.1.2.4. WRAM3.1.2.5. MDRAM3.1.2.6. SGRAM3.1.2.7. GDDR SGRAM3.1.2.8. LPDDR SDRAM
3.1.3. RDRAM3.1.4. HMC3.1.5. HBM
3.2. 비휘발성 메모리
3.2.1. NVRAM
3.2.1.1. MRAM3.2.1.2. STT-MRAM3.2.1.3. PRAM3.2.1.4. RRAM3.2.1.5. FeRAM
4. 사실은 틀린 용어?5. 가격 변동
5.1. 램 생산 업체 간의 가격 경쟁
6. 주소할당 문제7. 기타

1. 개요

사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치. 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다.[4] '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다. 만약 램이 1GB 이하라면[5] 발암물질이 무슨 뜻인지 실감할 수 있다.

2. 상세

ROM과 함께 컴퓨터의 주 기억 장치로, 롬과는 달리 자유롭게 읽고 쓸 수 있다는 특징을 기억해야 한다. 컴퓨터는 CPU에서 이뤄진 연산을 메모리에 기록하며 또 읽어온다. 잘 이해가 되지 않는다면, 복잡한 계산을 할 때 공책에 풀이해 가면서 하는 걸 생각하면 된다. 즉, 메모리가 없으면 컴퓨터는 동작하지 못한다. 당연히 램의 용량이 클수록 그 용량만큼 동시에 기록하고 연산하는 것이 가능하다는 것이며 고용량 램일수록 컴퓨터의 성능이 올라가고 가격이 비싸진다.

RAM에서 말하는 Random Access(임의접근, 任意接近)란 임의의 주소가 주어질 때 똑같은 시간으로 접근이 가능하다는 의미로서, 무작위가 아니다. 이는 메모리의 주소만 알고 그곳을 지정하면(아무데다가 쳐박아도 위치만 알면 찾아낼수 있다는 의미이다.) 별다른 지연 없이 바로 접근할 수 있다는 뜻으로, CPU에서 먼 쪽의 슬롯에 있다거나 하는 물리적 특성에 따라 접근 시간이 더 걸리는 경우가 있지만 이것은 seek time적 의미이다. 사실 교조적으로 무조건 따지면 억지이다. 메모리도 NUMA가 나오는 마당에...(특히 쓰레드리퍼 2세대가 이로 인한 성능 최적화 문제가 큰 편이다.) 사실 교조적으로 '똑같은 시간'을 고집하면 L3 캐시도 RAM이 못 된다[6] 그보다는 실용적 측면에서 주기억장치로 쓸 만한 랜덤 액세스 성능이 나오느냐로 나누는 것에 가깝다. 임의 지점 액세스 자체는 가능하지만 성능 차이가 커서 RAM으로 인정하지 않는 물건으로는 DVD, HDD가 있으며[7], 임의 지점 액세스 자체가 불가능한 저장 매체로는 자기테이프가 있다. 이런 매체는 차례차례 접근하는 순차 접근(Sequential Access)밖에 되지 않는다.

대신 RAM은 전원이 차단되면 내용이 지워지는 휘발성 기억 장치이다. 다만 이는 램마다 조금씩 차이가 있다. 예를들어 SRAM은 전원이 차단되자마자 데이터가 지워지지만, DRAM은 전원이 차단되자마자 그 즉시 데이터가 지워지는 것은 아니며 대략 5분 정도의 시간이 걸리는데 이는 DRAM은 내부에 전류를 일시적으로 저장하는 역할을 하는 축전기가 들어가 있기 때문으로 액체 질소등으로 냉각시킬 경우 일주일 정도는 데이터가 저장된다고 한다. 그러나 이 특성이 전원이 끊어진 상태에서 데이터 신뢰성이 보장 된다는 말은 아니다. 이런 특성으로 인해 속도는 느리지만 전원이 끊어져도 정보를 저장할 수 있는 자기 테이프, 플로피디스크, 하드디스크 같은 보조 기억 장치가 나오게 되었다.

실질적으로 보조 기억 장치의 용량이 아무리 커도 메모리가 적으면 PC는 제 성능을 발휘하기 어려우나, PC가 점점 대중화되고 사용하기 쉬워지며 가격이 급락하는 바람에 그 존재감이 점점 옅어지고 있다. 그리고 메모리라고 하면 USB 메모리와 착각당하기까지 하는 것이 바로 이 메모리라는 존재이다.

전원이 꺼져도 지워지지 않는 램(NVRAM)도 있으나 현재의 RAM을 대체하지는 않는다. 21세기 초부터 계속해서 떡밥을 뿌렸던 PRAM, MRAM, FeRAM 등이 그것. 열로 인한 물질의 상전이나 자기장(을 사용한 스핀 정렬) 같은 물질의 온갖 특성들을 동원해서 전원이 꺼져도 정보를 저장하는 방식이다. 실용화되면 처리와 저장을 동시에, 즉 CPU와 RAM과 하드디스크/ SSD의 기능을 동시에 가질 수도 있다지만 PRAM을 제외하고는 아직 연구소 바깥으로 나오지 못했고 연구소 바깥으로 나온 PRAM인 옵테인 메모리 역시 DRAM을 대체하는 수준은 아니다. 자기장을 사용한 MRAM이 2012년 후반기에 실험적으로 자동차에 사용된 정도가 고작이며 실용화되도 하나같이 차폐 기술을 적용하지 않으면 우주선엔 사용이 불가능할 정도로 민감하며, ReRAM은 2GB 단일 모듈을 소니-마이크론에서 시연한 수준 정도에 올라왔을 뿐이다. STT-MRAM은 자기를 이용하는 특성 때문에 읽기/쓰기 수명이 반영구적이며 다른 차세대 램에 비해 안정적으로 작동하는 편이다. 또한 랜덤 액세스가 비교적 빠른 편이라 유력한 차세대 램의 후보로 여겨졌으나 비교적 소비전력이 큰 편이고 SRAM의 동작 속도에 비해 다소 느린 편이며 셀 집적화의 한계로 고용량을 실현하기가 어려워 현재로써는 SRAM 위주인 LLC(Last level cache)를 대체하는 정도가 될 것이라고 한다. 한편 PRAM은 빛을 이용하는 특성 때문에 소비 전력이 너무 커 개발이 더뎌진 상황이라 메모리뿐만 아니라 스토리지 용도로도 사용될 수 있는 차세대 램은 ReRAM이 될 것이라고 한다. 여전히 비 휘발성 차세대 램의 갈 길은 멀지만 지속적인 연구로 상황이 점차 나아지고 있다.

플래시 메모리는 램이 아니고 보조 기억 장치의 일종이다. 똑같이 읽고 쓰는 게 가능한데 왜 RAM 취급을 안 해 주냐면, CPU에서 대개 직접 읽고 쓸 수 없으며(일부 CPU는 플래시 메모리 컨트롤러 내장) 램처럼 바이트 단위로 접근할 수 없고 페이지 단위로 읽기/쓰기가 진행되기 때문이다. (읽기/쓰기는 페이지 단위, 삭제는 블럭단위다.) 플래시 메모리 RAM이 아니니까 그것과 구분하여 ROM이라고 적은 마케팅 자료도 있는데, 더더욱 아니다.(…)

조립컴퓨터 견적에서는 언제나 다다익램[8]의 규칙으로 통한다. 램이 부족하면 확실히 체감이 되지만 용량이 남을 때는 그냥 쉬고 있는 부품이라 체감이 잘 안 되는데, 존재 이유를 알고 싶다면 컴퓨터의 다른 부품들(CPU, 메인보드)이 어느 정도 받아준다는 가정하에 크고 아름다운 프로그램을 여러 개 켜놓고도 컴퓨터가 무리 없이 돌아가는데 도움을 주는 장치라고 생각하면 된다. 특히 Windows Vista 부터는 크롬 브라우저 하나만 켜도 2~3GB 이상을 사용하니, 배틀필드 1 같은 초고사양 게임을 플레이한다면 램이 16GB 정도는 있어야 한다. 내장 그래픽 카드를 사용할 경우, 시스템 메모리 일부가 내장 그래픽용으로 할당되기 때문에 가용량이 더 줄어든다. 가령 4GB인 시스템 메모리에 1GB를 내장 그래픽용으로 할당된 시스템일 경우 이론적인 가용량은 3GB이지만, OS 부팅 단계에서 이미 메모리에 상주된 프로세스들이 존재하므로 실제 가용량은 2GB 내외 혹은 그 이하로 더 적다. DDR4 SDRAM의 대중화 시점인 2019년 이후 기준으로 4GB 이하는 무엇을 하든 성능저하가 심하기 때문에 사양세에 들어섰고 사무용 및 웹 서핑 컴퓨터에는 8GB, 게이밍 컴퓨터에는 16GB 정도가 권장되며, 그래픽 제작 및 편집 등을 수행하는 경우에는 32GB 이상의 램이 돈값을 할 수 있다. 물론 서버의 경우에는 정말 말 그대로 많으면 많을수록 또 크면 클수록 좋아서 그냥 남는 돈 전부 램에 투자해도 돈값한다.

램의 남은 메모리가 0.1MB라도 부족하면 그 순간 HDD, SSD의 가상메모리를 끌어오는데, 이 상태가 되면 그 순간 컴퓨터의 속도가 사실상 답이 없을 만큼 느려진다. 현재 시중에서 많이 쓰이는 DDR4의 2666MHz의 메모리 대역폭은 21300MB/s[9] 인데, PCIe를 사용하는 M.2 NVMe방식의 SSD의 대역폭이 최소 1200~2000MB/s. 일부는 최대 3000MB/s 이상을 지원하니 적게는 6배 많게는 10배 이상의 차이가 난다. 당장 HDD를 SSD로만 갈아도 체감속도가 달라지는데, 램과의 차이는 넘사벽.[10] 본인이 고사양 게임이나 편집 툴, 영상 인코딩을 한다고 하면 충분한 램을 꼭 사용하도록 하자. 바로 위의 다다익램의 경우 같은 대역폭을 두 개를 장착하면 속도가 두배 뻥튀기 된다. 2400MHz 짜리 DDR4 램을 두 개 장착하면 대역폭이 38400MB/s. 트리플이나 쿼드의 경우 메인보드에서 지원을 안 하는 경우가 많기에[11] 이 경우에는 용량은 올라가나 대역폭 속도는 두 배만 지원하는 경우가 많다. 다만 아래에도 있지만 두개의 대역폭이 다를 경우 낮은 쪽의 대역폭으로 맞추어지니 유의하자. 이렇게 빠르면서도 값싸게 가상메모리 영역을 확보하고자 하는 틈새시장이 꽤 크다 보니, 아예 이런 용도로 사용하라고 3D XPoint까지 나온 마당이다.

3. 종류

3.1. 휘발성 메모리

Volatile Memory (VM)
휘발성 메모리를 일컫는 용어.

3.1.1. SRAM

Static Random Access Memory.

