최근 수정 시각 : 2024-04-20 02:05:04

1. Fab
1.1. K-POP 플랫폼
2. Pap

1. Fab

{{{#!wiki style="margin: -5px -10px; padding: 10px 0px; background-image: linear-gradient(to right, #002, cyan);"
'''[[반도체|반도체 제조 공정
Semiconductor Fabrication
]]'''
{{{#white {{{#!folding [ 펼치기 · 접기 ]
{{{#!wiki style="margin: -8px -1px -11px;"
<rowcolor=#000,#fff> 반도체 8대 공정 (Process Integration)
Front-End
( 웨이퍼/제조 · 산화 공정 · 포토 리소그래피 · 식각 공정 · 증착 공정 · 금속 배선 공정)
(+ 이온 주입)
Back-End
( EDS · 패키징(=백엔드 자체))
<rowcolor=#000,#fff> 구조
<rowcolor=#000,#fff> 반도체 제품 반도체 소자
CPU · GPU( 그래픽 카드) · ROM · RAM · SSD · HDD · MPU · eMMC · USB · UFS · 와이파이 트랜지스터( BJT · FET · JFET · MOSFET · T-FT, FinFET, GAA) · 전력 반도체 소자( 사이리스터 · GTO · 레지스터( IGBT) ) · 다이오드 · CMOS · 저항기 · 연산 증폭기 · 펠티어 소자 · 벅컨버터
<rowcolor=#000,#fff> 용어
웨이퍼 · · SoC · Technology Node · PPA · PCB · FPGA · Photo Resist · Alignment · LOCOS · STI · Fume · 산화막 · 질화물 · Annealing
<rowcolor=#000,#fff> 현상 법칙
정전기 방전 · 무어의 법칙 · 4 GHz의 벽 · 폴락의 법칙
<rowcolor=#000,#fff> 기업 분류
기업 목록은 각 문서에 서술
반도체 제조사( 종합 반도체 회사 (IDM) · Fab-less · Foundry) }}}}}}}}}}}}


파일:CleanRoom_red.jpg

반도체를 만드는 공장으로 fabrication의 줄임말이다. 외부로부터 철저히 보호돼야 한다. 공정이 미세화되다 보니 필연적으로 무균 시설이다. 규소를 판 형태로 썰어, 잘 연마한 뒤 바이러스만한 크기의 회로[1]를 심어 테스트 및 출고한다.

회사보다는 개별 시설을 의미한다. 반도체 회사에서 공장을 운영하기도 하지만[2], 때로 제조는 다른 회사에 맡기고 칩만 설계하기도 한다.[3] 현재는 ASML에서 분광기를 독점하는 형태라 반도체 공정을 늘리려면 개별 시설을 늘릴 수 없어서 회사 전체를 매입한다는 뜻으로도 사용되곤 한다.

대부분의 반도체 회사들은 근래에 이 팹을 소유하지 않고 설계만 하며, 생산은 파운드리에 위탁하는 팹리스(Fabless)로 운영된다.
  • 공정
공정
이름[4]
노드
형태
출시
연도
트랜지스터 인터커넥트
피치
트랜지스터 핀
밀도 게이트 피치 피치 높이
10㎛ 정의 1970
6㎛ 정의 1974
3㎛ 정의 1977
1.5㎛ 정의 1982
1㎛ 정의 1985
800㎚ 정의 1989
600㎚ 정의 1994
350㎚ 정의 1995
250㎚ 정의 1997
220㎚ 하프 1999
180㎚ 정의 1999
150㎚ 하프 2001
130㎚ 정의 2001
110㎚ 하프 2004
90㎚ 정의 2004
80㎚ 하프 2006
65㎚ 정의 2006
55㎚ 하프 2007
45㎚ 정의 2007
40㎚ 하프 2008
32㎚ 정의 2010
28㎚ 하프 2012
22㎚ 정의 2012
20㎚ 하프 2014
14㎚ 정의 2014 ? 70㎚ 56㎚ 42㎚ 8㎚ 42㎚
10㎚ 정의 2017 ? 48㎚ 36㎚ 36㎚ ? 42㎚
8㎚ 하프 2019
7㎚ 정의 2018 ? 48㎚ 28㎚ ? ? ?
5㎚ 정의 2020 ? 42㎚ 24㎚ ? ? ?
3㎚ 정의 2022
회사 위치 이름 생산 시작 생산량 생산 제품 비고
SK하이닉스 이천 M10 2005 22만 D램/CIS M10+M14=15만(D램), 2만(CIS)
M14 2015 D램/낸드 M10+M14=15만(D램), 5만(낸드)
M16 2021 6만 D램 EUV
우시 C2 2006 19만 D램 C2+C2F=19만(D램)
C2F 2019 D램 C2+C2F=19만(D램)
10만 파운드리 200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
청주 M8 파운드리/CIS 200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
M11/M12 2008/2012 9만 낸드
M15 2018 6만 낸드
10만 파운드리 200 mm, 자회사 키파운드리
다롄 10만 낸드 자회사 솔리다임, 인텔에서 인수
삼성전자 기흥 6라인 30만 파운드리 200 mm, 구 6라인+7라인+8라인
S1 15만 파운드리 구 9라인+14라인
오스틴 S2 2011[6] 10만 파운드리
화성 12라인 낸드
13라인 D램
15라인 D램
16라인 2011[7] D램
17라인 2015[8] 17만 D램 EUV(V1)
S3 파운드리 EUV(V1)
S4 CIS 구 11라인
시안 1공장 2014[9] 21만 낸드
2공장 낸드
평택 P1 2017[10] 29만 D램/낸드 10만(D램), 19만(낸드)
P2 2020[11] D램/낸드/파운드리 EUV(V2)

1.1. K-POP 플랫폼

파일:상세 내용 아이콘.svg   자세한 내용은 Fab 문서
번 문단을
부분을
참고하십시오.

2. Pap

을 뜻하는 영어.


[1] 흔히 n nm 공정이라 부르는 건 FET의 채널 길이가 n nm임을 뜻한다. TSMC의 경우 가장 작은 건 3nm 공정을 쓰는데, 이 정도 크기의 FET가 모여서 회로 하나를 구성하면 수백 nm 정도인 바이러스와 크기가 엇비슷할 것이다. [2] 인텔 삼성전자가 대표적이다. [3] Apple, 퀄컴, NVIDIA 등. [4] 여기 나오는 수치는 회로선폭, 또는 mosfet 채널 길이를 의미한다. [5] SK하이닉스 반도체 팹, 어디까지 가봤니? 삼성전자 반도체 팹, 어디까지 가봤니?를 참고하였다. 생산량은 월간 웨이퍼 장수로 나타내는 것이 관례이며, 특별한 언급이 없으면 300 mm 웨이퍼 기준이다. [6] 삼성전자, 미국 오스틴 시스템LSI 라인 풀 가동 시작 [7] 삼성전자, 세계 최대 규모 메모리 16라인 가동 [8] 삼성전자 화성 반도체사업장 17라인 본격 가동 [9] 삼성전자, 중국 시안(西安) 반도체 공장 본격 가동 [10] 삼성전자, 세계 최대 규모 평택 반도체 라인 가동 [11] 삼성전자, 세계 최대규모 평택 2라인 가동