1963년에 개발되어 1965년에 IBM의 SP95 칩을 통해 상용화된 정적 램은 내용을 한번 기록하면 전원이 공급되는 한 내용을 그대로 가지고 있는 램이다. 기본적으로 트랜지스터 등으로 구성된 논리 회로로 이루어지며 외부 신호에 따라 내부의 값을 유지하는 식으로 정보를 기록한다. 기억 능력을 가진 논리 회로를 특별히 플립플롭(Flip-Flop. 기초적인 원리는 입력을 받으면 그 입력을 초기화 명령을 받기 전까지 내부에서 루프를 돌려서 유지하는 것. 외부의 에너지 공급이 없으면 에너지 손실로 빠른 시간 안에 정지.)이라고 부른다.

정적 램은 DRAM의 100배 이상으로 접근 속도가 빠르지만 구조가 복잡하여 공간을 많이 차지하므로 집적도를 높이기 어려워 가격이 비싸고 대용량으로 제작하기가 어렵다. 따라서 빠른 속도가 요구되는 캐시 메모리(Cache Memory)에 주로 사용된다. CPU 스펙에 표시되는 L1, L2, L3 등의 캐시 메모리를 말한다. 용량만 표기되고 속도가 표기되어 있지 않은데, CPU 속도와 같은 속도로 동작하기 때문에 속도를 따로 표기하지 않는다. 그러나 AIDA64로 측정은 해볼 수 있는데 초당 수백기가를 가뿐히 넘긴다. 캐시와 레지스터는 다른 개념이다.

3.1.2. DRAM

Dynamic Random Access Memory.

IBM이 1964년 개념을 창안하고, 1966년 시제품을 개발해 DRAM에 대한 특허를 취득했다. 최초의 DRAM 상용 제품은 1969년 이 특허의 사용권을 취득해 AMD에서 나왔다. DRAM에 대한 IBM의 특허권은 개선 제품이 나올 때마다 계속해서 갱신되어 50년 넘게 훌쩍 지난 현재도 유효하여, 삼성전자나 SK하이닉스 같은 반도체 회사에서 이 특허를 사용한 칩을 제조할 때마다 일정 금액을 IBM에 지급해야 한다.

동적 램은 기록된 내용을 유지하기 위하여 주기적으로 재충전(Refresh)이 필요하다. 기본적으로 축전기(Capacitor)로 이루어지며 이것의 충전 상태로 정보를 기록한다. 계속 재충전해야 하는 이유는 캐퍼시터가 시간이 지나면 저절로 방전되기 때문.[12]

동적 램은 속도가 SRAM보다는 느리지만 구조가 간단하여 집적도를 쉽게 높일 수 있다. SRAM이 보통 트랜지스터 사이에서 루프를 돌리고 '상정되지 않은 입력'을 걸러내는 게(SDRAM의 경우 클럭에 대한 반응도) 필요한 플립플롭의 구조상 최소 4개 이상으로 셀 하나를 만들지만 DRAM은 트랜지스터 하나와 캐패시터 하나로 만들어져 있기에 고집적화가 가능하다. 그나마 커패시터도 트랜지스터 제조 시 생길 수밖에 없는 기생 커패시터를 극대화하여 활용하기에 필요 면적이 매우 작다. 또한 정적 램에 비해서 가격이 매우 싸고 전력 소비도 그렇게 많지 않아 CPU의 주 기억 장치로 가장 많이 사용되고 있다. 파워 서플라이와 같은 다이오드 계열이 기초 소자 중 가장 비싸다.

우리가 말하는 '램'은 보통 DRAM이다. DRAM 구조에 따라 DDR이니 SD이니 RD이니 붙는 것.
3.1.2.1. SDRAM
Synchronous Dynamic Random Access Memory. SRAM이랑 DRAM을 합쳐 놓은 게 아니다.

||<:>규격 ||<:>실효 클럭 ||<:>전압 ||<:>개발 ||<:>표준화 ||<:>출시 ||<:>적용 ||
PC-66 SDRAM 66 MHz 3.3 V 1992년 1993년 1993년 1996년
PC-100 SDRAM 100 MHz 1998년
PC-133 SDRAM 133 MHz 1999년


SDRAM의 개념 자체는 1970년대 인텔이 IBM의 DRAM에 대한 특허의 사용권을 취득해 제작한 반도체에서 기인한다. 그래서 기술 구성 요건의 일부가 IBM의 DRAM 특허에 걸린다. 이 제품이 나온 이후 여러 제조사에서 동기 방식의 다양한 DRAM을 생산하였다.

오늘날 SDRAM은 1992년에 삼성전자에서 개발되어 1993년 JEDEC에서 채택된 표준안을 따른다. 이름에서 알 수 있듯이 기존 DRAM의 파생형이다. 기존 DRAM은 변화가 생기면 최대한 빠르게 반응하는 비동기식 전송 방식이었으나 이것은 동기식 전송 방식을 이용해 클럭 신호와 동시에 반응하므로 컴퓨터의 시스템 버스와 동기화된다. 동기식 DRAM 방식은 기존 비동기식 DRAM보다 빠른 속도로 진행이 가능하며, 이를 통해 칩에 더욱 복잡한 형태의 명령을 주는 것이 가능해진다.

인텔에서는 1996년 펜티엄 시리즈와 조합되는 430VX 칩셋부터, AMD에서는 1996년 K5 시리즈와 조합되는 VIA의 Apollo VP 칩셋부터, 애플 매킨토시 계열에서는 1997년 파워맥 G3, 1998년 파워북 G3s부터 지원되었다.

2000년에 DDR 방식의 메모리가 나오자 기존의 SDRAM을 구분하기 위해 SDR(Single Data Rate) SDRAM으로 통용되고 있는데, 클럭 사이클당 한 번만 전송을 하는 것에서 명명했다.
3.1.2.2. DDR SDRAM
Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

||<:>규격 ||<:>프리페치 ||<:>전압 ||<:>개발 ||<:>표준화 ||<:>실효 클럭[13] ||<:>출시 ||<:>적용 ||
DDR 2n 2.5 V 1998년 2000년 200 MHz 2000년 2000년
266 MHz 2001년 2001년
333 MHz 2001년 2002년
400 MHz 2002년 2003년
DDR2 4n 1.8 V 2001년 2003년 400 MHz 2003년 2004년
533 MHz ? 2004년
667 MHz ? 2005년
800 MHz ? 2006년
1066 MHz ? 2007년
DDR3 8n 1.5 V 2005년 2007년 800 MHz ? ?
1066 MHz 2007년 2007년
1333 MHz ? 2009년
1600 MHz ? 2011년
1866 MHz ? ?
2133 MHz ? ?
DDR3L 1.35 V 2010년 2011년 1333 MHz 2011년 2012년
1600 MHz ? 2013년
DDR3U 1.25 V ? 2010년 1333 MHz ? ?
DDR4 8n 1.2 V 2011년 2012년 1600 MHz ? ?
1866 MHz ? ?
2133 MHz 2013년 2014년
2400 MHz ? 2016년
2666 MHz ? 2018년
2933 MHz ? 2019년
3200 MHz 2019년 2019년
DDR5 16n 1.1 V 2018년 2020년
(예정)
3200 MHz ? ?
3733 MHz ? ?
4266 MHz ? ?
4800 MHz ? ?
5333 MHz ? ?
5866 MHz ? ?
6400 MHz ? ?


1998년에 개발되어 2000년에 표준화 및 출시된 기존 SDRAM의 개선판 규격. 기존 SDRAM에 비해 메모리 대역폭이 2배 늘어난 것이 주된 특징으로, 원래는 SDR SDRAM에서의 성능 향상을 위해 메모리 셀 2개를 엮어 대역폭을 2배로 늘리려고 했었는데 이는 I/O 버퍼의 속도도 2배가 되어야 한다는 말이다. 하지만 그 시절의 기술력으로는 한계가 있었고 이를 해결하기 위한 방법으로 상승 에지(Rising Edge)와 하강 에지(Falling Edge) 두 개를 모두 데이터를 전송하는 용도로 사용한 것이 이 DDR SDRAM의 기원이다. SDR SDRAM은 상승 에지에서만 데이터를 전송한다.

당시 인텔이 1999년부터 RDRAM을 밀어주고 삽질하는 바람에 2000년 11월에 AMD가 DDR SDRAM을 지원하는 AMD-760 칩셋을 내놓았으며, 2001년에 VIA도 인텔 CPU 호환용인 Apollo Pro 266 칩셋과 AMD CPU 호환용인 VIA KT266 칩셋을 내놓았다. 2002년에 들어서야 인텔도 DDR SDRAM 지원 칩셋을 뒤늦게 투입하여 현재는 PC계의 대세 메모리로 자리 잡았다.

2004년에 기존 DDR에서 업그레이드된 DDR2 SDRAM이 출시되었으며, 2007년에 DDR3 SDRAM, 2014년에 DDR4 SDRAM까지 출시되었다. 2015년부터는 DDR4 SDRAM 가격이 빠르게 하락되면서 동년에 중저가 이하의 신형 메인보드에도 DDR4 메모리를 기본 지원되기 시작했으며, AMD도 AM4 기반 메인보드부터 DDR4를 지원하기 때문에 DDR3 메모리 시절보다 빠른 속도로 보급되고 있다.

최종 소비자용 DDR 메모리는 메모리 칩셋과 칩셋을 제어하는 컨트롤러로 구성되는데, 칩셋에 대한 특허는 IBM 인텔이, 컨트롤러는 램버스가 상당 부분 소유하고 있다. 이 중 IBM과 인텔은 제품 수량 당 일정 금액을 사용료로 챙기고, 램버스는 컨트롤러 제조사와 부착업체(!)에 매년 상당한 금액의 사용료를 정액 부과하고 있다. 다만, DDR4는 삼성전자에서 개발한 안이 JEDEC에서 표준으로 채택되어 삼성전자 입장에선 DRAM의 원천 기술에 대한 특허 사용료를 제외하곤 특허 사용료 부담이 크게 경감되었다고 한다. DRAM 원천 기술은 IBM이 아직까지도 유효하다. 이 특허는 DRAM 자체에 대한 특허라서 피해나갈 길이 없다.
3.1.2.3. VRAM
그래픽 하드웨어에 있는 프레임 버퍼를 저장하는데 사용되었던 DRAM의 이중 포트 버전. 2개의 데이터 출력 핀 세트가 존재해서 동시에 사용할 수 있는 원리인데 첫 번째 포트인 DRAM 포트는 기존 DRAM과 매우 유사한 방식으로 호스트 컴퓨터에 의해 액세스되며, 두 번째 포트인 비디오 포트는 일반적으로 읽기 전용이며 그래픽 칩셋에서 고성능의 직렬화된 데이터 채널을 제공하기 위해 사용되었다.

1986년 IBM의 RT PC부터 처음 사용된 이후 당시에는 고급 워크스테이션에나 볼 수 있을 정도로 상당히 비싼 규격이라 널리 채택되지 못 했으나, 1990년대에 들어서야 널리 채택되었다. 비록 1990년대 중후반부터 후속 규격들에게 밀려 더이상 채택되지 않게 되었지만, 그래픽용 메모리의 기본적인 원리가 정립된 의의 있는 규격이라고 볼 수 있다.

현재는 VRAM을 그냥 그래픽용 메모리를 지칭하는 보통명사처럼 널리 사용되고 있다.
3.1.2.4. WRAM
Window DRAM의 약자로 그래픽 카드에 사용된 VRAM의 변종 규격. 이전 VRAM보다 성능이 좋고 비용이 적게 들도록 설계되었으며, 최대 25% 높은 대역폭을 제공했었다.
3.1.2.5. MDRAM
Multibank DRAM의 약자로 MoSys가 개발한 특수 DRAM. 인터리브 방식으로 작동하는 256KB의 작은 메모리 뱅크로 구성되어 그래픽 카드에 적합한 대역폭을 저렴한 비용으로 SRAM과 같은 메모리에 제공하는 규격이다. 또한 이름답게 단일 클록 사이클에서 두 뱅크에 대한 작업을 허용하여 액세스가 독립적인 경우 이들을 동시에 액세스 하는 것이 가능하다. Tseng Labs ET6x00 칩셋이 탑재된 그래픽 카드에 사용되었다.
3.1.2.6. SGRAM
||<:>규격 ||<:>전압 ||<:>모듈 타입 ||<:>실효 클럭 ||<:>개발 ||<:>표준화 ||<:>적용 ||
SGRAM ? V ? 레인 83~275 MHz 1994년 ? 1995년


그래픽 하드웨어를 위한 특화된 SDRAM 형태로 시스템 메모리용 말고도 그래픽카드에 볼 수 있는 그래픽 전용 메모리도 존재한다. 이름에 걸맞게 그래픽 카드에 있는 텍스쳐 메모리 및 프레임 버퍼와 같은 그래픽 관련 작업을 위해 설계되었다. 다른 비트에 영향을 주지 않고 지정된 비트 평면에 쓰기 작업을 수행하는 비트 마스킹, 단일 색상으로 메모리 블록을 채우는 블록 쓰기 작업 등의 기능이 추가되었다.

한 번에 읽기 또는 쓰기 동작 한 가지만 가능한 싱글 포트 구조로 이루어진 일반 DDR 메모리와는 달리 그래픽 DDR 메모리는 듀얼 포트에 가까운 구조로 되어 있어 입출력을 동시에 할 수 있다. 그러니까 실제 대역폭이 일반 DDR에 비해 두 배. 사실 이는 절반만 맞는 표현으로, I/O 포트는 1개 존재하나, Activate 된 Page를 2개 가질 수 있다. 일반 DDR 메모리가 Activate Page를 1개만 가질 수 있는 점을 생각하면 Precharge 후 Activate 하는 시간을 아낄 수 있으므로 대역폭 확대에 도움이 되지만, 엄밀히 따지면 듀얼 포트 구조와는 다르다. 동시에 쓰고 읽기가 가능한 포트가 따로 존재하지는 않는다. 이는 일반적으로 기존에 존재하던 비디오램이 프레임 메모리에 쓰고, 화면 출력을 위해 읽을 수 있는 듀얼 포트 구조임을 반영한 것이다. 따라서, 기존의 VRAM 및 WRAM과는 달리 싱글 포트이지만, 한 번에 두 개의 메모리 페이지를 열 수 있으므로 다른 비디오 RAM 기술의 듀얼 포트와 비슷한 효과를 구현할 수 있는 구조인 것. 쉽게 비유하면, 단방향 무전기와 양방향 전화기의 차이라고 할 수 있으나 정확한 표현은 아니다.

1994년에 히타치의 HM5283206, NEC µPD481850를 통해 처음 소개되었으며, SGRAM이 탑재된 가장 오래된 제품은 1995년 12월에 투입된 소니 플레이스테이션 1의 2세대 리비전 모델인 SCPH-5000이다. 그래픽 카드의 경우 ATI는 1996년 RAGE II 시리즈부터, NVIDIA는 1997년 RIVA 128부터 탑재되었다가 2002년 지포스 4 시리즈를 마지막으로 더 이상 채택되지 않고 있다.
3.1.2.7. GDDR SGRAM
||<:>규격 ||<:>전압 ||<:>모듈 타입 ||<:>실효 클럭 ||<:>개발 ||<:>표준화 ||<:>적용 ||
GDDR 2.5 V 64 레인 300~950 MHz 1998년 1999년 2000년
GDDR2 1.8 V 64 레인 400~1000 MHz 2002년 2003년 2004년
GDDR3 1.8 V 64 레인 900~2484 MHz 2003년 2003년 2004년
GDDR4 1.5 V 64 레인 1400~2252 MHz 2005년 2005년 2006년
GDDR5 1.5 V 64 레인 3000~9028 MHz 2007년 2008년 2008년
GDDR5X 1.5 V 64 레인 10008~11008 MHz 2015년 2016년 2016년
GDDR6 1.35 V 64 레인 12000~15500 MHz 2017년 2018년 2018년


그래픽 성능이 향상됨에 따라 처리해야 할 데이터의 용량도 늘어났기 때문에 이를 받쳐줄 대역폭이 필요했다. 시스템 메모리에 사용되는 SDRAM이 DDR SDRAM으로 발전되었 듯이 그래픽용 메모리도 이와 비슷한 양상으로 발전하기에 이르렀다. 처음에는 DDR SGRAM으로 알려졌다가 지금은 GDDR SDRAM로 통용되고 있는데, 표준화 조직인 JEDEC에서는 GDDR SGRAM으로만 명시하고 있으므로 공식 명칭은 GDDR SGRAM이 맞다.

2000년 지포스 256 DDR, 라데온 DDR (7200)을 통해 처음 출시되었으며, GDDR 이후로 성능과 전력 효율을 높이기 위해 DDR 기반의 GDDR2, DDR2 기반의 GDDR2(DDR 기반의 GDDR2와는 다른 규격)와 GDDR3, DDR3 기반의 GDDR4, GDDR5, GDDR5X, DDR4 기반의 GDDR6 순서로 발전했다. 각각 세대별 기술적인 호환성은 없다. 원래는 시스템 메모리의 DDR 규격과 구별하기 위해 그래픽용 DDR을 의미하는 GDDR로 표기되고 있지만 실제 제품에서는 G자를 빼고 사용되는 경우도 있다.

2003년까지는 GDDR을 주력으로 채용했다. 지포스 FX 5800 Ultra, 5700 Ultra 모델에서 DDR 기반의 GDDR2가 채용된 적이 있었지만 상위 모델이었던 FX 5900에서는 안정성이 있는 GDDR로 회귀할 정도로 전압 문제, 과열 문제가 심각했다. 이후 GDDR은 2004년에도 지포스 6800 노멀을 비롯한 일부 하이엔드 모델에서만 채용되었다가 2005년을 마지막으로 더 이상 채택되지 않았다.

2004년에 그래픽카드부터 중저가형은 DDR2 기반의 GDDR2 메모리, 중급형 이상은 DDR2 기반의 GDDR3 메모리가 적용되기 시작했고 2005년 늦가을에 출시된 XBOX360의 경우는 GDDR3 메모리를 CPU와 GPU가 공유하여 사용하는 특이한 구조로 설계되었다. 2006년부터 더 이상 GDDR이 채택되지 않게 됨으로써 DDR2 기반의 GDDR2와 GDDR3로 양분하고 있었다. 2005년에 GDDR4 메모리를 개발하여 2006년 늦여름에 ATi 라데온 X1900 시리즈 일부 모델에 처음 채택되었으나 기술적인 문제점으로 인해 성능이 GDDR3보다 그다지 향상되지 못했고 전력 소모의 급격한 증가 -> 효율 저하로 이어져 널리 사용되지 못했다. NVIDIA는 DDR 기반의 GDDR2로 곤욕을 치른 경험이 있었기에 중급형 이상의 모델에서는 GDDR3에 올인하면서 GDDR4를 건너뛰었다.

2007년에 GDDR5 메모리가 개발되었는데 GDDR4에서 나타난 문제점들이 개선되고 DDR이 아닌 QDR이라고 불러도 좋을만큼 실효 클럭이 더블 펌핑이 아닌 쿼드 펌핑으로 작동하여 장기 집권할 수 있는 원동력이 되었다. 2008년 중반 AMD 라데온 HD 4000 시리즈의 일부 모델부터 채택되어 메모리 클럭이 750~900MHz(실효 클럭 3000~3600MHz)를 시작으로 2000~2250MHz(실효 클럭 8000~9000MHz)대까지 10년 동안 끌어올렸으며, 2016년에 마이크론에서만 개발된 확장 규격인 GDDR5X가 출시되어 GDDR5와 같은 전압이지만 실효 클럭이 쿼드 펌핑이 아닌 옥타 펌핑으로 뻥튀기되면서 기존 GDDR5보다 훨씬 낮은 클럭으로도 10~11GHz의 실효 클럭을 보여주고 있다.

2018년에 GDDR6가 투입되면서 GDDR5X보다 더 낮은 전압으로 12~16GHz까지 더 높은 실효 클럭을 구현할 수 있다고 한다.

고도의 기술이 사용되는 만큼 가격도 매우 매우 비싸다. 초창기의 GDDR5 메모리는 일반 DDR3 메모리 가격의 10~15배 이상을 호가했고, DDR4 메모리 기준으로도 5~6배 이상의 가격을 자랑한다(...) 이 때문에 최근 그래픽카드 가격이 천정부지로 치솟는 원인으로 지목되기도 하는데, 실제로 보급형 라인의 그래픽 카드 가격에서는 가장 비싼 칩셋과 GDDR5 메모리 파트의 원가가 비슷하기 때문이다. 특히 메모리 반도체 시장을 주도하는 삼성전자가 장기간 이어져온 치킨게임을 끝내면서 메모리 반도체 가격이 배 이상으로 뛰고 있다.

그래픽카드의 세대가 거듭되면서 탑재된 메모리 용량이 대체로 증가되고 있는데 게임의 그래픽 옵션에서 가장 중요한 고해상도 텍스처를 불러오기 위해서는 그만큼의 그래픽 메모리 용량이 필요하다. 2019년 기준 엔트리 레벨의 그래픽 카드는 2~4GB, 메인스트림 그래픽 카드는 4~8GB, 하이엔드 및 플래그쉽 그래픽 카드는 8~16GB가 주로 탑재된다. 그래픽 전용 메모리의 가격이 결코 저렴하지 않다 보니 카드에 장착되는 GPU의 레벨과 더불어 각 레벨의 그래픽 카드 티어를 강제적으로 구분하고 있는 요소이다.
3.1.2.8. LPDDR SDRAM
||<:>규격 ||<:>실효 클럭 ||<:>전압 ||<:>대역폭[14] ||<:>개발 ||<:>표준화 ||<:>적용 ||
LPDDR SDRAM 400 MHz 1.8 V ??? 2005년 2006년 2007년
LPDDR2 SDRAM 800 MHz 1.2 V 6.4 Gbps 2008년 2009년 2010년
LPDDR3 SDRAM 1600 MHz 1.2 V 12.8 Gbps 2011년 2012년 2012년
LPDDR4 SDRAM 3200 MHz 1.1 V 25.6 Gbps 2013년 2014년 2015년
LPDDR4X SDRAM 4266 MHz 1.1 V ??? 2016년 2017년 2017년
LPDDR5 SDRAM 6400 MHz 1.05 V ??? 2018년 2019년 2020년


데스크탑 및 노트북에 사용되는 일반 DDR 말고 모바일 플랫폼을 위해 칩의 크기가 기존 메모리보다 훨씬 더 작은 크기이면서 저발열, 저전력 버전의 메모리로 개발된 LPDDR(Low Power DDR)도 나왔다. 본래 모바일 DDR(Mobile DDR)로 명명된 규격이었으나 LPDDR2부터 현재의 명칭으로 변경되면서 이전 규격도 DDR 앞에 LP가 붙는 걸로 통일되었다.

LPDDR 메모리 컨트롤러가 탑재된 칩셋 자체는 2007년에 발표된 퀄컴 스냅드래곤 1세대 S1 시리즈부터 처음 적용되었고, 제품화는 2009년 여름에 출시된 아이폰 3GS부터 등장하기 시작했으며, 이후에 나온 스마트폰, 아이패드 갤럭시 탭을 비롯한 태블릿 컴퓨터 등의 다양한 모바일 기기에 탑재되고 있다. 2010년 말에는 LPDDR2 규격이 팬택의 베가 X에 처음 채택되었고, 2012년 가을에는 LPDDR3 규격이 넥서스 10에 처음 채택되었으며, 2015년 초에 들어서 LPDDR4 규격이 LG G Flex 2에 처음 채택된 이후 안드로이드 진영과 애플 진영 모두 자사의 플래그십 스마트폰에 LPDDR4 SDRAM 채택률이 점점 높아지고 있다. 2017년부터 LPDDR4X SDRAM이 탑재된 스마트폰들이 등장하고 있고, 2020년부터는 엑시노스 990(舊 9830), 스냅드래곤 865를 필두로 LPDDR5 SDRAM이 채택된 스마트폰이 등장할 예정이다.

그래픽 DDR 메모리는 일반 데스크탑에 탑재된 그래픽카드 혹은 게이밍 노트북에서 접할 수 있지만 스마트폰 및 태블릿 컴퓨터 기기를 위한 그래픽 LPDDR 메모리는 아직 나오지 않았다. 고성능으로 설계되어 있어 전력을 먹는 수준이 남다르고 아이들 상태에서도 상당한 전력을 소모하기 때문에 모바일기기에 탑재하기 위해서는 전력 소모를 줄여야 될 것이다.

3.1.3. RDRAM

미국의 반도체 회사인 램버스에서 1992년에 개발한 고속 데이터 전송 메모리다. 대한민국에서는 삼성전자 SK하이닉스가 제조 기술을 보유하고 있다. 자세한 내용은 RDRAM 참조.

3.1.4. HMC

2011년에 개발된 차세대 메모리로, 복수의 DRAM을 수직 방향으로 적층하는 방식. 메모리뿐만 아니라 CPU, GPU 같은 프로세서 위에서도 적층할 수 있어 컴팩트한 모습으로 더 많은 여유 공간을 확보할 수 있지만 열이 발생하는 부품들이 모두 한곳에 집적된 형태이기 때문에 발열에 민감해지며 성능을 끌어올리기엔 기술적인 난이도가 높아 이를 채택한 상용 제품이 아직까진 없는 상태. 인텔 제온 파이에 쓰였었으나, 인텔이 제온 파이를 버렸다.

3.1.5. HBM

||<:>규격 ||<:>다이당 채널 구성과
스택당 다이 구성 ||<:>스택당
최대 용량 ||<:>스택당
버스 폭 ||<:>전압 ||<:>클럭
(실효 클럭) ||<:>핀당
I/O 데이터
전송률 ||<:>스택당
대역폭 ||<:>개발 ||<:>표준화 ||<:>적용 ||
HBM 2 채널 × 128-bit × 4-Hi 4 GB 1024-bit 1.3 V 500 MHz
(1 GHz)
1 GT/s 128 GB/s 2013년 2013년 2015년
HBM2 2 채널 × 128-bit × 8-Hi 8 GB 1024-bit 1.2 V 1000 MHz
(2 GHz)
2 GT/s 256 GB/s 2015년 2016년 2016년
HBM2E 2 채널 × 128-bit × 12-Hi 24 GB 1024-bit 1.2 V 1200 MHz
(2.4 GHz)
2.5 GT/s 307.2 GB/s 2019년 2018년 2020년
(예정)
HBM3 2 채널 × 128-bit × ??-Hi ?? GB ????-bit ?.? V ???? MHz
(? GHz)
4 GT/s 512 GB/s ????년 ????년 ????년


2013년에 선보인 차세대 메모리로, SDRAM(DDR 계열 포함)과 RDRAM과는 완전히 다른 구조를 띤다. 먼저 개발된 HMC의 높은 난이도로 인해 메모리만 적층하는 것으로 절충된 규격으로써 대신에 적층된 메모리와 프로세서 사이를 연결하는 인터포저의 역할이 중요해졌다. 문제는 아직 초기라서 그런지 그 인터포저의 제조가 상당히 까다로워서 이를 채용한 제품을 제조하는 업체들이 대량 생산에 어려움을 겪고 있다. 하이엔드~플래그쉽 그래픽 카드에 먼저 적용되었으며, 당장은 도입하기 어렵지만 차후에 RAM에도 적용될 가능성이 높다.

자세한 내용은 HBM 문서 참조.

3.2. 비휘발성 메모리

Non-Volatile Memory (NVM)

비휘발성 메모리를 총칭하는 용어. 넓은 의미로 플래시 메모리마저 이 범주에 속한다. 플래시메모리 중 랜덤 액세스가 가능한 NOR 플래시 메모리만 NVRAM 범주에 들어간다.

이 분야의 특허, 원천 기술 역시 미국의 IBM, 인텔 등이 독식하고 있다.

비휘발성 메모리는 기성의 반도체 제품을 제조하는 것과는 다른 소재와 공정이 필요하기 때문에 단가 자체가 비싸며, 연구개발도 개념 제안 정도에 머무르는 경우가 많기 때문에 개별 제품의 단위 용량 역시 보잘 것 없는 경우가 대부분이다. 2019년 현재는 주저장매체와 보조저장매체의 2원화된 시스템으로도 고도의 데이터 처리가 가능하기 때문에, 비휘발성 메모리 분야에 대한 거대자본의 투자가 미미한 편이다.

3.2.1. NVRAM

Non-Volatile Random-Access Memory

비휘발성 RAM. 통칭 차세대 메모리라고 일컫는다.
3.2.1.1. MRAM
Magnetoresistive Random-Access Memory

자기 저항 메모리. 오래 전부터 연구가 진행되었으며, 실 사용이 가능한 샘플의 양산도 끝마쳤으나 특성상 소자의 크기를 줄이기가 힘들기에 고밀도화에 난항을 겪고 있다. 박막의 스핀배열이 평행/반평행인지에 따라 저항이 변하는 거대자기저항(GMR) 현상[15]을 이용한 소자이다.

2017년 4월, 삼성전자에서 파운드리 제품에 MRAM을 접목하기로 하였다. 출처

2019년 3월 7일 삼성전자에서 MRAM의 양산 시작을 발표했다 정확히는 Foundry제품에 embadded로 MRAM을 넣은 제품의 양산출하 시작이다. 즉 진작에 양산에 들어간 것. 출처 embedded 형식을 띠는 것으로 볼 때 사용처는 스마트폰 등의 저장장치, eFlash 등의 대용으로 보인다.
3.2.1.2. STT-MRAM
Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random-Access Memory

스핀 주입 기술을 응용한 MRAM의 일종이다. 현재 차세대 메모리의 표준이 될 것이라는 추측이 많다. 여타 다른 차세대 메모리 중 SRAM의 속도에 가장 근접한 비 휘발성 메모리이다. MRAM의 진화형(2세대 MRAM)으로 보는 시각도 있으며, MRAM의 특성을 그대로 따라간다.

삼성·IBM 합작 연구로 집적도를 11nm까지 줄이는데 성공하면서 수년 안에 양산할 계획이라 한다. #
3.2.1.3. PRAM
Phase-change Memory, PCM

컴퓨터 저장 매체로서의 상 변화 메모리는 전기적 특성에 반응하는 유리 물질인 칼코게나이트계 소재의 상 변화의 특징을 저장 매체의 메커니즘으로 활용한다. 칼코게나이트는 황으로 대표되는 16족인 칼코겐 원소와 상대적으로 음이온보다 양이온이 되기 쉬운 양전성 원소로 구성된 화합물로, 칼코게나이트계 어레이는 저마늄, 안티모니, 텔루륨의 혼합 재제로 만들어 지는 것이 흔하다. 이 제재로 제작된 칼코나이트계 어레이는 섭씨 600도의 온도까지 견딜 수 있어 내구성이 우수하고, 어레이 자체에 물리적인 힘이 가해지지 않는 이상 반영구적이다. 정적 상태에서는 유리질의 결정이 없어 0, 칼코게나이트계 유리질이 결정화되면 1의 값을 갖는다. 여기서의 결정은 전기적 자극으로 형성되거나 없어질 수 있으며, 전원이 차단된 후에도 변화값이 유지되기에 정보 역시 유지된다.

칼코게나이트계 상 변화 메모리는 1960년대부터 미국에서 연구되기 시작했다. 1969년, 아이오와주립대학에서 칼코게나이트계 유리의 특성이 메모리로서의 잠재적인 특성을 갖고 있다는 점을 발표했으며, 이듬해 다이오드 어레이를 이용한 칼코나이트계 필름 시제품을 발표했다. 1970년대부터는 영상, 사진 자료를 저장하는 칼코나이트계 제품이 나오기 시작했다. 1970년대 중반부터는 고든 무어에 의해 인텔 사에서 컴퓨터 저장 반도체 매체로서 본격적인 연구가 시작되었다.

1990년대부터는 상 변화의 특성을 이용한 초보적 제품들이 나오기 시작했다. 전자식 다이오드, 접합형 트랜지스터(BJT), 고속 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 같은 전류/신호 통제장치에 상 변화 어레이가 적용된 것이다. 2004년에는 한 미세전자기계시스템(MEMS)에 상 변화 어레이가 전면 채용되면서 어레이가 PRAM의 형태로 등장하였다. 이 시스템은 휴렛팩커드에서 제작했는데 총 125GB의 용량을 지녔으며, 비휘발성 RAM의 조건인 속도가 고속이고, 전원이 차단되더라도 정보가 유지될 것을 완전히 충족하였다. 이러한 콘셉트는 IBM에 의해서 연구되고 있던 밀리페드 메모리 기술과 유사한 것이었다.

2006년에는 삼성이 64MB 단일 PRAM 칩을 발표했다. 46.7나노 공정으로 제작된 이 시제품은, 당시 용량 증량 문제로 어려움을 겪던 MRAM과 FeRAM과의 격차를 벌린 것으로 평가된다. 삼성이 시제품을 내놓자 인텔에서도 PRAM 개발에 박차를 가해, 2006년 10월 16MB의 칩을 시제품으로서 발표했다. 2008년에는 ST마이크로일렉트로닉스가 인텔과 협력해 입체 구조의 PRAM을 발표했며, 2010년에는 인텔에서 알루미늄 안티모니 합금을 이용한 PRAM을 발표하며 PRAM 제조 단가를 획기적으로 낮추는 계기를 마련하였다.

2010년 삼성에서는 20나노 공정의 8기가비트 칩을 발표했고, 2012년에는 마이크론이 20년 내에 모바일 기기에서 사용할 수 있을 정도의 PRAM 저장 매체를 양산하겠다고 발표해 PRAM의 본격적인 상업화에 드라이브를 걸었다. 2014년 IBM에서는 자사의 메인프레임 제품의 성능을 비약적으로 향상시킬 수 있는 새로운 I/O모듈을 발표했는데, 낸드 메모리와 PRAM을 함께 이용한 제품이었다. 2015년에는 인텔에서 칼코나이트계 어레이로 RAM을 시험 제작했는데, DDR3 규격의 SDRAM과 유사한 성능을 낼 정도로 성능 면 역시 우수하다. 같은 해, 인텔과 마이크론은 각각이 추진하던 PRAM 연구 개발 프로젝트를 합쳤고, 이 결과가 3D XPoint. 다만, 3D XPoint가 PRAM이라는 사실은 양사에서 이 개념을 발표한 지 한참 지난 뒤 연구 기관에서 제품을 뜯어 분석한 결과로 알려진 것이다.
3.2.1.4. RRAM
Resistive Random-Access Memory, ReRAM

저항 변화 메모리. 속도는 다소 느리나, MRAM에 비해 소자의 크기를 줄이기가 용이해 고밀도화에 유리하다.
3.2.1.5. FeRAM
Ferroelectric RAM. FRAM이라고 부르기도 한다.

한국어로는 강유전체 램.

비휘발성 반도체 메모리라고는 EEPROM밖에 없었을 때 혜성처럼 등장한 메모리.

비휘발성 메모리를 만드는 다른 방법은 SRAM에 백업하는 것 밖에 없었고, EEPROM은 트랜지스터 게이트 산화막을 매우 얇게 만들어야 한다는 것과 데이터의 수정에는 높은 전압이 필요하다는 것 이 두가지의 단점이 존재해 단가가 엄청나게 비쌌다. 이때 등장한게 바로 이 FeRAM. 1987년 IEDM와 1988년 ISSCC에 발표된 두개의 프로토타입을 시작으로 점차 개발되기 시작했다. 처음에 나왔을 때에는 512비트와 256비트의 용량을 가지고 있었지만 1989년에는 16Kb로 뛰었으며 10년의 데이터 보존 기간과 109의 I/O 수명을 가지고 있었을 정도이다.

하지만 양산에는 어려움이 있었는데, 1996년 1Mb의 용량을 달성했지만 양산은 2Kb밖에 가능하지 않았으며, 계속해서 개발했음에도 불구하고 2013년에 양산할 수 있는 FeRAM의 용량은 고작 4Mb밖에 되지 않는다. 게다가 강유전체 재료에서 박막을 얇게 하면 분극의 양이 급속히 떨어지는 현상인 크기 효과로 공정 미세화가 어려워 2015년에 DRAM이 20nm까지 도달한 것과 비교해 FeRAM은 고작 130nm에서 멈춰 있는 것도 문제이다. 출처 그러나 2011년 신소재의 발견으로 인해 박막을 얇게 만들어도 강유전성을 유지할 수 있는 방법이 발견됨에 따라 2016년 현재 최신 공정인 14nm에도 대응이 가능한 수준이 되어, 다시 반도체 업체들의 급격한 관심을 받고 있는 중이다. 다만 아직 해당 소재의 특성이 완전히 밝혀져 있지 않아 실용화까지는 한참 먼 상황.

4. 사실은 틀린 용어?

RAM이 '임의 접근'할 수 있는 메모리이므로 HDD 등의 장치들도 RAM의 범주에 들어가며, 우리가 통상 이해하는 읽고 쓸 수 있는 주기억장치만을 RAM이라 부르는 것은 틀린 것이라고 오해하는 경우가 있다.

Random Access라는 말은 어느 위치에든 똑같은 속도로 접근하여 읽고 쓸 수 있다는 의미를 포함하고 있으므로 FDD ODD, HDD 같은 경우는 RAM의 범주에 들어가지 않는다. ROM도 접근 위치와 상관 없이 같은 속도로 데이터를 읽을 수 있으나 '쓰기'가 안 되므로 RAM의 하위 분류에 속하지 않는다. HDD 등의 기억장치와 같이 어느 위치에나 직접 접근할 수 있으나 데이터의 물리적 위치에 따라 읽고 쓰는 시간에 차이가 발생하게 되는 기억장치들은 Direct Access Memory 또는 Direct Access Data Storage라고 부른다.

한편, 적어도 8비트 CP/M 시스템콜과 MS-DOS의 시스템콜에서는 랜덤 억세스는 당연히 FDD, ODD, HDD를 포함한다. 그때는 카세트 테이프형태 순차접근 저장장치에 사용하는 시퀀셜 억세스에 대응하는 말로 썼다. 램의 랜덤 억세스는 따지자면 이쪽과 상통하는 뜻이다. 하지만 어쨌든 램은 램이지 외부기억장치와 같은 그룹으로 취급된 적은 없다.

다만 SSD를 필두로 한 플래시 메모리의 등장으로 혼란이 있는 것도 사실이므로, 기존의 RAM을 VM(Volatile Memory)으로 칭하는 사람도 있다.[16]

5. 가격 변동

램은 굉장히 가격 변동이 심한 편이다. 매년 성능이 업그레이드되고 기능과 외형이 변화하는 다른 컴퓨터 부품들에 비해 램은 한번 규격을 정해놓고 생산하기 시작하면 다음 규격제품이 대중화 되기 전까지 동일한 제품을 일관되게 생산해서 판매하기 때문에 공산품이라기보다는 원자재에 가까운 부품이기 때문이다. 또 신제품이 출시되도 이전 제품과 성능과 가격을 비교해가며 무슨 제품을 사는 것이 소비자에게 얼마나 더 이득인지 계산하는 과정에서 가격대가 저절로 유지되는 CPU 그래픽 카드와는 달리 램은 제품에 상관없이 용량과 성능이 거의 일정하기 때문에 이러한 과정 없이 즉각적으로 가격에 변화가 일어난다.

램은 컴퓨터를 구성하는데 필수적인 부품이면서도 이에 대한 수요는 시장상황에 따라 굉장히 변화무쌍한데, 램을 생산하는 회사의 총 생산량은 거의 변하지않으므로 수요와 공급에 따라 가격이 빠르게 변화한다. 많은 사람들이 컴퓨터를 교체하는 시기나[17] 대기업 회사들이 서버확충 등을 위해 컴퓨터 자원을 대량으로 구축하려고 할 때 등의 시기에 램의 가격이 굉장히 비싸지고 반대로 무난한 시장이라면 생산업체들의 가격경쟁으로 인해 점차 가격이 내려가며 안정화된다. 가장 많이 소비되는 삼성 DDR4 8G 램을 기준으로 보면 가장 저렴했을 때의 가격이 2018년 3월 29,800원이었을 때에 반해 가장 비쌌을 때는 2017년 10월 16일 무려 148,290원으로 동일한 제품의 가격이 시기에 따라 무려 5배에 가까운 가격차이를 기록했다.

5.1. 램 생산 업체 간의 가격 경쟁

수년 주기로 반도체 업체들 간에 치킨 게임이 반복되고 있다. 가장 최근의 치킨 게임은 2016년 중반 저점을 치며 끝났고 2019년 현재 다시 치킨 게임이 시작된 듯 하다. 이렇게 수년 주기로 치킨 게임이 반복되면서 삼성전자, 하이닉스, 그리고 마이크론 세 개 기업이 십여년째 시장을 과점하는 중이다.

가끔 이 부분에 대해 오해하는 경우가 종종 있다. 다양한 DRAM 완제품 브랜드가 존재하는데다 또 수율 좋고 성능 좋은 브랜드들이 많은데 그냥 우리나라는 많이 찍어낼 뿐 아니냐? 생각하는 경우도 있을 정도. 그렇지 않다. 다른 브랜드들의 DRAM 완제품들도 자기네들이 조립만 하지 직접 찍어 낼 수 있는 기업은 드물고, 결국 삼성전자, 하이닉스, 마이크론 3사의 DRAM칩(모듈)을 가져다 만드는 것이다. 즉 커스텀이나 수율 좋고 성능 좋은 제품들도 대부분 상기한 기업들 에서 만든 모듈을 사용해 만드는 셈. 덧붙여 여기서 삼성과 하이닉스의 점유율을 합하면 75%에 달하고, 마이크론이 20% 수준이라 이 세 기업만으로 점유율 95%에 달한다. 즉, 한국과 미국 외에는 발도 들이밀지 못하고 있는 상황.[18]

여하튼 이러한 치킨게임의 결과 DRAM 시장은 한국 회사들이 꽉 잡고 있는 상태가 유지되고 있다. 메인보드 시장을 대만 회사들이 꽉 잡고 있는 것과 비슷하지만, 여기서 중요한 것은 메인보드 시장은 RAM 시장의 규모 및 부가가치에 상대가 안된다는 점이다. 상기에도 썼듯이 삼성전자나 SK하이닉스는 완제품 DRAM도 만들지만, 단순히 칩셋을 가져다가 DRAM을 조립해서 만들기만 하는 회사가 아니라 DRAM칩을 직접 생산하는 것의 의의가 크며 메인보드는 각 필요한 부품과 칩셋을 가져다가 기판에 조립하는 것에 가깝다. 물론 좋은 메인보드를 만드려면 당연히 노하우나 그에 따른 기술력도 필요하지만, 의외로 노동집약적인 경향이 있고 저부가가치의 산업인 편으로 애당초 사업 규모나 이익 레벨에서 메모리 반도체 영역과 비교가 안된다. 메인보드 시장에서 꽤나 잘나가는 ASUS, GIGABYTE, msi 등 대만 기업들의 시가총액이나 매출액, 영업이익[19]은 애당초 삼성전자의 반도체사업부만 떼놓고 봐도 그렇고 SK하이닉스보다도 훨씬 떨어진다. 어느정도 차이냐면 저 세 곳의 시가총액을 합해도 SK하이닉스 하나를 못이긴다는 것. 오히려 대만에서 알짜로 볼만한 것은 파운드리 업계에서 1인자를 차지하고 있는 TSMC 정도이다.[20]

반복되는 치킨 게임의 결과 다른 회사들이 다 망하고 위 세 개 기업들이 전 세계 램 시장을 거의 장악하는 상황이 지속되자 소비자들에게는 진정한 재앙이 시작되었다. 램값이 무시무시하게 폭등하기 시작한 것이다. 1년 만인 2017년 여름 램값은 네 배 가량 대폭등했다. 라이젠과 커피레이크 등 고성능 CPU가 속속 출시되었지만 램 값이 비싸도 너무 비싸 시스템을 새로 맞추는 것을 엄두도 못내는 상황이 되었다. 커피레이크 i5-8400이 벌크로 19만원대, 하스웰 i3를 뛰어넘는 성능의 G4560(카비레이크)가 벌크로 5만 원대에 판매되고 있는 있는 와중에 이에 맞는 시스템을 구축하기 위해 16G 램을 구입하는데 20만 원이 넘게 드는 어처구니 없는 상황이 도래하고 말았다.

참고로 위 3사 외에도 GEIL이나 G.SKILL, TeamGroup 같은 고성능 튜닝램 브랜드도 있다. 물론 이경우는 상기에 쓴 대로 직접 생산이라기보단 모듈을 갖고와서 수율 좋은 놈으로 튜닝램 제품을 만들어 내는 것이 보통. 가격이 싼 타무즈나 메모리를 직접 생산하면서 튜닝램까지 만드는 크루셜( 마이크론), 에센코어(하이닉스) 등도 있다. 성능 자체는 나쁘지 않으나 점유율은 상당히 낮다.

2005년 5월부터 2009년 9월까지만 해도 SDRAM 시장 주력은 DDR2였으나, 2009년 9월 이후부터는 DDR3가 시장의 주력으로 전환되었고, 2014년에 DDR4가 도입되었을 때에도 여전히 DDR3가 주력이었다. 2017년에 들어서야 DDR4가 시장의 주력으로 전환되었다.

과거에도 무시무시한 치킨 레이스가 벌어졌던 부품으로, 2011년 초에는 DDR3 PC3-10600 2GB 제품이 2만 원대 초반의 가격이었지만, 1년도 지나지 않아 동년도 4분기에는 DDR3 PC3-10600 4GB의 가격이 2만 원 밑으로 떨어지기도 했다. 2012년 1월 현재 시스템 램 용량을 8GB 이상으로 구성하더라도 가격 부담이 아주 적었다.

그런데 2012년 2월 말, 세계 3위 반도체 기업 엘피다 메모리가 파산 신청을 하면서, 램 가격이 오르기 시작했다. 사실상 한국 기업인 삼성전자와 하이닉스가 치킨 레이스에서 승리한 셈. 이 소식이 전해지자 가격이 하루 만에 몇 천 원씩 오르기도 했다.

삼성전자에서 DDR4 DRAM을 개발했다고 한다. 2012년부터 양산한다고 했다. #

삼성전자에서 2013년에 반도체 투자를 대폭 축소한다는 기사가 나왔다. # 2012년 대비 30% 이상 줄인다고 했다.

2017년 후반기 들어 램값이 폭등하면서 램 16GB짜리 시스템을 맞추는데 램값만 20만원이 넘게 들어가는 배보다 배꼽이 큰 사태가 일어나고 있다. 이는 DDR3라고 다르지 않지만, DDR3 8GB 10600은 여전히 3만 원 후반대를 유지중이다. 12800은 12만 원을 넘나든다. 급하게 램 증설이 필요한 DDR3 유저들의 마지막 희망줄이다. 이것도 8~9월 이후로는 12800이나 10600이나 가격차가 없다. 애초에 10600 8GB는 매물 자체가 거의 없다.

하지만 2017년 10월 즈음부터 삼성전자와 하이닉스가 중국 반도체 업체를 막기 위해 치킨 게임을 시작하면서( 관련 기사) 램 값이 엄청난 속도로 떨어지기 시작했다가 2018년 상반기에는 또다시 상승하여 삼성전자 및 하이닉스 등이 사상 최대 실적으로 기쁨의 눈물을 흘리다 지금은 안정화되고 있는 등 올랐다 내렸다의 반복이 어이지고 있다. 자세한 가격 변동은 하단 내용을 참고.

===# 가격 변동의 역사 #===
2013년

2013년 3월 6일 기준 4기가 램이 19,000원에서 4만 2천 원으로 두 배 이상 뛰었다. 2013년 6월 23일 기준으로 삼성전자 메모리를 알아보면 2GB 메모리는 25,000원대, 4GB는 45,000원대 8GB는 무려 110,000원대였다.

2013년 7월 23일 기준 DDR3 12800 4GB가 3만 7천 원대, 10600이 3만 8천 원대였고, DDR3 12800 2GB는 1만 7천 원, 10600은 2만 4천 원대였다.

2013년 9월 5일 하이닉스 중국 공장에 화재가 발생하여 그 여파로 D램 가격이 올랐다.

2014년

치킨 게임이 끝나고 업체들의 담합이 시작되었는지 2014년에는 DDR3 12800 4GB가 몇 달째 37,000원에서 변하지 않았다.

2014년 하반기에 DDR4가 출시됐다. 출시 초기라서 그런지 동일 용량 기준으로 DDR3의 2배 가격이다.

2014년 6월, 삼성에서 DDR4 램의 가격을 낮추는 동시에 DDR3도 낮추었다. DDR4는 8GB기준 77,000원 DDR3는 58,000(!!)

2015년

2015년 7월 14일, DDR3 램의 가격이 전체적으로 내려간 상태. 4GB가 25,000원으로 거의 3~4년 전으로 돌아갔다.

2015년 8월 10일, DDR4 램의 가격이 8GB에 69,000원이며 DDR3은 56,000원이다.

2015년 10월 16일, DDR4 램의 가격이 지속적으로 떨어지는 중이다. DDR4 램은 8GB에 49,200원이며, DDR3 램은 8GB에 42,400원에 구입할 수 있다.

2015년 10월 20일 즈음하여 DDR3와 DDR4 16GB 램이 시중에 팔리고 있다. 가격은 115,000원 내외이며 최근 출시되는 Z170 보드가 64GB까지 램 지원이 가능하므로 이를 이용해 정말 64GB까지 램 구현이 가능해졌다.

현재는 수요를 공급이 못 따라간다는 점, 2D 낸드를 3D 낸드로 전환하는 기간이라 그런지 램값이 매우 높은 편.

2016년

2016년 2월 9일, 8GB DDR3 램의 가격은 37,000원, DDR4 가격은 약 40,000원이다.

2016년 6월 5일, 8GB DDR3가 30,900원, DDR4가 30,200원이 되면서 DDR4가 DDR3보다 더 가격이 낮아졌다.

2016년 7월 7일, 8GB DDR4의 가격이 갑자기 4만 원으로 폭등했다.

2016년 10월 22일, 8GB DDR4의 가격이 5만 원대 초반으로 이전보다 더 비싸졌다!

2016년 10월 30일, 8GB DDR3 약47000 DDR4 47000 같은 가격이다. 가격이 내려가지 않는다.

2016년 11월 15일, 8GB DDR4 50000 이상.

2017년

2017년 1월 01일, DDR4 8GB의 가격은 65,000원으로 서서히 상승세를 보이고 있다.

2017년 1월 26일, DDR4 8GB의 가격은 68,000원으로 꾸준히 상승세를 보이고 있다.

2017년 5월 27일, DDR4 8GB의 가격은 63,300원으로 약간 떨어졌다.

2017년 7월 11일, DDR4 8GB의 가격은 78,000원~87,000원으로 폭등했다.

2017년 8월 24일, DDR4 8GB의 가격은 93,976원이다.(평균가)

2017년 9월 23일, DDR4 8GB의 가격이 드디어 10만 원을 찍었다!

2017년 9월 28일, DDR4 8GB의 가격은 109,660원이다.(최저가)

2017년 10월 13일, DDR4 8GB의 가격은 139,500원을 찍었다…

2017년 10월 15일, DDR4 8GB의 가격은 140,090원을 찍었다. DDR4 16GB는 무려 272480원.

2017년 10월 16일, DDR4 8GB의 가격은 148290원을 찍었다.

2017년 10월 23일, DDR4 8GB의 가격이 127,100원으로 내렸다!

2017년 10월 28일, DDR4 8GB의 가격은 97,900원이다.

2017년 11월 04일, DDR4 8GB의 가격은 95,700원이다. 1달도 안 된 사이에 5만 원가량이 떨어진 것이다!

2017년 11월 09일, DDR4 8GB의 가격은 84,700원이다.

2017년 11월 12일, DDR4 8GB의 가격은 82,450원이다.

2017년 11월 16일, DDR4 8GB의 가격은 98,650원이다. 수능 막바지 시즌이라 잠깐 가격이 오른 것으로 추정된다.

2017년 11월 17일, DDR4 8GB의 가격은 96,080원이다.

2017년 11월 18일, DDR4 8GB의 가격은 88,000원이다. 다시 8만 원대로 내려가고 있다. 가격이 내려가고 있는 건 수요가 줄거나 공급이 늘어서가 아니라 삼성전자의 D램 증산 소식 때문으로 보인다.

2017년 11월 25일, DDR4 8GB의 가격은 84,000원이다.

2017년 12월 05일, DDR4 8GB의 가격은 83,100원이다.

2017년 12월 18일, DDR4 8GB의 가격은 85,200원이다. 떨어질 생각을 안 한다.

2017년 12월 24일, DDR4 8GB의 가격은 84,700원이다.

2018년

2018년 1월 05일, DDR4 8GB의 가격은 88,000원, 16GB의 가격은 172,000원이다. 18년이 되면 램 가격이 30% 오른다는 소문이 돌았으나 그 소문은 틀린 것으로 보인다.

2018년 1월 09일, DDR4 8GB의 가격은 91,730원이다.

2018년 1월 19일, DDR4 8GB의 가격은 88,320원, 16GB는 ECC 183,200원, Non-ECC 196,900원이다. 희한하게도 8GB 19200이 17000보다 싸다.

2018년 2월 23일, DDR4 8GB의 가격은 93,570원, 16GB의 가격은 192,240원이다.

2018년 3월 11일, DDR4 8GB의 가격은 83,000원, 16GB의 가격은 177,300원이다.

2018년 4월 05일, DDR4 8GB의 가격은 81,400원, 16GB의 가격은 170,200원이다.

2018년 4월 24일, DDR4 8GB의 가격은 80,100원, 16GB의 가격은 167,200원이다.

2018년 6월 02일, DDR4 8GB의 가격은 79,200원, 16GB의 가격은 163,800원이다.(19200 기준)[21]

2018년 6월 05일, DDR4 8GB의 가격은 79,000원, 16GB의 가격은 163,500원이다.

2018년 6월 16일, DDR4 8GB의 가격은 77,700원, 16GB의 가격은 162,500원이다.

2018년 6월 25일, DDR4 8GB의 가격은 79,600원, 16GB의 가격은 161,400원이다.(19200 기준) 8GB 램은 어쩐 일인지 다시 오르고 있다...

2018년 7월 26일, DDR4 8GB의 가격은 77800원(현금), 82070원(카드), 16GB 가격은 159900원(현금), 170260원(카드) (19200 기준). 6월 말~7월 초까지 잠깐 올라갔다가 이제서야 6월 중반과 비슷한 가격으로 돌아왔다.

2018년 9월경 인텔의 CPU 공급 부족으로 인한 CPU 가격 폭등으로 노트북의 생산량이 줄어들고, 그에 따라 노트북에 장착될 RAM도 갈 곳을 찾지 못 하고 시장으로 나와 램 가격이 하락할 것으로 전망된다.

2018년 9월 보급형 ESSENCORE KLEVV 시리즈가 등장하며 8GB 가격을 67000원대로 확 낮췄다.

2018년 11월 24일 삼성 DDR4 8GB 가격은 67600원, DDR4 16GB 가격은 136,000원이다.

2019년
  • 2019년부터 삼성 DDR4램에 B다이가 단종되고 T다이가 추가되었다. 따라서 삼성램의 구매 이유 중 하나인 램오버가 잘 안 되어 구매할 이유가 줄어들었다 삼성 램 다이 설명 인텔 기준 국민오버 정도는 되지만 AMD에서는 국민오버도 어렵고 과거 삼성 B C다이보다 더 쳐진다. 가격 대비 에쎈코어 클레브 램이 더 유리하다.

2019년 1월 06일, DDR4 8GB 19200의 가격은 66,000원, 21300은 64,600원이다. 2666MHz(21300) 제품이 2400MHz(19200) 제품보다 가격이 싸졌다.

2019년 1월 21일, DDR4 8GB 21300의 가격은 59,980원이다.

2019년 2월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격은 55,300원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 2월 13일, DDR4 8GB 21300의 가격은 53,900원이다.(다나와 기준)

2019년 2월 27일, DDR4 8GB 21300의 가격은 55,000원(현금)이다.(다나와 기준)[22][23]

2019년 3월 06일, DDR4 8GB 21300의 가격은 48,900원이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 4월 05일, DDR4 8GB 21300의 가격은 43,200원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 5월 28일, DDR4 8GB 21300의 가격은 38,000원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 6월 11일, DDR4 8GB 21300의 가격은 34,400원(현금), 16GB는 72,800원(현금)이다.(다나와 기준)

2019년 6월 25일, DDR4 8GB 21300의 가격은 30,700원(현금), 16GB는 65,600원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 7월 02일, DDR4 8GB 21300의 가격은 28,800원(현금), 16GB는 60,600원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 7월 10일, DDR4 8GB 21300의 가격이 43,500원(현금), 16GB는 82,000원(현금)으로 갑자기 폭등했다.[24](삼성램, 다나와 기준)

2019년 10월 17일, DDR4 8GB 21300의 가격은 32,910원(현금), 16GB는 66,040원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 10월 29일, DDR4 16GB 21300의 가격은 무려 60,150원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2019년 11월 18일, DDR4 8GB 21300의 가격은 33,600원(현금), 16GB는 67,410원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년

2020년 1월 17일, DDR4 8GB 21300의 가격은 42,410원(현금), 16GB는 86,700원(현금)으로 또다시 폭등했다.(삼성램, 다나와 기준)

2020년 2월 19일, DDR4 8GB 21300의 가격은 35,500원(현금), 16GB는 70,900원(현금)이다.(삼성램, 다나와 기준)

6. 주소할당 문제

항목 참조.

7. 기타

  • 마이크로소프트에서 Windows XP 서비스 팩 2 출시 때 4GB 이상의 메모리 지원 여부를 검토하였다. 윈도우 95는 32비트 OS임에도 불구하고 메모리 최대 인식 용량이 768MB[25]이다. 그 이상인 경우 메모리 부족이라는 에러 메시지가 뜨며, INI 파일 수정을 통해 메모리를 768MB로 제한하여야 한다. MS의 예측보다 하드웨어가 빠르게 발전한 게 크리인 셈. 사실 이건 Windows 9x가 가진 구조적인 문제점이다. 애당초 당시 프로그램 호환성 환경상 16비트 코드도 달고 가야 했기 때문. 그리고 얼마 뒤 2005년에 MS는 윈도우 XP의 x64 버전을 출시하였다.[26]
  • 램에는 용량뿐 아니라 데이터 전송 속도도 중요한데, 램을 여러 개 꽂을 때 전송 속도가 다르면 낮은 쪽에 맞춰진다. 예를 들어, 1333MHz 클럭의 DDR3 램을 사용하다가 1600MHz 클럭의 램을 추가하게 되면 1333MHz로 다운클럭하여 동작한다.[27] 업그레이드할 때 주의. 데이터 전송 속도는 램의 모듈 네임으로 알 수 있다. DDR3영문 위키 아래에 모듈 네임과 전송 속도 표가 있다.
  • RDRAM/DDR 램부터는 싱글 채널과 듀얼 채널, 트리플 채널, 쿼드 채널 등 램을 묶어 대역폭을 증가시키는 기술이 채용되었으며 일반적인 컴퓨터에서는 듀얼 채널까지 지원한다. 채널은 같은 용량에 같은 모델인 램끼리 장착되었을 때 활성되며 만약 앞의 조건에 부합하지않는다면 싱글 채널, 혹은 플렉스 모드로 동작한다. 같은 모델이라면 제조주차나 생산 팹에 상관없이 호환된다. 인텔 기술 지원 해당 내용 영상, 클리앙 게시글.
    예를 들어 4GB DDR4 17000와 4GB DDR4 19200을 같이 장착하면 4GB DDR4 17000이 2개 끼워진 듀얼 채널로 인식되지만 4GB DDR4 19200과 8GB DDR4 19200을 같이 장착하면 4GB DDR4 19200 2개 끼워진 듀얼 채널과 4GB DDR4 19200이 1개 끼워진 싱글 채널, 즉 플렉스 모드로 인식된다.
    제조사나 단면/양면 여부는 일치하지 않아도 상관없다. 타이밍 역시 가장 느슨한 쪽으로 맞춰지기 때문에 일치하지 않아도 상관없다. 다만 컴퓨터가 오래되었거나 일부 특수한 메인보드의 경우에는 제대로 인식하지 못하는 경우도 있기 때문에 동일한 제품으로 맞추는 것이 좋기는 하다. 안정성을 중시하는 서버나 워크스테이션 역시 동일한 조합으로만 맞춘다.
  • 듀얼 채널 메모리를 구성하면 메모리를 많이 이용하는 작업에서 약간의 속도 향상을 기대할 수 있다. 특히 메인 메모리를 공유하게 되는 내장 그래픽은(인텔 HD 그래픽 제품군이나 AMD APU 제품군) 듀얼 채널 구성 시 싱글 채널 대비 거의 40%의 성능 향상을 보여주기도 한다. ( LGA 1366소켓을 사용하는)코어 i7 900대라면 트리플 채널도 지원한다. 거기에 한술 더 떠서 샌디브릿지 이후의 코어 i7 익스트림, 코어 X 제품군(일부 제외), 스레드리퍼 등은 쿼드 채널을, 제온 스케일러블 제품군은 헥사 채널, 에픽 제품군은 옥타 채널까지 지원한다.
  • ECC(Error Correction Code) 램이라는 서버, 전문가용 램이 존재한다. 성능이 살짝 떨어지지만 메모리 오류 문제를 해결해줄 수 있기 때문에 서버 컴퓨터나 전문업종에서 사용하는 컴퓨터들에 주로 사용된다. 워크스테이션급 이상이라면 죄다 ECC는 반드시 들어가 있다고 보면 된다. 하나의 오류라도 큰 문제로 이어질 수 있기 때문이다. 가격도 일반 램에 비해 꽤 비싸다. 일반램과 다른 점이라면 칩이 3,5배수로 이루어져있다. 즉 칩이 9개 및 10개라면 ECC램이라는 뜻. ECC가 적용된 램은 UDIMM(Unregistered DIMM)[28], RDIMM(Registered DIMM),[29] LR-DIMM (Load Reduced-DIMM)[30], 3DS(3D-Stacked) LRDIMM[31] 종류가 있으며, 현재 일반 램보다 더욱 높은 용량과 비싼 가격으로 유통되고 있다. 오죽하면 1테라바이트로 구성할 때 제온 E5 2699v4 2프로세서[32] 구성보다 몇배나 비싸다는 것.[33] ECC를 지원하는 일반인용 CPU로는 아톰, 코어 i3, 스레드리퍼 등이 있다.
  • 과거(2000년대 이전)에는 램 값이 같은 중량의 값을 가뿐히 넘었다. 당장 1990년대 중반~말엽까지는 PC의 가격 중 무려 절반이 램 값이었고, 중고 시세도 좀처럼 떨어지지 않았다. 그래서 항상 프로그램이 요구하는 용량보다 적은 용량만 간신히 구입해서 컴퓨터에 달 수 있었다. 이런 이유로 인해 하드디스크의 일정 영역을 램처럼 사용하는 가상 메모리 등의 기술이 만들어지게 된다. 하지만 램 가격은 빠르게 하락했고, 수백MB~2GB 정도의 램 용량이 주로 사용되던 시기에는 새 컴퓨터 본체를 구입할 만한 비용이 없을 경우, 비어있는 램 소켓을 채울 겸 해서 램만 추가로 구입하는 업그레이드를 하는 경우도 많았다.
  • 32비트 CPU, 또는 64비트 CPU를 사용하더라도 32비트 Windows를 사용하는 경우, 시스템에서 사용가능한 최대 램 사이즈는 4GB이다. 2004년 6월 출시된 LGA 775소켓의 인텔 펜티엄4 프레스캇 이후 출시한 대부분의 인텔 x86 CPU는 64비트 명령을 지원한다. 그러므로 2017년 기준으로 32비트 CPU라면 사실상 고물상에서나 볼 수 있다. 그러므로 시스템의 램을 4GB 이상 증설하고 싶다면 자신의 시스템이 64비트 시스템이 맞는지 반드시 미리 확인해야만 한다. PAE로 인해 32비트 운영체제도 4GB 이상을 액세스하는 게 불가능하지 않다. Windows가 지원을 안할 뿐. 32비트 PAE 커널을 사용하는 리눅스 배포판들은 모두 4기가 이상 잘만 인식한다.
    현재에 들어서 웬만한 컴퓨터에서는 64비트 OS를 사용하고 있을 것이다. 인텔 네할렘 마이크로아키텍처 기반의 1세대 코어 i 시리즈 중 2009년 9월에 출시된 린필드 CPU를 기점으로 4GB 2장으로 구성하는 사용자들이 본격적으로 많아지기 시작했고,[34] 2015년 8월에 출시된 인텔 스카이레이크 마이크로아키텍처 기반의 6세대 코어 i 시리즈부터 4GB 2장 구성이 기본이 됨에 따라[35] 8GB를 모두 활용할 수 있는 64비트로 자연스럽게 옮겨졌다. 특히, 2016년에 출시된 오버워치랑 2017년에 출시된 플레이어언노운즈 배틀그라운드가 64비트 시스템을 필수적으로 요구했기 때문에 아직도 32비트 시스템에 머물고 있던 많은 사람들도 64비트 시스템에 대해 그제서야 관심을 가지고 이주하는 계기가 되었다.
  • 또한 고해상도 사진 파일을 다루는 포토샵이나 3D 맥스. 도면 및 설계 작업에 쓰는 인벤터 같은 프로그램을 돌릴 때는 그저 램 용량이 깡패다. 이와 같은 프로그램을 돌릴 때에는 아주 큰 메모리 용량을 필요로 하는데, 램 용량이 모자랄 경우 사용자의 인내심을 시험하게 될 것이다. 램 용량이 부족하면 가상 메모리를 사용하게 되어 램 대신 속도가 매우 느린 HDD에 작업 내용을 열심히 썼다 지웠다 하기 때문이다.[36] 가상 메모리를 안 쓰면 앱이 터질 수도 있다. 더 나아가 램 용량이 충분하다면 포토샵 작업 시 수GB 이상의 넉넉한 용량으로 설정한 램 디스크를 스크래치 디스크로 설정해 놓으면 작업의 능률 향상에 도움이 된다. 용량이 적으면 오히려 방해가 될 수 있다. 램 용량뿐만 아니라 고클럭 램으로 구성하려는 사람들도 있는데, 램 용량이 동일할 때 램 대역폭에 의한 작업 능률 차이는 유의미하게 크지 않다. 따라서 고클럭 램을 구할 돈으로 용량을 더 늘리는게 훨씬 이득이다.
  • 램은 읽기/쓰기 속도가 빠르고 대역폭도 크지만 접점이 많아서 접점 불량으로 잦은 불량을 일으키는 주범이다.(…) 종종 OS에서 인식이 제대로 되지 않아서 램 채로 하드웨어 예약으로 빠지기 일쑤. 게다가 요령이 없으면 엄지손가락이 부러져라 꽂아도 메인보드가 휘어지도록 꽂히지 않는다. 프리징이나 블루스크린이 자주 뜨면 램의 접점에 접점 부활제를 사용해보자. 램의 접점을 지우개로 밀어서 해결하는 방법도 있지만, 이 방법은 램의 접점에 물리적 손상을 줄 수 있기 때문에 권장하지 않는다. 램의 접점이 지우개로 인해 손상이 된 경우, 소비자 과실로 인정되어 어떠한 AS도 거부된다.
  • 중고로 구입해도 크게 문제가 되는 부품이 아니다. 램은 고의로 자석을 대거나 떨어뜨려서 망가뜨리지 않는다면 반영구적으로 쓸 수 있으므로 새 것과 중고의 성능차이는 거의 없다고 한다. 가격만 빼고
  • 램을 교체하는 건 컴퓨터 부품 교체 중 가장 간단하다고 할 만한 작업이다. 따라서 램을 업그레이드하거나 추가하는 경우 컴퓨터 가게에 가서 할 필요가 없다. 물론 가면 해주긴 하는데 어지간하면 동영상을 보고 하는 방법을 익혀서 부품만 사서 스스로 갈아라. 교체비로 나가는 몇 만 원을 절약할 수 있다. 드라이버가 없다면 다이소에서 규격에 맞는 미니드라이버를 사서 쓰면 된다. 가격은 천 원이다. 물론 노트북이나 컴퓨터 분해에 정말 자신이 없다면 맡기는 게 낫지만 어느 쪽이 경제적인지는 알아서 판단할 것.
  • 컴퓨터 부품 중 용량 꼼수가 없는 부품 중 하나다. 보조 기억 장치 중에서는 ODD가 유일하게 표기 용량과 실제 용량이 동일하다. 예나 지금이나 표기 용량과 실제 인식 용량이 같다.


[1] Registered-Dual In-Line Memory Module [2] 서버나 워크스테이션용 메모리로 쓰인다. 일반 PC에서 지원하는 현존 최고 용량을 자랑한다. [3] 일반 PC에서 사용이 불가능하며 기타 부품(CPU, 메인보드)이 지원을 해 줘야 사용할 수 있다. [4] 물론 CPU엔 레지스터 캐시 메모리가 있지만 용량이 매우 적다. [5] 셀러론 CPU에 그래픽카드가 없는 일체형 PC를 사용 중이라면 금상첨화. [6] 코어2 듀오까지만 해도 L3 캐시가 통짜였기 때문에 교조적으로 똑같은 시간을 맞출 수 있었지만, 쿼드코어 이상에서 그렇게 만들면 L3 레이턴시가 2~3배 느려지기 때문에 AMD FX 시리즈를 마지막으로 사라진 방식이다. (실제로 AMD FX 시리즈가 이 문제로도 많이 까였다. AMD FX Latency나 AMD Bulldozer Latency로 구글링 하면 당시의 흔적을 볼 수 있다.) 현재 인텔의 경우 CPU 코어가 각각 L3 캐시 블럭을 나눠 가지고 있고 이들을 링버스나 메쉬 버스로 동기화시켜서 논리적인 하나의 L3캐시를 구성하는 방식이다. AMD 라이젠 시리즈의 경우 CCX로 나눠져 있는데다가 CCX 내부 구조를 보여주는 개념도를 보면 CCX 내에서도 다시 1MB 블록으로 나눠져 있는 걸 볼 수 있다. [7] 후술하겠지만 이런 물건을 구별하기 위해 Direct Access란 용어를 쓰기도 한다 [8] 엄밀하게 말하자면 램다익선이 맞겠지만 관용적으로 쓰이게 된 지 오래다. 예산이 많을수록 램에 투자한다고 풀이하면 맞는다. [9] 램 정보를 보면 뒤쪽에 19200, 21400 등이 써져 있는데, 바로 이 메모리 대역폭을 가리키는 것이다. 그리고 이 대역폭은 램의 클럭과 비례하여 올라간다. [10] SSD를 RAID 구성으로 하면 더 빨라진다. [11] 인텔 제온 시리즈, AMD EPYC 시리즈, AMD Threadripper 시리즈 등 특수한 CPU만 3채널 이상을 지원한다. [12] 이상적으로는 스위치가 off 되면 전류가 흐르지 않아 방전이 일어나지 않아야 하지만 실제로는 커패시터와 연결된 스위치가 off되더라도 미세한 전류가 흐르기 때문에 방전된다. [13] JEDEC 표준 기준. 오버클럭 메모리는 이보다 더 높은 클럭을 지원한다. [14] x64 기반 [15] 흔히 스핀 밸브라고 한다. [16] 이에 반해서 플래시 메모리 등은 NVM(Non-Volatile Memory)으로 칭한다. [17] 주로 다음 세대의 cpu나 그래픽 카드가 출시되었을 때 이런 현상이 나타난다. [18] 한 때 한국의 DRAM 산업을 넘자고 열심히 미세공정 뻥카(...)를 치며 분발했던 일본의 엘피다 메모리는 2010년대 초반 치킨게임에 패배해서 결국 마이크론에 흡수당하였고, 결국 사실상 일본은 DRAM 산업을 접게되어 한 때 이쪽분야 갑중갑이었던 자존심을 구기게 되었다. [19] 물론 메인보드 뿐만 아니라 노트북이나 PC, 기타 사업들을 다 포함한 가치. [20] 대만 내 1위의 시가총액이며 사실 국내에서도 삼성전자를 제외하면 TSMC를 시총에서 넘는 기업이 없다. [21] DDR4 8GB 21300은 94,900원. 16GB 21300은 177,700원이다. 삼성전자 다시마램 다나와 기준 [22] 삼성 램 [23] 장터에 용산 업자들이 개인적으로 등록한 제품은 현금가 52,000원까지 떨어졌다. [24] 2019년 일본의 대한국 경제 보복 조치에 따른 여파로 생각하는 사람들이 있지만, 사실은 이와 무관한 용팔이들의 횡포다. 라이젠 3세대의 출시와 방학이 겹치며 PC 수요가 급증할 조짐을 보이자 용팔이들이 농간을 부리고 있는 것. 전 세대 AMD보드나 인텔 CPU 가격도 급변하고 있다. 특히 램의 경우 일본 수출규제라는 핑계거리가 생겨 램의 가격을 집중적으로 올리고 있는 것. 일부 판매업자들이 일본 수출규제로 램이 유통이 안되고 있다는 배송지연 안내문을 띄웠지만, 메모리 제조사 측에서는 제품 공급을 전혀 줄이지 않았다고 밝혔다. 즉 현재 램 가격 폭등은 100% 용팔이들의 농간인 것이다. 7월 11일 서울경제신문에서 일본을 핑계로 가격을 올리고 있는 용팔이들을 저격하는 기사가 나왔다. "삼성 D램 품귀"…日 수출규제에 편승한 장삿속 '눈살'. 또 용팔이들의 횡포를 규제해달라는 청원이 국민청원 게시판에 올라오기도 했다. 사실 용팔이가 부르는 게 값이다. [25] 98,98 SE는 1GB이고 Me는 1.5GB이다. [26] 그러나 Windows XP 64bit는 서버 2003 x64 커널을 갖다 썼는데다 호환성이 나빠서 32비트이든 64비트 프로그램이 말썽이 일어나기도 하며 일부 프로그램은 서버 2003로 인식하여 설치를 거부하기도 해서 망했다. 그래서 한국판은 없고 영문판을 설치한 후 한글 MUI를 따로 설치해야만 한국어 사용이 가능하다. [27] 일부 메인보드는 높은 쪽에 맞추기도 한다. 하지만 이 경우 안정성이 떨어지기 때문에 여기에 해당한다면 동일한 클럭으로 맞춰야 한다. [28] 최대 32GB. [29] 현 단일 램 한 개에 128GB가 최대 용량. [30] 단일 램 한 개에 최대 256GB [31] 단일 램 한 개에 256GB [32] 22코어 44스레드를 두 개 꽂는다고 생각하라! [33] 64GB × 2 = 128GB 램 키트가 거의 $2K라는 점. 16GB의 4배 용량을 쑤셔넣으니 비쌀 수밖에 없다. [34] 8GB 구성 자체는 2005년 4월에 출시된 955X 칩셋의 메인보드부터 가능했으나, 비싼 HEDT 라인이라 널리 채택된 구성이 아니었다. 2006년 6월 965 칩셋부터는 일반 가정용 보드에도 구축할 수 있게 되었으나, 이 역시 고사양 유저 한정이었고 2007년 DDR3가 처음 도입된 X38, P35, G33 칩셋의 보드, DDR2만 지원하는 G35, G31 칩셋의 보드, 2008년 DDR2와 DDR3가 혼재된 X48, P45, P43, G45, G43, G41 칩셋의 보드들도 마찬가지로 8GB 구성은 고사양 유저들의 전유물 취급이었으며 4GB 이하가 대부분이었다. 2008년 DDR3만 지원하는 X58 칩셋의 보드와 조합된 블룸필드 CPU는 애초에 트리플 채널을 지원하는 고가형이라 일반 가정용이라기보단 HEDT 라인에 가까웠으므로, 8GB 유저층이 얇은건 2009년 9월 린필드 CPU가 나오기 직전까지 이어졌다. [35] DDR4 SDRAM 제품의 용량이 4GB부터 판매되었기 때문. [36] HDD보다 훨씬 빠른 SSD마저도 현세대 RAM 보다는 넘사벽으로 느리다. [37] 검은색 PCB. 시험지 짤방에서 유래했다. [38] 녹색 PCB.

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